Organe photo-conducteur

专利摘要:

公开号:WO1982001261A1
申请号:PCT/JP1981/000256
申请日:1981-09-25
公开日:1982-04-15
发明作者:Kk Canon；E Inoue；S Shirai；I Shimizu
申请人:Kk Canon；
IPC主号:G03G5-00

专利说明:
[0001] 明 細 謇
[0002] 光導電部材
[0003] 、技術分野
[0004] 本発明は 、 光 （ こ こでは広義の光で、 紫外光線 、 可視 光線 、 赤外光線、 X線 、 r 線等を示す ） の様 電磁波に 感受性のあ る光導電部材に関する。
[0005] 背景技術
[0006] 固体撮像装置、 或いは像形成分野に於ける電子写真用 像形成部材ゃ原稿読取装置等に於ける光導電層を構成す る 光導電材料 と し ては 、 高感度で、 S N比 〔 光電流
[0007] ( I P ) ノ暗電流 （ I d ) 〕が高 く 、 照射する電磁波のス ぺ ク ト ル特性を有する こと 、 光応答佳が良好で、 所望の 暗抵抗値を有する こ と 、 使用時に於い'て人体に対し て無 公害であ る こ と 、 更には 、 撮像装置に於いては 、 残像を 所定時間内に容易に処理出来る事等の锌性が要求される。 殊に 、 事務機 と し てオ フ ィ ス で使用される電子写真装置 内に組込ま れる電子写'真用像形成 ^材の場合には 、 上記 の使用時に於ける無公害性は重要 点であ る。
[0008] この よ う な点に立脚 して最近注目 されている光導電材 料に ア モル フ ァ ス シ リ コ ン （ 以後 a — と記す ） があ り 、 例えば 、 独国公開第 2 7 4 6 9 6 7 号公報、 同第
[0009] 2 8 5 5 7 1 8 号公報には電子写真用像形成部材 と して 、 英国公開 2 0 2 9 6 4 2 号公報に充導変換読取装置への 応用が記載されてあ る。 而乍 ら 、 の a — で構成さ れた光導電層を有する光導電部^は ¾抵抗箧、 光感度 、
[0010] O PI 光応答性等の電気的 、 光学的 、 光導電的特性及び耐候性、 耐顕性等の使用環境特性の点に於いて 、 更に改良される
[0011] 、可き点が存し 、 実用的な固体撮像装置や読 装置、 電子 写真用像形成部材等には 、 生産性 、 量産 ¾を も 加味して 仲々 有劾に使用し得るいのが実情であ る。
[0012] 例えば 、 電子写真用像形成部材ゃ固体撮像装置に適用 した場合に 、 その使用時に於いて残留電位が残る場合が 度 々 観測され、 この様 ¾種の光導電部材は繰返し長期間 使用し続ける と 、 繰返し使用に よ る疲労の蓄積が起る.、 残像が生ずる所謂ゴ ー ス ト現象を癸する様 ^:る る等の不 都合る点が少 く なかった。
[0013] 更 は 、 例えば本発明者等の多 く の実験に よれば 、 電 子写真用像形成部材の光導'電層を構成する材料 と し ての a — は 、 従来の S e 、 0 或いは P V C z や T N F 等の 0 P C ( 有機光導電部材 ） に較べて、 数多 く の利点を有 するが 、 従来の太陽電¾ . と して使用する為の荐性が付 与された a — か ら成る単層構成の光導電層を有する電 子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の 帯電処理を施し て も 暗減衰 ( d a rk d e c a y ) が著し く 速 く 、 通常の電子写真法が仲々 這用され難い事、 及び多湿 雰囲気中に於いては 、 上記頡向が著し く . 場合に よって は現像時間ま で電荷を全 く 深持し得ない事があ る等、 決され得 る可き 点が存在している事が判明 している。
[0014] 従って 、 a 材料その も のの特注改良が計 られる一 方で光導電部材を設計する ¾ 、 所望の電気的 、 光学的
[0015] O PI 及び光導電的特性が得 られる様に工夫される必要があ る.。 本発明は上記の諸点に鑑み成された も ので、 a に 、就いて電子写真用像形成部材ゃ固体撮像装置， 読取装置 等の光導電部材 と しての適用性 とその応用性 と い う観点 'から総括的に鋭意研究検討を続けた結杲、 シ リ コ ン を母 体 と して水素を含有する ア モ ル フ ァ ス材料 、 所謂水素化 ア モル フ ァ ス シ リ コ ン （ 以后 a — ： H と 記す ） か、 又 はシ リ コ ン原子を母体 と してハ ロ ゲン原子 ( X ) を含有 する ア モ ル フ ァ ス材料、 所謂ハ ロ ゲ ン含有ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン （ 以后 a 一 Si ： X と記す ） から成る光導電層 と 、 該光導電層を支持する支持体 と の間に特定の中間層を介 在させる層構成に設計され,て作製された光導電部材は実 用的に充分使用し得るばか り で く 、 従来の光導電部材 と 較べてみて も殆ん どの点に於いて凌駕している こ と 、 殊に電子写真用の光導電部材と して著し く 優れた特性を 有している こ と を見出 した点に基いている。
[0016] 発明の開示 ·
[0017] 本発明は電気的 · 光学的 · 光導電的卷性が常時安定し ていて 、 殆ん ど使用環境に制限を受け い全環境型であ り 、 耐光疲労に著し く 長け 、 缲返し使用に際し て も 劣化 現象を起さず、 残留電位が全 く 又は殆ん ど観測され い 光導電部材を提供する こ と を主たる 目 的 とする。
[0018] 本発明の別の 目 的は 、 光惑度が高 く 、 分光感度領域 も 略 々 全可視光域を覆っていて 、 且つ光応答性の速い光導 電部材を提供する こ と であ る。
[0019] OMPI 本癸明の他の 目的は 、 電子写真用の像形成部材と し て 適用させた場合、 通常の電子写真法が極めて有効に適用 、され得 る程度に 、 静電像形成の為の帝電処―理の際の電荷 保持能が充分あ り 、 且つ多湿雰囲気中で—も その特性低下 が殆ん ど観測されるい優れた電子写真特性を有する光導 電部材を提供する こ と であ る。
[0020] 本発明の更に他の 目的は 、 濃度が高 く 、 ハー フ ト ー ン が鮮明に出て且つ解像度の高い、 高品質画像を得る事が 容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供する こ と で あ る。
[0021] 本癸明は支持体 と 、 シ リ コ ン原子を母俸 と し 、 水素原 子又はハ ロ ゲ ン原子のいずれか一方を含むア モ ル フ ァ ス 材料で構成されている光導電層 と 、， これ らの間に設けら れ、 前記支持体側か ら前記光導電層中へのキャ リ アの流 入を阻止し且つ電磁波照射に よって前記光導電層中に生 じ支持体側に向って移動する キヤ リ ァの光導電層側から 支持体側への通過を許す機能を有し 、 シ リ コ ン原子と窒 素原子と を構成要素 とするア モ ル フ ァ ス材料で構成され ている 中間層 と を有する事を荐徵 とする光導電部材を提 供する も のである 。 '
[0022] 本発明は更に支持体 と 、 シ リ コ ン原子を母俸 と し ， 構 成要素 と して水素原子又はハ ロ ゲ ン原子のいずれか一方 を含むア モル フ ァ ス材料で構成されている充導電層 と 、 これ らの間に設け られる 中間層 と を備えた光導電部材に 於いて 、 前記中間層が、 シ リ コ ン原子 と g素原子と を構
[0023] OMPI 成要素 と する ア モル フ ァ ス材料で構成されている事を特 徵とする光導電部材を提供する も のであ る。
[0024] 、図面の簡単な説明 一
[0025] 第 1 図 ： ¾いし第 1 2 図は各 々 本発明の光導電部材の好 適 実施態様例の構成を説明する為の模式的構成図 、 第 1 3 図 ¾いし第 1 7 図は各々本発明の光導電部材を製造 する場合の装置の一例を示す模式的説明図であ る。
[0026] 発明を実施する ための好適る形態
[0027] 以下、 図面に従って 、 本発明の光導電部材に就て詳細 に説明する。
[0028] 第 1 図は本発明の光導電部材の基本的な構成例の 1 つ を説明するために模式的に示 した模式的構成図であ る。
[0029] 第 1 図に示す光導電部材 1 0 0 は 、 光導電菊材用 と し ての支持体 1 0 1 の上に 、 中間層 1 0 2 、 該中間層
[0030] 1 0 2 に直接接触 した状態に設け られている光導電舉 1 0 3 と で構成される層構造を有し 、 本発明の最 も基本 的な例の 1 つであ る。 ， . 支持体 1 0 1 と し ては 、 導電性でも電気絶縁性で も よ い。
[0031] 導電性支持体 と し ては 、 例えば 、 N i C r、 ス テ ン レ ス 、 M C r 、 Mo 、 Au 、 I r 、 Nb 、 V 、 Ti , P t 、 P d 等の 金属又は これ等の合金が挙げ られる。
[0032] 電気絶 ¾性支持体 と し ては 、 ポ リ エ ス テル 、 ポ リ ェチ レ ン 、 ポ リ カ ーボ ネ ー 卜 ， セ ル ロ ーズア セ テ ー ト 、 ポ リ プ ロ ピ レ ン 、 ポ リ 塩ィ匕ビ ニル 、 ポ リ塩化ビ ニ リ デン 、 ポ リ ス チレ ン 、 ポ リ ア ミ ド等の合成澍脂のフ ィ ルム又はシ ー ト 、 ガ ラ ス 、 セ ラ ミ ッ ク 、 紙等が通常使用される。 こ 、れ等の電気絶縁性支持体は 、 好適には少 — と も その一 方の表面を導電処理され 、 該導電処理さ-れた表面側に他 の層が設け られるのが望ま しい。
[0033] 例えば 、 ガ ラ スであれば 、 その表面が NiCr , 、 Cr、 Mo 、 Au 、 Ir 、 Nb 、 Ta 、 V 、 Ti 、 Pt 、 Pd , In₂ 0₃、 Sn0₂ 、 I TO ( I n₂ 0₃ +Sn0₂ ) 等の薄漢を記ける こ とに よって導電処理され、 或いはポ リ エ ステル フ イ ルム等の 合成.窗脂フ イ ルムであれば、 Ni Cr 、 M . kf . Pb , Ζτι , Ni 、 Au 、 Cr 、 Mo 、 Ir 、 Nb 、 V 、 Ti 、 Pt 等の金属 で真空蒸着、 電子ビ ー ム蒸着、 スパッ タ リ ング等で処理 し 、又は前記金属でラ ミ ネー 卜処理して、 その表面が導電 処理される。 支持体の形状 と しては 、 円笥状、 ベル 卜状、 板状等、 任意の形状 と し得、 所望に よつて、 その形状は 決定されるが 、 例えば 、 第 1 図の光導電 ¾材 1 0 0 を電 子写真用像彩成部材 と して使用する'も のであれば違続高 速複写の場合—には 、 無端ベル 卜状又は円筒钦とする のが 望ま しい。 支持体の厚さは 、 所望通 り の光導電部材が形 成される様に適宜決定されるが、 光導電 ¾ ^と して可撓 性が要求される場合には 、 支持体 と しての機能が充分発 揮される範囲内であれば 、 可能な限 り 薄 く される。 而乍 ら 、 こ の様る場合 、 支持体の製造上及び取极ぃ上、 機械 的強度の点か ら 、 通常は 、 1 0 以上と される。
[0034] 中間層 1 0 2 は 、 シ リ コ ン原子及び窒素原子と を含む、
[0035] O PI 非光導電性のア モル フ ァ ス材料 （ a — _X N — _x ) 、 但 し 0 < x く 1 ) で構成され ， 支持体 1 0 1 の側から光導 、 電層 1 0 3 中へのキ ヤ リ 'ァの流入効杲的に阻止し且つ電 磁波の照射に よ って光導電層 1 0 3 中に生 じ 、 支持体
[0036] 1 0 1 の側に向って移動する フ ォ 卜 キャ リ ア の光導電層 1 0 3 の側か ら支持体 1 0 1 の側への通過を容易に許す、 所謂、 障壁層の機能を有する も のであ る。
[0037] a - Si _χ Ν ι _ _χ で構成される 中間層 1 0 2 の形成は ス ノ、。 ッ タ ー リ ン グ法 、 イ オ ンプ ラ ン テ ー シ ョ ン法、 イ オ ン プ レ ー テ ィ ング法、 エ レ ク ト ロ ン ビ ー ム法等に よ って成 される。 これ等の製造法は 、 製造条件、 設備資本投下の 負荷程度 、 製造規模、 作製される光導電部材に所望され る特性等の要因に よって適宜選択されて採用されるが、 所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製条 件の制御が比較的容易であ る 、 シ リ コ ン原子 と共に窒素 原子を 、 作製する 中間層 1 0 2 中に導入する のが容易に 行える等の利点力 ら スパタ ー リ ング法或いはエ レ ク 卜 ロ ' ン ビ ーム法 ， ィ 'オ ンプ レ ーテ ィ ング法が好適に採用さ れ る 0
[0038] ス パッ タ ー リ ン グ法に よ って中間層 1 0 2 を形成する には 、 単結晶又は多結晶の &ゥ エ ーノヽ一又は ₃ N 4 ゥ ェ ーハ一又は と ₃ N ₄ が混合さ れて形成されたゥェ 一 ハ ーを タ ー ゲ ッ 卜 と し て 、 これ等を種 々 のガス雰圏気中 で ス ノ、。ヅ タ ー リ ン グする こ と に よって行えば良い。
[0039] 例えば 、 & ゥ エ ーハー及び & ₃ 1ST ₄ ゥェ 一ノヽ ーを 夕 一 ゲッ ト と して使用する場合には 、 He 、 Ne 、 Ar 等のス ノ ッ タ ー リ ン グ用のガスを 、 スハ⁰ッ タ 一 用の 積室中に 、導入してガス プラズマを形成し 、 前記し 、—俞言己 &ゥ エー ハー及び ₃ N 4 ゥ エ ーゾヽ ーを スパッ タ リ ングすれば良 い ⁰
[0040] 又、 別には 、 と & ₃ N ₄ と を混合 して成型した一枚 の タ ーゲッ トを使用する こ と に よって 、 スパッ タ ー リ ン グ用のガスを装置系内に導入し 、 そのガス雰囲気中でス パッ タ ー リ ン グする こ と に よって成される。 エ レ ク ト ン ビ ーム法を用いる場合には 2 個の蒸着.ボー 卜内に各 々 、 単結晶又は 多結晶の高純度シ リ コ ン及び高純度窒化珪素 を入れ、 各々 独立にエ レ ク ト ロ ン ビ ー厶.を照射する こ と に よ って同時蒸着するか、 又'は同一蒸着ボー 卜 内に入れ たシ リ コ ン &及び窒化珪素 ₃ N ₄ を単一のエ レ ク ト 口 ン ビ ー ムで照射する こ と に よ って蒸着すれば よ い。 中間 層 1 0 2 中に含有される シ リ コ ン原子 と窒素原子の組成 比は前者の場合 、 エ レ ク 卜 ロ ン ビ ームの加速電圧を シ リ コ ン と窒化珪素に対して変化させる こ と に よつて制御し 後者の場合は 、 あ らか じめシ リ コ ン と窒化珪素の混合量 を定める こ と に よって制御する。 イ オ ン プ レ ー ティ ング 法を用いる場合は蒸着橹内に種々 のガ スを導入 し あ らか じめ槽の周囲にま いた コ ィ ゾレに高周波電界を印加してグ 口 一をおこ した犾態でエ レ ク 卜 ロ ン ビ ー ム法を利用して
[0041] 及び & ₃ N ₄ を蒸着すれば よ い。
[0042] 本発明に於ける 中間層 1 0 2 はその要求される特注が
[0043] Ο ΡΙ 所望通 り に与え られる様に注意深 く 形成される。
[0044] 即ち 、 シ リ コ ン原子 、 窒素原子 （ N ) を構成原 、子 とする物質は 、 その作成条件に よって構造的には結晶 か らアモルフ ァスま での形態を取 り 、 電気物性的には導 電性から半導体性、 絶縁性ま での間の性質を 、 又光導電 的性質から非光導電的性質ま での間の性質を 、 各々示す ので、 本発明に於いては 、 少る く と も 、 所謂 、 可視光領 域の光に対して非光導電性の a - ^ _x N 1 _ _x が形成され る様に 、 その作成条件の選択が厳密に成される。
[0045] 本発明の中間層 1 0 2 を構成する a — ^ΐ χ Ν 一 _x は 中 間層 1 0 2 の機能が、 支持体 1 0 1 の側か ら光導電層 1 0 3 中へキャ リ アの流入を阻止し 、 且つ光導電層
[0046] 1 0 3 中で発生したフ 才 卜 キャ リ アが移動して支持体 1 0 1 側に通過する のを容易に許すこ と を杲す も のであ る から 、 少る く と も 可視光領域に於いて電気絶緣性的挙 動を示す も の と して形成される のが望ま しい。
[0047] 又 、 光導電層 1 0 3 中で発生 したフォ 卜キャ リ アが中 間層 1 0 2 中を通過する'際、 その ¾過がスムー スに成さ れる程度に 、 通過する キャ リ ア に対する易動度
[0048] ( m o b i l i t y ) の値を有する も の と して a — & _χ Ν ι一 _x が作成される為の作成条件の中の重要な要素 と し て 、 作 成時の支持体温度を挙げ る こ と ができ る。
[0049] 即 ち 、 支持体 1 0 1 の表面に a— _x N _x か ら成る 中間層 1 0 2 を形成する際、 層形成中の支持体温度は 、 形成される層の構造及び特性を左右する重要 因子であ つて 、 本発明に於いては 、 目 的とする特性を有する a - 5i _x N 1 - _x が所望通 り に作成され得 る様に層作成時 、の支持体温度が厳密に制御される 。
[0050] 本発明に於ける 目的が効杲的に達成される為の中間層 1 0 2 を形成する際の支持体温度 と しては 、 中間層
[0051] 1 0 2 の形成法に併せて適宜最適 i|園が選択されて 、 中 間層 1 0 2 の形成が実行されるが、 通常の場合 、 2 0 〜 2 2 0 Ό . 好適には 2 0 〜 1 5 0 C と される のが望ま し い も のであ る。 中間層 1 0 2 の形成 は 、 同一系内で中 間層 1 0 2 か ら光導電層 1 0 3 、 更 は必要に応 じて光 導電層 1 0 3 上に形成される第 3 の層ま で ¾變的に形成 する事'が出来る . 各層を構成する原子の ¾成比の徵妙 制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易であ る 事等の為に 、 スパッ タ ー リ ン グ法やエ レ ク 卜 ロ ン ビ ー ム 法の採用が有利であ るが、 これ等の層形成-法で中間賨
[0052] 1 0 2 を形成する場合には 、 前記の支持^温度と 同様に 層形成の際の放電ノ、。 ヮ 一が作成される a 一 _x の 特性を左右する重要 ¾ 因子の 1 つ と して挙げる こ とが出 来る。
[0053] この よ う ¾ 中間層作成法に於いては本癸 ¾に於ける 目 的が達成される為の特性を有する a— _x N i一 X が生産 性良 く 効杲的 作成される為の放電パヮ 一条俘 と し ては 通常 5 0 W 〜 2 5 0 Wで好適には 8 0 W 〜 1 5 0 Wであ o
[0054] 本発明の光導電 ¾材に於ける 中間層 1' 0 2 に含有され る窒素原子 （ N ) の量は 、 中間層 1 0 2 の作製条件と 同 様本発明の 目 的を達成する所望の特性が得 られる 中間層 1 0 2 が形成される重要る因子の 1 つであ—る。 即 ち 、 本 発明に於ける 中間層 1 0 2 に含有される窒素原子 （ N ) の量は 、 シ リ コ ン原子 （ ） に対して 、 通常は 4 3 〜
[0055] 6 0 atomi c 、 好適には 4 3 〜 5 0 atomic と され るのが望ま しい も のであ る。 別の表現法に従えば先の
[0056] SL -Si _X N I - X の x の表示で行えば 、 X が通常は 0-4 3 〜 0.6 0 、 好適には 0.4 3 〜 0.5 0 であ る。
[0057] 本発明に於ける 中間層 1 0 2 の層厚の数値範囲は 、 本 発明の 目 的を効果的に達成する為の重要 ¾因子の 1 つで る 0
[0058] 即 ち、 中間層 1 0 2 の層厚が充分過ぎる程に薄い と 、 支持体 1 0 1 側か らの光導電層 1 0 3 へのキャ リ アの流 入を阻止する働き が充分杲し得な く な り 、 又、 充分過ぎ る程以上に厚いと 、 光導電層 1 0 3 中に於いて生ずる フ 才 卜 キャ リ アの支持体 1 Q 1 の側への通過する確率が極 めて小さ く ¾ り 、 従って 、 いずれの場合に も 、 本発明の 目 的を効果的に達成され得 く る。
[0059] 本発明の 目 的を効果的に達成する為に 中間層 1 0 2 の 層厚 と し ては 、 通常の場合 、 3 0 〜 ： 1 0 0 O A好適には 、 5 0 〜 6 0 0 A 、 最適には 5 0 〜 3 0 O A と さ れる のカ 望ま しい。
[0060] 発明に於いて 、 その 目 的を,効杲的に達成する為に 、 中間層 1 0 2 上に積層 される ^:導電層 1 0 3 は下記に示 す半導体特性を有する a— ： H で構成される。
[0061] ① p 型 a - Si ： H …ァ クセプタ ーのみを含む も の。 或
[0062] いは 、 ドナー と ァ クセプタ ー と の両方を-含み、 ァ ク セ プタ ーの濃度 （ Na ) が高いも の。
[0063] ② p— 型 a — ·¾ : H …①のタイ プに於いてァ ク セプタ
[0064] 一の濃度 （ Na ) が低い も ので例えば p 型不純物を ラ イ ト リ ー ド ープし た も の。
[0065] ③ n型 a — I！… ドナー のみを含む も の。 或いは ド
[0066] ナ一 と ァク セプ夕 一の両方を含み、 ドナ ーの饞度
[0067] ( Nd ) が高い も の。
[0068] ④ n— 型 a - Si ： H …③のタイ プに於いて ドナーの濃
[0069] 度 （ ) が低い も ので例えば n 型不純物を ラ イ ト リ 一 ドー プ した も のか又は 、 ノ ン ド ープの も の。
[0070] ⑤ i 型 a — ： H '" Na ^rN d c O の も の又は 、 Na - Nd
[0071] の も の。
[0072] 本発明においては 、 中間層 1 0 2 を設ける こ と に よつ 前記した様に光導電層 1 0 3 を構成する a - H'は 、 従来に較べて比較的低抵抗の も のを使用され得 る も ので あ るが、 一層良好 ¾結杲を得る為には 、 形成される光導 電層 1 0 3 の暗抵抗が好適には 5 X 1 0 ⁹ il cm以上、 最 適には 1 0 ^{1 Q} «Q OT以上 と る様に光導電層 1 0 3 が形成 される のが望ま しい も のであ る。
[0073] 殊に 、 こ の暗抵抗値の数値条 は 、 作製された光導電 部材を電子写真用像形成部材や、 低照度領域で使用され る高感度の読取装置や撮像装置、 或いは光電変換装置と
[0074] Ο ΡΙ して使用する場合には重要 ¾要素であ る。
[0075] 本発明に於いて 、 光導電層を 、 a - H で構成され た層 とする には 、 これ等の層を形成する 際—、 次の様.な方 法に よって水素原子 （ H ) を層中に含有させる。
[0076] こ において 、 「層 中に Hが含有されている」 と い う こ とは 、 「 H が、 と結合した状態」 「 Hがイ オン化し て層中に取 り 込ま れている状態」 又は 「 H ₂ と し 層中 に取込ま れている状態」 の何れかの又は これ等の複合さ れている状態を意味する。
[0077] 光導電層への水素原子 （ H ) の含有法 と しては 、 例え ば層を形成する際、 堆積装置系内に & H ₄ , Si 2 H 6 、 Si a H 8. χ Si i Hi o 等のシ ラ ン （ Si lane ) ( 水素ィヒ硅素） 類等のシ リ コ ン化合物をガス状態で導入し 、 グロ 一放電 分解法に よって、 それ らの化合物を分鮮して 、 層の成長 に併せて含有される。 "
[0078] このグ ロ 一放電分解法に よって 、 光導電層を形成する 場合には 、 シ リ コ ン分子 （ & ) を供給する 出発物質が
[0079] ₄.、 & ₂ H ₆ 、 & ₃ H ₈ 、 ₄ H i。 等の水素化珪素を使 用する場合には 、 これ等化合物のガスが分解し て層が形 成される際、 水素原子 （ H ) は 自 動的に層中に含有され な 0
[0080] 反応ス パ ッ タ ー リ ン グ法に よ る場合には He や Ar 等 の不活性ガス又は これ等のガスをベ ース と した混合ガス 雰囲気中で を タ ー ゲ ッ ト と してス パッ タ ー リ ン グを行 う 際に H ₂ ガ ス を導入してや る か又は ₄ 、 & ₂ H ₆ 、 Si₃ H₈ , Si₄ Hio 等の水素化珪素ガ ス 、 或いは不純物の ドーピング も兼ねて B₂ H₆ 、 P H₃ 等のガスを導入して 、やれば良い。 —- 本発明者等の知見に よれば 、 a — で構成される 光導電層の水素原子 （ Η ) の含有量は 、 形成された光導 電部材が実際面に於いて充分適用され得るか否かを左右 する大き 要因の一つであって ¾めて重要である こ とが 判明している。 ' 本発明に於いて、 形成される光導電部材が実際面に充 分適用され得る為には 、 光導電層中に含有される水素原 子 ( Η ) の量は通常の場合 1 〜 4 0 atomic % 、 好適に は 5 〜 3 0 atomic と される のが望ま しい。
[0081] 層中'に含有される水素原子 （ H } の量を'制御する には 例えば堆積支持体温度又は Z及び水素原子 H を含有させ る為に使用される出発物質の^積装置系内へ導入する量 放電々 力等を制御 してやれば良い。
[0082] 光導電層を n 型又は ！） 型或いは i 型とするには 、 グロ 一放電法や反応スパッタ 一 リ ング法等 よ る層形成の際 に 、 n 型不純物又は p 型不^ ¾、 或いは両不純物を形成 される層中にその量を,制 ^!し乍 ら ドー ピ ングし てやる事 に よ って成される。
[0083] 光導電層中に ドー ピン グされる不純物 と しては 、 光導 電響を P 型にする には 、 周期律表第 I 族 A の元素 、 例え ば 、 B 、 M , Ca 、 In , Tt 等が好適る も の と して挙げ られる。 n 型にする場合には 、 周期律表第 V 族 A の元素 、 例え ば 、 N 、 P 、 As 、 Sb 、 Βί 等が好違る も の と し て挙げ
[0084] 、 られる。
[0085] a 一 Si ： Hの場合上記した様な n 型不純物或いは p 型 不純物を ドー ピング し いで形成 した 、 所謂、 non - doped a 一 Si ： Hはや n型頌向 （ n一 型 ） を示すの が一般的であ る。 従って i 型の a - Si ： H を得る には 、 わずかではあ るが適当量の P 型不^物.を ドー ピングして やる必要があ る。
[0086] 電子写真用の光導電部材の場合には、 暗抵抗を充分大 き く する '必要力；あ る ので、 no n-d oped SL - Si Hカ 、 又は B 等の p 型不純物をわずか量 ドー ピ ング し て形成 し た i 型 a 一 Si ： H で光導電層を構成する のが望ま しい。
[0087] 上記した不純物は 、 層中に含有される量力 p p m の才 ーダ 一であ る ので、 光'導電層を構成する主物質程その公 害性に注意を払 う 必要は . いが、 岀来る限 り 公害性の ¾ い も'のを使用する のが好ま しいつ '
[0088] この よ う 観点か らすれば 、 ¾成さ れる層の電気的 ·· 光学的特性を加味し て 、 例えば、 B 、 Ga 、 P 、 Sb 等が 最適であ る 。 こ の他に 、 例えば 、 ^¾散やイ ンプラ ンテ ー シ ヨ ン に よ って Li 等がイ ン タ ー ス ティ シャノレに ド ー ビングされる こ と で II 型に制御する こ と も 可能であ る。
[0089] 光導電層中に ドー ピングされる不^ ¾の量は 、 所望さ れる電気的 · 光学的特性に応 じて 3宜決定され'るが 、 周 期律表第 I 族 A の不純物の場合 は 、 迳営 1 0一⁶〜 1 0 —3 atomi c ra io 好適には 、 通常 1 0一⁵〜 1 0一⁴ atomic ratio , 周期律表第 V 族 A の場合には通常 1 0一⁸〜 1 0一³ 、 atomic ra io 、 好適には 1 0一。〜 1 0一， atomic
[0090] ratio と されるのが望ま しい。
[0091] 第 2 図には 、 本発明の光導電 ¾材の別の実飽態様例の 構成を説明する為の模式的 Λ成図が示される。 第 2 図に 示される光導電部材 2 Q Q は光導電層 2 0 3 の上に 、 中 間層 2 0 2 と 同様の機能を有する上部層 2 0 5 を設けた 以外は 、 第 1 図に示す光導電部材 1 0 と 同様の層構造 を有する も のであ る。
[0092] 即ち、 光導電部材 2 0 0 は支持体 2 0 1 の上に中間層
[0093] 1 0 2 と 同様の材料であ る a - Si_xN !-_x で ^樣の機能 を有する様に形成された中間層 2 0 2 と光導電層 1 0 3 と 同様に a - Si ： Hで搆成される光導電層 2 0 3 と該光 導電層 2 (3 3 上に設け られ自 由表面 2 0 4 を有する上部 層 2 0 5 を具備している。
[0094] 上部層 2 0 5 は例えば;) 導電き3材 2 0 13 を 自 由表面
[0095] 2 0 4 に帯電処理を施し て電荷像を形成する場合の様
[0096] 使い方をする際、 自 由表面 2 0 4 に保持される可き電荷 が光導電層 2 0 3 中に流入する のを阻止し且つ 、 電磁波 の照射を受けた際には 、 光導電響 2 0 3 中に癸生したフ オ ト キャ リ ア と 、 電磁波の ^射を受けた部分の帯電々荷 と が リ コ ン ビ ネ ー シ ョ ンを起す様 フ ォ 卜 キャ リ アの通 過又は帯電々 荷の通過を容易に許す接能を有する。
[0097] 上部層 2 0 5 は 、 中間層 2 0 2 と 同様の特性を有する
[0098] O PI a - ^ _x N ！ - χ で構成される他 、 a— ¾ _a 0₁ — a 、 a - &_v C i - y , 及び水素原子 （ H ) 又はハ ロ ゲ ン原子 、 （ X ) の少 く と も一方を含有する 、 a— z d— _z や a -《¾_a 0 i - _a や a — S b Ni一 b 等の 、 光導電層 2 0 3 を構成する母体原子であ る シ リ コ ン原子 （ ） と 、 窒素 原子 （ N ) 又は酸素原子 （ 0 ) 或いは炭素原子 （ C ) の いずれか 1 つ と で構成される ア モ ル フ ァ ス材料 、 或いは
[0099] ^ 2 0 3 等の無機絶縁性材料、 ポ リ エ ス テ ル 、 ポ リ ノ、。ラ キ シ リ レ ン 、 ポ リ ウ レ タ ン等の有機絶縁性材料で構成す る こ と が出来る。 而乍 ら 、 上 ¾層 2 0 5 を構成する材料 と しては 、 生産性 、 量産性、. 及び形成された層の電気的 及び使用環境的安定性等の点か ら中間層 2 0 2 と 同様の 特性を有する a— _x N i一 _x 構成するか又は _、 水素原子 又はハ ロ ゲ ン原子のいずれか一方又は両方を含む
[0100] a - ^ X N 1 _ X で構成するか、 或いは a -&_y C i— y や 水素原子かハ ロ ゲ ン 原子のいすれか一方又は両方を含む a - Si _Z C で構成する のが望ま しい。 上部層 2 0 5 を構成する材料と しては 、 上記に挙げた ¾J質の他、 好適 も の と し ては 、 シ リ コ ン原子と C 、 N 、 0 の 中の少 く と も 2 つの原子 と を母体 と し 、 水素原子かハ ロ ゲ ン原 子のいずれか一方を含むか又 ハ ロ ゲ ン原子 と水素原子 と の両方を含むア モ ル フ ァ ス枋斜を挙げる こ とが出来る 。 ハ ロ ゲ ン原子 と しては F 、 Ci 、 Br 等が挙げ られ るが、 熱的安定性の点か ら上記ア モ ル フ ァ ス枋料の中 F を含有 する も のが有効であ る。 上都層 2 0 5 を構成する材料の 選択及びその層厚の決定は 、 上部層 2 0 5 側 よ り 光導電 層 2 0 3 の感受する電磁波を照射する様に して光導電部 、材 2 0 0 を使用する場合には 、 照射される—電磁波が光導 電層 2 0 3 に充分量到達して、 効率良 く _、 フォ トキヤ リ ァの発生を引起させ得る様に注意粱 く 成される。
[0101] 上部層 2 0 5 は 、 中間層 2 0 2 と 同様の手法で、 同様 の材料で形成出来る他に 、 えば光導電層 1 0 3 や
[0102] 2 0 3 を形成する場合の様にグ ロ 一放電法を用いる こ と も 出来る し反応ス パッ タ ー リ ン グ法に於いて水素原子導 入用のガ ス又はハ ロ ゲン原子導入用のガ ス 、 或いは両方 のガ スを用いて形成する こ と も 出 ¾る。 上部層 2 0 5 形 成の際に使用される 出発物質 と しては 、 中間層を形成す る のに使用される前記の物質が使用される他、 ハ ロ ゲ ン 原子導入用の原料ガ ス と して有効なのは 、 多 く のハ ロ ゲ ン化合物が挙げ られ 、 例えばハ ロ ゲン ガ ス 、 ハ ロ ゲ ンィ匕 合物 、 ハ ロ ゲン間化合物等のガ ス状態の又はガ ス化し得 るハ ロ ゲ ン化合物が好ま し く 挙げ られる。
[0103] 又 、 更には 、 シ リ コ ン原子 （ ） と ハ ロ ゲン原子 （ X ) と を 同時に生成し得る 、 ガ ス状態の又はガ ス化し得る 、 ハ ロ ゲ ン原子を含む珪素化合物 も 有効 ¾ も の と し て本発 明においては挙げる こ と が≤来る。
[0104] 本発明において好適に使 し得るハ ロ ゲン化合物 と し ては 、 具体的には 、 フ ッ素、 逢素 、 臭素 、 ヨ ウ素の /、口 ゲ ン ガ ス 、 B r F 、 F ₄ CI F ₃ 、 B r F ₅ 、 B r F ₃ 、 I F ₇ 、 I F ₅ 、 I a , I B r 等のハ ロ ゲン間化合物を挙げる こ とが 出来る
[0105] ハ ロ ゲン原子を含む珪素化合物 と し ては 、 具体的には 例えば & F 4 、 Si F 6 、 Si * 、 & B r ₄ 、 等のノヽ ロ ゲン化珪 素が好ま しい も の と して挙げる こ とが出来る。
[0106] こ の様るハ ロ ゲン原子を含む珪素化合物を採用 してグ ロ ー放電法に よって上部層 2 0 5 を形成する場合には 、 シ リ コ ン原子 （ ） を供給し得る原料ガ ス と し ての水素 化珪素ガスを使用 し く と も 良い。
[0107] グ ロ 一放電法に従って 、 上部層 2 0 5 を形成する場合 、 基本的には 、 シ リ コ ン原子 （ ） 供給用の原料ガ ス であ る水素化珪素又はハ ロ ゲン化珪素のガス と炭素原子導入 用出発物質のガスか^は酸素原子導入用出発物質のガス か或いは窒素貭子導入用出発物質の力".ス と 、 更に必要に 応 じて Ar 、 H ₂ 、 He 等のガス と を所定の混合比 とガス 流量に ¾ る嫁 し て 、 光導電部材を形成する堆積室内に 導入し 、 グ ロ 一放電を生起して これ等のガスのプラ ズマ 雰園気を形成する こ と に よって 、 所定の光導電層上に上 部層を形成する こ と が出来る。
[0108] 又 、 各原子導入用出発物質のガスは単独種のみでる く 所定の混合比で複数種混合 して使用 して も差支え ない も のであ る。 反応スパッ タ ー リ ン グ法の場合には か ら成 る タ ーゲッ 卜 を使用 し 、 所望の原子が導入される様に所 望の出発物質か ら成る所定のガ ス のプ ラ ズマ雰囲気中で スパッ タ リ ン グ し て上部層を形成する こ と が出来る。
[0109] こ の際、 例えば形成される 上 ¾層中にハ ロ ゲ ン原子を
[0110] O PI 導入する には.、 前記のハ ロ ゲン化合物又は前記のハ ロ ゲ ン原子を含む珪素化合物のガス を 、 又炭素原子、 酸素原 、子或いは窒素原子を形成される上部層中に導入する には 、 これ らの原子を導入する為の出発物質の： tf スを堆積室中 に導入し て該ガ スのプラズマ雰固気を形成してやれば良 い も のであ る。
[0111] こ の他、 反応スパッ タ ー リ ン グ法に よ って上部層を形 成する には 、 単結晶又は多結晶の ゥ エ ーハー又は
[0112] 5 3 N ゥ エ ーハー又は と ₃ N 4 が混合されて含有 されている ゥ エ ーハ ー或いは 0 2 ゥエ ーハー 、 又は と & 0 ₂ が混合されて成型されている ゥ エ ーゾ、一を ター ゲッ 卜 と して 、 これ等を所望の上部層が形成される様に 種々 のガ ス雰囲気中でス パッ タ ー リ ン グする こ とに よつ て行 えば良い。
[0113] 例えば ゥエ ーハ ーを タ ーゲッ 卜 と して使用すれば 、 窒素原子 （ N ) と水素原子 （ H ) を導入する為の原料ガ ス 、 例えば H ₂ と N ₂ 、 又は N H ₃ を 、 必要に応 じて稀 釈ガスで稀^し て、 スパッタ ー用の：^積室中に導入 し 、 これ等のガスのガ スプラズマ を形成して前記 ゥ エ ーハ 一を スパッ タ ー リ ン グすれば良い。
[0114] 又、 別には 、 と ₃ N ₄ と は別々 のタ ーゲッ 卜 と して 、 又は と ₃ N ₄ の混合 して形成した一枚の タ ーゲッ ト を使用する こ と に よ って 、 少 く と も水素原子 （ H ) を 含有する ガス雰囲気中でスパッ タ ー リ ン グする こ と に よ つて成される。 本発明においては 、 上部層を形成する際のハ ロ ゲ ン原 子導入用の出発物質 と して上記されたハ ロ ゲ ン化合物或 、いはハ ロ ゲ ン を含む珪素化合物が有効 も の と して使用 される も のであ るが 、 その他に 、 H F 、 R , H B r , H I 等のハ ロ ゲ ンィヒ水素 、 F 2 、 Si H 2 2 , SI R 3 、 Si H 2 B r 2 、 Η Β ι· 3 等のハ ロ ゲ ン置換水素ィヒ珪素 、 等 々 のガ ス状態の或いはガ ス化し得る 、 水素原子を構成要 素の 1 つ とするハ ロ ゲ ン化物 も 有効 も の と して挙げる こ と が出来る。
[0115] これ等の水素原子を含むハ ロ ゲ ン化物は 、 上部層形成 の際に層中にハ ロ ゲ ン原子 ( X ) の導入 と 同時に電気的 或.いは光電的特.性の制御に ^めて有効 ¾水素原子 （，Η ) も 導入される ので、 本発明においては好適なハ ロ ゲ ン原 子導入用の出発物質と して使用される。
[0116] 上部層を形成する際の炭素原子導入用の出発物質 と し ては 、 例えば炭素数 1 〜 4 の飽和炭化水素 、 炭素教 1 〜 4 のエチ レ ン系炭化水素 、 炭素数 2 〜 3 のア セ チ レ ン系 炭化水素等を挙げる こ とが出来る。
[0117] 具体的には 、 飽和炭化水素 と し ては メ タ ン （ C Η₄ ) 、 ェ タ ン （ C₂ Η₆ ) 、 プ ロ ノ、⁰ン （ C₃ Η₈ ) 、 η —ブ タ ン
[0118] ( n - C₄ Hi o ) 、 ペ ン タ ン （ C₅ Hi 2 ) 、 エ チ レ ン系炭ィ匕 水素 と しては 、 エ チ レ ン （ C₂ H4 ) 、 プ ロ ピ レ ン
[0119] ( C₃ H₆ ) 、 ブ テ ン — 1 ( C₄ H₈ ) 、 ブテ ン 一 2
[0120] ( C₄ H₈ ) 、 イ ソ ブ チ レ ン （ C 4 H₈ ) 、 ペ ン テ ン
[0121] ( C₅ Hi o )、 ア セ チ レ ン系炭化水素 と し ては 、 ァ セ チ レ ン （ C₂ H₂ ) 、 メ チゾレア セ レ ン （ C₃ H₄ ) ブチン
[0122] ( C₄ H₆ ) 等が挙げられる。
[0123] 、 酸素原子を上部層中に含有させる為の出 物質 と して は、 例えば、 酸素 （ 0 ₂ ) 、 オ ゾン （ 0 ₃ ) 二酸化炭素 ( C 0₂ ) 、 一酸化窒素 （ NO ) 、 二酸化窒素 （ N0₂ ) 、 —酸化窒素 （ N₂ 0 ) —酸化炭素 ( C O ) 等を挙げる こ と ができ る 。 ^
[0124] 窒素原子を上部層中に含有させる為の出発物質 と して は 、 上記 した酸素原子導入用出癸物質の中の窒素原子も 構成原子の 1 つ とする化合物の ¾に 、 例えば、 Nを構成 原子とする或いは N と H と を構 原子とする例えば窒素 ( N 2 ) 、 ア ン モニア （ NH₃ ) 、 ヒ ド ラジ ン （H2NNH₂ ) , ア ジ化水素 （ HN₃ ) 、 ア ジィ匕ア ン モニ ゥ ム （ NE N₃ ) 等のガス状の又は容易にガス化し得る窒素 、 窒化物及び ァジ化物等の窒素化合物を挙げる こ と'ができ る。
[0125] 上記した他に 、 上部層形成用の出発物質 と して、 例え ば' C C£> 4 、 C H F 3 、 C H 2 F ₂ 、 C H₃ F 、 C R ₃ C£ . C H₃ B r CH₃ I、 C₂ H₅ Ci 等のハ ロ ゲン置換パラ フ ィ ン系炭化 水素、 S F ₄ 、 S F ₆ 等のフ ッ素 黄化合物、 （ C H₃ ) ₄ , Si ( C₂ H₅ ) 4 等のケ ィ 化ア ル キルや & ( C H₃ ) 3 、
[0126] Si 2 ( C H 3 ) 2 , SiC£ 3 C H₃ 等のハ ロ ゲ ン含有ケィ化ァ ルキル等の シ ラ ン の誘導体も 有効な も の と して挙げ る こ と が出来る。
[0127] これ等の上部層形成用の出癸 質は 、 所定の原子が構 成 '泵子と し て 、 形成される上 層中に含ま れる様に 、 層
[0128] O P 形成の際に適宜選択さ れて使用される。
[0129] 例えば 、 グ ロ 一放電法を採用するのであれば 、
[0130] .Si ( C H₃ ) 4 ^ sia₂ ( C H 3 ) 2 等の単独ガ ス又は 、
[0131] Si H 4 -N 2 0系 、 Si H₄ 一 0₂ (—A r ) 系、 —N0₂ 系 、 Si H₄ 一 O2 — N₂ 系、 &C^₄ 一 NH4 系、 Si'C -N 0 -H₂ 系、 Si H 4 一 NH₃ 系、 Si CI 一 NH 4 系、 &H ₄ —N₂ 系 、
[0132] Si H₄ 一 NHs — NO系、 ( C H₃ ) 一 & H 4 系、 ₂ ( C H₃ )2 - ^ H 4 系等の混合ガ スを上部層 1 0 5 形成用の出発物質 と して使用する こ と が出来る。
[0133] 第 3 図は 、 本発明の光導電部材の基本的る構成の別の 例を説明する為に模式的に示した模式的構成図であ る。 第 3 図に示す光導電部材 3 0 13 は 、 光導電部材用 と し て の支持体 3 0 1 の上に 、 中間層 3 0 2 、 該中間層 3 0 2 に直接接触した状態に設け られている光導電層 3 0 3 と で構成される層構造を有 し 、 支持体 3 0 1 及び光導電層 3 0 3 は第 1 図の説明中で述べたの と 同様の材料で構成 される。 本発明'の最 も基本的る例の 1 つであ る。
[0134] 中間層 3 0 2 は シ リ コ ン原子 （ & ) 及び窒素原子 （N) と を母体 と し 、 水素原子 （ H ) を含む 、 非光導電性のァ モ ゾし フ ァ ス材料 〔 a — X N 一 X ) y H y と珞記 する。 但し 0 < χ く 1 、 0 く y く 1 〕 で構成さ れ、 第一 図 で示 した中間層 1 0 2 と 同 ¾の 能を有する。
[0135] a - ( ^_x N i - x ) _y : H i - y で構成さ れる 中間層 3 0 2 の ¾成は グ ロ 一放電法、 ス ノ ° ッ 夕 一 リ ン グ法、 イ オ ン ィ ン プ ラ ン テ ー シ ョ ン法、 イ オ ン プ レ ー テ ィ ン グ法、 エ レ ク ト ロ ン ビ ー ム法等に よって成される。 これ等の製造法 は適宜選択されて採用されるが、 所望する特牲を有する 、光導電鄯材を製造する為の作製条件の制御—が比較的容易 であ るが、 シ リ コ ン原子と共に窒素原子及び水素原子を 作製する 中間層中に導入する のが容易に行える等の利点 か らグ ロ 一放電法或いはス パ ッ タ ー リ ン グ法が好適に採 用される。
[0136] 更に 、 本発明に於いては 、 グロ 一攻電法と スパ ッタ ー リ ン グ法と を同一装置系内で併用 して中間層 3 0 2 を形 成して も 良い。
[0137] グ ロ 一放電法に よ って中間層 3 0 2 を形成する には 、 i - { Si _x Ni - _x ) _y K₁ - _y 形成用の原料ガ ス を 、 必要 に応 じて稀釈ガ スを所定量の混合比で混合し て 、 支持体
[0138] 3 0 1 の設置してあ る真空堆積用の堆積室に導入し 、 導 入されたガ スをグ ロ 一放電を生起させる こ と でガ ス プラ ズマ化して前記支持体 3 0 1 上に a— （^ x Ni - ^^ y :
[0139] — y を堆積させれば良い。
[0140] 本発明-に於いて a— （ Si x N !— χ ) ^ : !^- ;^ を形成用 の原料ガス と しては 、 Si 、 N 、 Hの中の少な く と も 1 つ を構成原子とする ガ ス ^の ^'質又はガ ス化し得 る物質を ガ ス化した も のの中の大¾の も のが使用され得 る。
[0141] を構成原子とする原料ガ スを使用する場合は 、 例え ば &を構成原子と する原科ガス と 、 Nを構成原子とする 原料ガス と 、 Hを構成原子とする原料ガス と 所望の混 合比で混合して使用する か、 又は を構成原子 とする原
[0142] O PI 料ガス と 、 N及び H を構成原子と する原料ガス と を 、 こ れ も 又所望の混合比で混合 して使用する こ とが出来る。 、 又、 別には 、 と H と を構成原子とする原料ガスに N ' を構成原子とする原料ガスを混合 して使用 して も 良い。
[0143] 本発明に於いて 、 中間層 3 0 2 形成用の原料ガスに成 り 得る も の と して有効に使用される 出発物質は 、 と H と を構成原子とする Si 2 H 6 、 Sis H 8 , Si 4 Ηι。 等 の シ ラ ン （ Si lane } 類等の水素化珪素ガ ス 、 N を構成 原子とする或いは N と H と を構成原子と を有する例えば 窒素 （ N ₂ ) 、 ア ン モニア （ NH₃ ) 、 ヒ ド ラ ジ ン
[0144] ( H2 NNH2 ) 、 ア ジ化水素 に HN₃ ) 、 ア ジィヒア ン モニ ゥ ム （ NE N ₃ ) 等のガス状の又は 、 ガス ィヒ し得 る窒 素、 窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げる こ と が 出来る。 これ等の 中間層形成用の出発物質 と な る も のの 他 、 B [導入用原料ガス と しては勿論 H ₂ も 有効る も の と し て使用される。
[0145] スパッ タ ー リ ン グ法に よ って中間層 3 0 2 を形成する には 、 単結晶又は多結晶の ゥ エ ーノヽ 一又は & ₃ N ゥ エ ーハ ー又は と 3 N が混合されて成型さ れている ゥ エ ーハ ーを タ ー ゲッ ト と し て 、 これ等を種 々 のガ ス雰 園気中でス ノ、°ッ タ ー リ ン グする こ と に よ って行えば良い。
[0146] 伊 えば 、 &ゥ エ ーハ ーを タ ーゲ ッ ト と して使用すれば 、 N と Hを導入する為の原料ガ ス 、 例えば H ₂ と N ₂ 、 又 は N H 3 を 、 必要に応 じて稀釈ガ ス で稀釈し て 、 ス パッ タ ー用の堆積室中に導入 し 、 これ等のガ ス.のガ ス プラズ マを形成し て前記 ゥ工一ハーを スパッ タ ー リ ングすれ ば良い。
[0147] 、 又、 別には 、 と ·¾ ₃ N ₄ とは別々 の夕""ゲッ 卜 と し て、 又は と 3 Ν 4 の混合し て形成した一枚のタ ーゲ ッ 卜を使用する こ と に よって 、 少 く と も水素原子 （Η) を含有するガス雰囲気中でスパッ タ ー リ ングする こ とに よって成される。
[0148] 窒素原子 （ Ν ) 又は水素原子 （ Η ) 導入用の原料ガス と成 り 得る も の と しては 、 先述したグ ロ 一放電の例で示 した中間層形成用の出発物質のガスが 、 スパッ タ ー リ ン グの場合に も 有効 ガス と して使用され得 る。
[0149] 本発明に於い.て 、 中間層 3 0 2 を グロ 一放電法又はス ノ ッ タ ー リ ング法で形成す'る 祭に使用される稀釈ガス と しては 、 .所謂 、 希ガ ス 、 例えば He , N e 、 Ar 、 等が好 適な も の と して挙げ る こ とが出 ¾る。
[0150] 本発明に於ける 中間層 3 0 2 は 、 その要求さ れる特性 が所望通 り に与え られる様に注意桀 く 形成される。
[0151] 即ち、 Si 、 N 、 及び H を構成原子とする物質はその作 。 成条件に よって構造的には結晶からア モルフ ァ スま での 形態を取 り 、 電気物性的には導電倥から半導体性 、 絶緑 注ま での間の性質を 、 又光導電的 質から非光導電的性 質ま での間の拄質を 、 各々示すので、 本発明に於いては 、 少 く と も 可視光領域に於いて非光導電性の a— _x N !-x) _y ： H i - _y が形成される様に 、 その作成条件の選択が厳密 に成される。
[0152] O PI 本発明の中間層 3 0 2 を構成する a— （& _x Ni— _x ) _y - ： Hi - _y は中間層 3 0 2 の接能力；、 支持体 3 0 1 側カ ら 光導電層 3 0 3 中へのキャ リ アの注入を阻止し 、 且つ光 導電層 3 0 3 中で発生したフォ ト キャ リ アが移動し て支 持体 3 0 1 側に通過する のを容易に許すこ と を果す も の であ る こ と か ら 、 少 く と も 可視光領域に於いては電気 絶縁性的挙動を示す も の と して形成される のが望ま しい , 又、 光導電層 3 0 3 中で癸生 したフォ ト キャ リ アが中 間層 3 0 2 中を通過する際、 その通過がスムーズに成さ れる .程度に通過する キャ リ アに対する易動度 （mobi l i ty) の値を有する も の と して a— ( 5i _x Ni— _x ) ₇ ： Hi- y が作 成される。
[0153] 上記の様る特性を有する a— （& _Χ Νι— _X ) y : Hl— y が作成される為の作成条件の中の重要る要素 と し て作成 時の支持体温度を挙げる事が出来る。
[0154] 即ち 、 支持体 3 0 1 の表面に a— （θϊ χ ΐ^— _x ) y :
[0155] Hi - y か ら成る 中間層 3 0 2 を形成する凝 、 層形成中 の支持体温度は 、 形成される層の構造及び特性を'左右す る重要 因子であって 、 本癸 に於いては 、 目 的とする 卷'性を有する a— _x N i— _x ) _y ： H 1 - y が所望通 り に作 成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され る 0
[0156] 本癸明に於ける 目 的が ¾昊的に達成される為の中間層 3 0 2 を形成する 際の支持体 ⁷;!度と し ては 中間層 3 0 2 の形成法に併せて適宜最這範 が選択されて 、 中間層 3 0 2 の形成が実行されるが 、 通常の場合、 1 0 0 ：〜 3 0 0 C好適には 1 5 0 t 〜 2 5 0 C と さ れる も のが望 ま しい も のであ る。 一 - 中間層 3 0 2 の形成には 、 同一系内で中間層 3 0 2 か ら光導電層 3 0 3 、 更には必要に応 じて光導電層 3 0 3 上に形成される第 3 の層ま で違続的に形成する こ とが出 来る 、 各層を構成する原子の組成比の ¾妙な制御や層厚 の制御が他の方法に較べて比較的容易であ る事の為に 、 グロ 一放電法や反応スパッ 夕 一 リ ング法の採用が有利で あ る が、 これ らの層形成法で中間層 3 0 2 を形成する場 合には 、 前記の支持侔温度と 同様に層形成の際の放電パ つ 一、 ガス圧が作成される。 （ "Si srNi— — y の 特性を左右する重要る因子の 1 つであ る。
[0157] 本発明に於ける 目 的が達成される為の特性を有する a - ( ¾ _x N！ - _x ) ァ：！^ーァ ；生產性良 く 効杲的に形成さ れる為の放電パ ワ ー条件と しては 、 通常 1 〜 3 0 0 W、 好適には 2 〜 1 0 0 Wであ る。 举積室内のガ ス圧は逼常 グロ 一放電に て層形成を行 う場合に於いて 0·0 1 〜 5
[0158] Torr 、 好適には 0.1 〜 0.5 Torr 程度に 、 スパッ タ リ ング法にて層形成を行 う 場合に於いては 、 通常 1 x10一³ 〜 5 X 1 0—² Torr 、好適には 8 x 1 0一³ 〜 3 x 1 0一²
[0159] Torr 程度 と される のが望ま しい。
[0160] 本発明の光導電部材 3 0 0 に於ける 中間層 3 0 2 に含 有される窒素原子 （ N ) 及び水素原子 （ H ) の量は 、 中 間層 3 0 2 の作製条件と 同様、 本癸明の 目 的を達成する
[0161] OMPI 所望の-特性が得 られる 中間層が形成される重要な因子で
[0162] ¾> 0
[0163] 、 本発明に於ける 中間層 3 0 2 に含有される窒素原子 ( N ) の量は通常は 2 5 〜 5 5 atomi c 1o 、 好適には 3 5 〜 5 5 atomic と される のが望ま しい も のであ る 水素原子 （ H ) の含有量 と し ては 、 通常の場合 2 〜 3 5 a tomi c , 好適には 5 〜 3 0 atomi c ^ と される のが 望ま し く 、 これ等の範囲に水素原子の含有量があ る場合 に 、 形成される光導電部材は 、 実際面に於いて優れた も の と し て充分適用させ得る も のであ る。
[0164] 即ち 、 先の a— （ & _χ Ν ι - ） _y ： Hi - _y の表示で行えば , X が通常は 0.4 3 〜 0.6 0 、 好這に.は 0.4 3 〜 0.5 0 、 y が通常 0.9 8 〜 0 ·6 5 、 好適には 0.9 5 〜 0.7 0 であ る 0
[0165] 本発明に於ける 中間層 3 0 2 の層厚の数値範囲は 、. 本 発明の 目的を効杲的に達成する為の重要な因子の 1 つで あって 、 第一図に示 した中間層 1 · 0 2 と 同様の数値範囲 を取る こ と が望ま しい。
[0166] 第 4 図には 、 第 3 図の光導.電 ¾ '材の層構成を変形した 別の実施態様例の構成を説明する為の模式的携成図が示 される。
[0167] 第 4 図に示される 光導電部材 4 0 Q は 、 光導電層
[0168] 4 0 3 の上に 、 中間層 4 0 2 と 同様の檨能を有する上部 層 4 0 5 を設けた以外は 、 第 3 図に示す光導電部材
[0169] 3 0 0 と 同様の層構造を有する も のであ る。 即ち 、 光導電部材 4 0 (3 は 、 支持体 1 0 1 と 同様の支 持体 4 0 1 の上に中間層 3 0 2 と 同様の材料であ る
[0170] 、 a - (.¾ X Nl- χ ) y ： H i - y を使用 して.同 ^"の機能を有す
[0171] る様に形成された中間層 4 0 2 と 、 光導電層 1 0 3 や光 導電層 2 0 3 と 同様に a— ： H で構成される光導電層
[0172] 4 0 3 と 、 該光導電層 4 0 3 上に設け られ 自 由表面 404
[0173] を有する上部層 4 0 5 を具備している 。
[0174] 上部層 4 0 5 は 、 第 2 図に示す上部層 2 0 5 と 同様の 機能を有する。 光導電層 4 0 3 中に発生したフ 才 卜 キヤ
[0175] リ ア と 、 電磁波の照射を受けた部分の帯電々荷とが リ コ . ン ビ ネ ー ジ ョ ン を起す様に 、 フ ォ ト キ ャ リ ア の通過又は 带.電々荷の通過を容易に許す機能を有する。
[0176] 上部層 4 0 5 は 、 中間層 4 0 2 と 同様の特性を有する
[0177] a - ( X N _L - X ) y : H i— y で構成される他、 a -Si _a C i一 a、 a — { Si a l - a. ) b : H i— b 、 a — { Si c 0 i - _c ) ^ a.— {Si _c Oi— c)d ： H _x _ _d 等の光導電層を構成する母体原子であ る 、 シ リ コ ン原子 と 窒-素原子 (' N ) 又は酸素原子 （ 0 ) と で 構成されるか又は 、 これ等の原子を母体 と して水素原子
[0178] ( H ) を含むアモル フ ァ ス材料、 或いは 、 更にハ ロ ゲン
[0179] 原子 （ X ) を含む 、 これ等のア モルフ ァ ス材料、^ ₂0 ₃
[0180] 等の無機絶縁性材料、 ポ リ エ ス テルポ リ パラ キ シ レ ン 、 ポ リ ウ レ タ ン等の有檨绝缘 ¾材料で構成する こ と も 出来
[0181] 0
[0182] 而乍ら 、 上部層 4 0 5 を清成する材料と しては生産性、 量産性及び形成された層の電気的及び使用環境的安定性 等の点か ら 、 中間層 4 0 2 と 同様の特性を有する a - ( & x N 1- X ) y ： H i— y で構成する か又は、 a— a Ci— a a— a C i— a ) b : H i— b、 《a —5i c N i— c、 a — ( Si d C i一 d) e ： X₁- _e x a - { Si f C i - f ) g ： ( H + X ) !- , a - (SthNi-h )i : Xi— i、 a - ( Si j Ni- j ) k ： ( H— X ) i - kで構成する のが 望ま しい。
[0183] 上部層 4 0 5 を構成する材料と し ては 、 上記に挙げた 物質の他 、 好適な も の と しては 、 シ リ コ ン原子 （ & ) と 、 C 、' N 、 0 の中の少な く と も 2 つの原子 と を母体 と し 、 ハ ロ ゲ ン原子 （ X ) か又はハ ロ ゲ ン原子 （ X ) と水素原 子 （ H ) とを含むア モ ル フ ァ ス材料を挙げる こ と ができ る 0
[0184] ノヽ ロ ゲ ン原子 （ X ) と しては 、 F 、 i、 Br等が挙げ ら れるが 、 熱的安定性の点か ら上記ア ル モ フ ァ ス材料の中 、 F を含有する も のが有効であ る。
[0185] 第 5 図は 、 本発明の光導電部材の構成の更に別の例を 説明する為に模式的に示した模式的構成図であ る 。
[0186] 第 5 図に示す光導電部材 5 0 0 は 、 光導電 ¾材用 と し ての支持体 5 0 1 の上に 、 中間層 5 0 2 、 該中間層
[0187] 5 0 2 に直接接触した状態に設け られてい る ^:導電層
[0188] 5 0 3 と で構成される層構造を有し 、 支持侔 5 0 1 及び 光導電層 5 0 3 は第 1 図の説明の中で述べたの と 同様の 材料で構成される 。
[0189] 中間 * 5 0 2 は 、 シ リ コ ン原子 （ ) 及び窒素原子
[0190] ( N ) と を母体 と し 、 ハ ロ ゲ ン原子 （ X ) を含む非光導 電性のア モ ル フ ァ ス材料 ！： a— （ _x — X ) y ： Xi- y と 略記する。 但し 0 く χ < 1 、 0 < y < 1 〕 で構成され、 、前記した中間層 と 同様の機能を有する。
[0191] ^ - ( Si _x N i - x ) y : X ₁ - y で構成され—る 中間層 5 0 2 の形成は第 3 図に示した中間層 3 0 2 と 同様の手法、 即 ちグ ロ 一放電法、 ス ノ、。ッ タ ー リ ン グ法、 イ オ ン プラ ン テ 一ジ ョ ン法、 イ オ ン プ レ ーティ ン グ法、 エ レ ク ト ロ ン ビ ー厶法等に よって成される。 '
[0192] グ ロ 一放電法に よって中間層 5 0 2 を形成するには
[0193] ( βί χ Ν^ χ ) y Xl- y 形成^の原料ガ スを 、 必要に 応 じて稀釈ガス と所定量の混合比で混合して 、 支持体
[0194] 5 0 1 の設置してあ る真空堆積用の堆積室に導入し 、 導 入されたガスを 、 'グ ロ 一放電'を生起させる こ と でガスプ ラ ズマ化して前記支持体 5 0 1 上に a — （ _x N丄 - _x ) _y ： Xi -y を堆積させれば よ い。
[0195] 本発明に於いて 、 a— — J^ y Xi—y 形成用の 原料ガス と し'ては ； Si、 N.、 Xの中の少 ぐ と も 1 つを- 構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ ス化した も の の中の大概の も のが使用され得る。
[0196] を構成原子と する原料ガスを使用する場合は 、 例え ば を構成原子 とする原料ガス と 、 N を構成原子とする 原料ガス と 、 Xを構成原子とする原料ガス と を所望の混 合比で混合して使用するか、 又は 、 を構成原子とする 原料ガス と 、 N及び X を構成原子とする原料ガス と を 、 これ も 又所望の混合比で混合して使用する こ と が出来る 又、 別には 、 と X と を構成原子と する原料ガスに N を構成原子とする原料ガ スを混合 して使用 して も 良い。 、 本発明に於いて 、 ハ ロ ゲン原子 （ X ) と し て好適な の は F 、 Ci、 Br 、 I であ り 、 殊に F 、 が望ま しい も の であ る。
[0197] 本発明に於いて、 中間層 5 0 2 は 、 a- ) _y ：
[0198] Xi-_y で構成される も のであ るが、 中間層 5 0 2 には更 に水素原子 （ H ) を含有させる こ と が出来る。
[0199] 中間層 5 0 2 へ水素原子を含有させる層構成の系の場 合には 、 光導電層 5 0 3 と の違統層形成の際に原料ガ ス 種の一部共通化を計る こ と が出来るので生産コ ス 卜面の 上で好都合であ る。
[0200] . 本発明において 、 中間層 5 0 2 を形成するのに有効に 使用される原料ガス と 成 り 得 る 出発物質 と しては 、 常温 常圧に於いてガス状態の も の又は容易 ガ ス化し得 る物 質を挙げる こ と が出来る。 ，
[0201] こ の様 中間層形成用 の出堯^質 と ·しては 、 例えば 、 前記した窒素 、 窒化物、 及びア ジ化 ^等の窒素化合物の 他に弗素化窒素 、 ハ ロ ゲ ン単体 、 ハ ロ ゲ ン化水素 、 ハ ロ ゲ ン間化合物、 ハ ロ ゲ ン化珪素 、 ハ ロ ゲ ン置換水素化珪 素 、 水素化硅素等を挙け'る 事が出来る。
[0202] 具体的には 、 弗素化窒素 と しては 、 三穽化窒素 （ F₃ N)、 四弗化窒素 （ F₄ N₂ ) 等、 ハ ロ ゲ ン単体 と しては 、 フ ッ 素、 塩素 、 臭素 、 ヨ ウ素のノヽ ロ ゲン ガ ス 、 ハ ロ ゲ ン化水 素 と しては 、 H F、 H l 、 H 、 H B r 、 ハ ロ ゲ ン 間化合物 と して.は 、 B r F、 F、 CeF₃ 、 C F ₅ 、 B r F₅ 、 B r F₃ 、 I F₇ 、 I Fs 、 I Ce, I B r、 ハ ロ ゲ ン化珪素 と しては 、
[0203] Si 2 F₆ 、 SiC& , Si ₃ Β τ , Si a ₂ B r₂ 、 Si — B r 3 、 Si 3 I、 SiB r₄ 、 ハ ロ ゲン置換水素化珪素 と して—は 、 & H ₂ F .₂ 、 Si K₂ Ce 2 SiB. a 3 、 &H₃ a , Sl K₃ B r , ^ H ₂ B r 2 、
[0204] SI K r 3 、 水素化珪素 と し ては & H₄ 、 Sl₂ H ₆ 、 &₃ H ₈ 、 Sii H 10 等の シ ラ ン （ Si lane ) 類、 等々 を挙げる こ と ができ る。
[0205] これ等の中間層形成用の出発物質は 、 形成される中間 層中に 、 所定の組成比でシ リ コ ン原子 、 窒素原子
[0206] ( N ) 及びハ ロ ゲ ン原子 （ X ) と必要に応 じて水素原子
[0207] ( H ) とが含有される様に 、 中間層形成の凝 所望に従 つて選択されて使用される。
[0208] 例えば 、 シ リ コ ン原子 （ & ) と水素原子 （ H ) と の含 有が容易に成し得て且つ所望の特性の中間層が形成され 得る & 11₄ や ₂ H₆ と、 窒素原子 （ N ) を含有させる も の と しての N ₂ 又は NH₃ と ハ ロ ゲン ！:子 （ X ) を含有さ せる も の と しての SIB.2 F 2 Si κ 3 . 3ΐ «, 、
[0209] ^ H₂ i₂ 、 或いは H₃ 等を所定の混合比でガス状態 で中間層形成用の装量系内に導入してグ ロ 一 ¾電を生起 させる こ と に よって a -Si χ Νχ_ _x ： X ： H から成る 中間 層を形成する こ と ができ る。
[0210] 或いは 、 形成される 中間層に シ リ コ ン原子 （ ） と ノヽ ロ ゲ ン原子 （ X ) と を含有させる こ とが出 る & F₄ 等 と窒素原子 （ N ) を含有させる も の と しての ₂ 等を所 Ο ΡΙ 定の混合比で、 必要に応 じて ！^ 、 Ne 、 A r 等の稀ガス と共に中間層形成用の装置系円に導入し てグ ロ 一放電を 生起させて 、 a - Si _x N！ - χ ： F か ら成る 中間層を形成す る こ と も 出来る。
[0211] スパッ タ ー リ ング法に よって中間層 5 0 2 を形成する には 、 単結晶又は多結晶の & ゥ エ ーハ ー又は ₃ N ₄ ゥ エ ー ハー又は と 3 N ₄ が混合されて形成されたゥ ェ 一ハーを タ ーゲッ ト と し て、 これ等をハ ロ ゲン原子と 必 要に応 じて水素原子を構成要素 と して含む種々 のガ ス雰 囲気中でスパッ タ ー リ ングする こ と に よって行えば良い。
[0212] 例えば 、 & ゥ エ ー ハーを タ ー ゲッ ト と し て使用すれば 、 N と X を導入する為の原料ガスを 、 必要に応 じて稀釈ガ ス で稀釈し て 、 ス ノ、。ッ タ ー用の堆積室内に導入 し.、 これ 等のガスのガスプラズマ を形成して前記 &ゥエ ーハ ーを ス パッ タ ー リ ングすれば良い。
[0213] 又、 別には 、 と ₃ H ₄ とは別々 の タ ーゲッ ト と し て 、 又は と 3 H ₄ の混合して形成した一枚の タ ーゲ ッ 卜 を使用する こ と に よ って 、 少 く と も ノヽ ロ ゲン原子 を含有する ガス雰囲気中でス パッ ー リ ングする こ と に よ って成される。 窒素原子 （ N ) 及びハ ロ ゲン原子 （X)、 必要に応 じて水素原子 （ H ) の導入用の原料ガ ス と な る 物質 と し ては先述したグロ 一放電の例で示 した中間層形 成用の出発物質がスパッ タ ー リ ン グ法の場合に も 有効 ¾ 物質.と し て使用され得る 。
[0214] 本発明に於いて 、 中間層 5 0 2 をグ ロ 一放電法又はス パッ タ ー リ ング法で形成する際に使用される稀釈ガス と しては 、 所謂、 希ガス 、 例えば He 、 Ne 、 Ar 等が好適 、 る も の と して挙げる こ とが出来る。 一
[0215] 本発明に於ける中間層 5 0 2 は 、 その-要求される特性 が所望通 り に与え られる様に前記した中間層の場合 と 同 様に注意深 く 形成される。
[0216] 即ち 、 Si、 N 、 及び X 、 必要に応 じて H を構成原子と する物質は 、 その作成条件に よって構造的には結晶から ア モル フ ァ スま での形態を取 り 、 電気物性的には導電性 から半導体性、 絶椽性ま での間の性質を 、 又^:導電的性 質から非光導電的性質ま での間の性質を 、 各々示すので、 本発明に於いては 、 その 目 的が達成される為に使用する 環境下に於いて非光導電性を示すも の と し て 成される 様に 、 その作成条件の選択が厳密に成される。
[0217] 本発明の中間層 5 0 2 を構成する a — f x l^ _ _x ) _y ： X 一 y は 、 中間層 5 0 2 の機能が前記した中間層 と 同 様であ るので、 電気 ^彖性的挙動を示すも の と して形成 されるのが望ま しい。
[0218] 又、 光導電層 5 0 3 中で発生したフ ォ トキャ リ アが中 間層 5 0 2 中を通過する 際、 その通過がス ムーズに成さ れる程度に 、 通過する キャ リ アに対する易勣窆
[0219] ( mob i 1 ity ) の ftを有する も の と して a— N_x- _x ) y
[0220] ： X l-y が作成される。 上記の様 特性を有する
[0221] a - (^χ C i-_x ) y Xi— yが作成される為の条件の中の 重要 要素 と して 、 作成時の支持侔温度を挙げる こ とが 出来、 目 的 とする特性を有する a— （^ΐχΝ!一 _x ) _y : X_x- _y が所望通 り に作成され得る様に層作成時の支持体温度が 、厳密に制御される 。
[0222] 本発明に於ける 、 所望の 目 的が効果的に達成される為 の中間層 5 0 2 を形成する際の支持体温度 と し ては 、 中 間層 5 0 2 の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて 、 中間層 5 0 2 の形成が実行されるが 、 通常の場合 100 〜 3 0 0 C 、 好適には 1 5 0 〜 2 5 0 C と されるのが望 ま しい も のであ る。 中間層 5 0 2 の形成には 、 同一系内 で中間層 5 0 2 か ら光導電層 1 0 3 、 更 は必要に応 じ て光導電層 5 0 3 上に形成される第 3 の層ま で違続的に 形成する事が出来る。 各層を構成する原子の組成比の微 妙 制御が層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易で あ る事等の為に 、 グ ロ 一放電やス パ ッ タ ー リ ン グ法の採 用が有利である。 そし て 、' これ等の ¾形 ^法で中間層
[0223] 5 0 2 を形成する場合には 、 前記の支持体温度 と 同様に 層形成の際の放電パ ワ ーが作成される &一 一 _x ) y
[0224] ： X !^-y の特性を左右する重要 因子の 1 つ と して挙げ る こ と が出来る。
[0225] 本発明に於ける 目 的が達成される為の特性を有する
[0226] a - （^χ Ν 一 _x ) y : Xl - y が生産性良 く 効果的に作成さ れる為の放電パ ワ ー条件と し ては 、 通常 1 0 〜 3 0 0 W 、 好適には 2 0 〜 1 0 0 Wであ る。
[0227] 又 、 上記の中間層形成方法に於いては 、 堆積室内の.ガ ス圧はグ ロ 一放電法にて層形成を行 う 場合に於いて通常 0.0 1 〜 5 Torr.、 好適には 0.1 〜 0.5 To rr 程度に 、 ス パッ タ リ ン グ法にて層形成を行 う場合に於いては 、 通
[0228] —3 常 1 X 0一³ 〜 —2
[0229] 5 X 0 To 好適に一は 8 x 1 0
[0230] 〜 3 X 1 0一² Torr 程度 と される のが望-ま し
[0231] 本発明の光導電部材に於ける 中間層 5 0 2 に含有され る窒素原子 （ N ) 及びハ ロ ゲン原子 （ X ) の量は 、 中間 層 5 0 2 の作製条件と 同様本発明の 目 的を達成する所望 の特性が得 られる中間層が形成される重要る因子である。
[0232] 本発明に於ける 中間層 5 0 2 に含有される窒素原子
[0233] ( N ) の量は 、 通常は 3 0〜 6 0 atomi c % 、 好適には
[0234] 4 0 — 6 0 atomi c ^ と される のが望ま し 、 も のであ る。 ハ ロ ゲン原子 （ X ) の含有量 と し ては 、 通常の場合 1 〜
[0235] 2 0 atomi c 、 好適には 2 〜 1 5 tomi c 1o と されるの が望ま し く 、 これ等の範囲に ハ ロ ゲン原子の含有量があ る場合に作成される 光導電部材を実際面に充分適用させ 得 る も のであ る。 必要に応 じて含有される水素原子の含 有量と しては 、 通常の場合 1 9 atomi c 以下、 好寧に は 1 3 atomic 以下と される のが望ま しい も のであ る。 即ち 、 先の a —（& _χ Ν ι一 の表示で行えば 、 X が通常は 0.4 3 〜 0.6 0 、 好適には 0.4 9 〜 0.4 3 、 y が通常 0.9 9 〜 0 ·8 0 、 好適には 0.9 8 〜 0.8 5 であ な ο
[0236] ハ ロ ゲン原子と水素原子の両方が含ま れる場合 、 先と 同様の a - （ _χ Νι一 _x ) y : ( H +X ) 1 -_y の表示で行えば、 この場合の _x 、 y の数値範囲 も a— （S x Ni一ズ ァ ： 丄ーァ
[0237] O PI の場会 と 、 略 々 同様であ る。
[0238] 本発明に於ける中間層 5 0 2 の層厚の大き さは 、 本発 明の 目 的を効果的に達成する為の重要な因子の 1 つであ つて 、 前記した実施態様例に於ける中間層の場合と 同様 の数値範囲を取る こ と が望ま しい。
[0239] 第 6 図には 、 第 5 図に示した光導電部材の層構成を変 形した別の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成 図が示される。
[0240] 第 6 図に示される光導電部材 6 0 0 は 、 第 5 図に示し た光導電層 5 0 3 と 同様の光導電層 S 0 3 の上に 、 中間 層 S 0 2 と 同様の機能を有する上部層 6 0 5 を設けた以 外は 、 第 5 図に示す光導電.部材 5 0 0 と 様の層構造を 有する も のであ る。
[0241] 即ち 、 光導電部材 6 0 0 は 、 支持体 6 0 1 の上に中間 層 5 0 2 と 同様の材料で、 同様の檨能を有する様に形成 された中間層 6 0 2 と 、 光導電層 5 0 3 と 同様に a-^: H で構成される光導電署 S 0 3 と 、 該光導電層 S 0 3 上 設け られ自 由表面 6 0 4 を有する上部層 6 0 5 を具備し て ^、る。
[0242] 上部層 6 0 5 は 、 第 2 11に示した上部層 2 0 5 や第 4 図 に示した上部層 4 0 5 と 同様の機能を有する。 上部層 6 0 5 は 、 中間層 6 0 2 と 同様の特性を有し 、 必要に応 じて水素原子を含む a— （ X 一 _χ ) y ： X y で構成さ れ ^他 、 a —Si _a C！ _ _{a %} a — { Si _Ά C i— _a ) b · H _:— b 、
[0243] a— _a C i— _a ) b ： ( H ÷ X ) i - b » S - Si _c 0 i - _c 、
[0244] OMPI a - ( Si c 0！ - c ) d : H i— d 、 a ~ ( -S*. _c 0 i - _c ) d : (H+X)i-d 、 a -^i _e ! _ _e 等の光導電層を構成する母侔原子である 、シ リ コ ン原子 （ & ) と 炭'素.原子 （ C ) 又は 素原子 （0)
[0245] と で構成されるか、 又は これ等の原子を母体と し水素原 子 （ H ) .又は /及びハ ロ ゲ ン原子 （ X ) を含むァ モル フ ァ ス材料、 或いは ^ 3 0₃ 等の無檨絶樣性材料、 ポ リ エ ス テ ル 、 ポ リ パラ キ シ リ レ ン 、 ポ リ ウ レ タ ン等の有機絶 椽性材料で構成する こ と も 出来る。
[0246] 而乍ら 、 上部層 S 0 5 を構成する材料'と しては 、 生産 性、 量産性 、 及び形成された層の電気的及び使用環境的 安定性等の点か ら 、 中間層 6 0 2 と同様の特性を有する
[0247] - ( ^x N j- x ) _y ： X i- ₇ で構成するか、 又は
[0248] a— 一 a ) b ： H i— b 、 a- - { Si a. C _t- ^ ) ： Xi- b 、 a— a — a ) b : ( H + X ) j- b a - ( 5£ _e N _x - _e ) f ： H i- f 、 a — ( ¾ _e N ! - _e ) f ： i- f 、 a— ( Si _e ^i - e ) f ： ( H + J i- f 或いはハ ロ ゲン原子 ( X ) 及び水素原子
[0249] ( H ) を含ま ない a —S a C i— aや a — _e N i— _e で構成す るのが望ま しい。 上部層 6 0 5 を構成する材料と しては 、 上記に挙げた物質の他、 好適 も のと し ては 、 シ リ コ ン 原子 （ ） と 、 C 、 N 、 0 の中の少 く と も 2 つの原子 を母体 と し 、 ハ ロ ゲ ン原子 ( X ) か又はハ ロ ゲ ン原子
[0250] ( X ) と水素原子 （ H ) と を含むア モ ル フ ァ ス材料を挙 げる こ と が出来る。 ノ、 ロ ゲ ン原子 （ X ) と しては 、 F 、 Ce、 Br 等が挙げ られるが、 熟的安定 の点か ら上記ァ モル フ ァ ス材料の中 F を含有する も のが有 ¾であ る。
[0251] OMPI 第 7 図は 、 本発明の光導電部材の基本的る も う 1 つの 別な構成例を説明する為に模式的に示した模式的構成図
[0252] 、 C る 0
[0253] 第 7 図に示す光導電部材 7 0 0 は 、 光導電部材用 と し ての支持体 7 0 1 の上に 、 中間層 7 0 2 、 該中間層
[0254] 7 0 2 に直接接触した状態に設け られている光導電層 7 0 3 と で構成される層構造を有し 、 支持体 7 0 1 及び 中間層 7 0 2 は各 々 第 1 図に示す支持体 1 0 1 及び中間 層 1 0 2 と 同様の材料で同様の手法及び作成条件で形成 される。
[0255] 本発明に於いて 、 その 目 的を効杲的に達成する為に 、 中間層 7 0 2 上に積層される 光導電層 7 0 3 は下記に示 す半導体特性を有する _a 一 Si ： X で構成される。
[0256] ⑥ p 型 a - Si ： X … ァ ク セ プタ ーのみを含む も の。 或 いは 、 ドナー と ァ クセプタ ー との両方を含み、 ァ クセ プタ ー の濃度 （ Na ) が高い も の。
[0257] ⑦ p一 型 a — & :' X …⑥のタ イ プに於いてァ ク セプ夕 一の濃度 （ Na ) が低い も の で、 例えば所謂 p 型不純 物を極ラ イ ト リ 一 ド ープ し た も の。
[0258] ⑧ n 型 a — & : X … ドナー のみを含む も の。 或いは ド ナ一 と ァ ク セプタ ー の両方を含み、 ドナー漫度 （Nd ) カ 高 、 も の。
[0259] ⑨ n一 型 a 一 Si ： X…③の タイ プにおいて ドナ ーの濃 度 （ Nd ) が低い も ので 、 所謂 n 型不純物を極ラ イ 卜 リ 一 ド ー プ し た も の。 i 型 a — ·¾； ： X ··· Na Nd 0 の も の 、 又は
[0260] Na Nd の も の。
[0261] 本発明に於いては 、 中間層 7 0 2 を設け—る こ と に よつ て前記した様に光導電層 7 0 3 を構成す-る a 一 Si ： Xは 従来に較べて比較的低抵抗の も の も使用され得る も ので あ るが、 一層良好な結果を得 る為には 、 形成される光導 電層 7 (3 3 の暗抵抗が好適には 5 X 1 0 ⁹ ίΐ οπ ^上 、 最 適には 1 0 ^{1 Q} i2 cm以上 と る様に光導電層 7 0 3 が形成 されるのが望ま しい も のであ る。
[0262] 殊に 、 この暗抵抗値の数値条件は 、 作製された光導電 部材を電子写真用像形成部材や 、 低照度領域で使用され る高感度の読取装置や撮像装置、 或いは光電変換装置と して使用する場合には重要な要素であ る。
[0263] 本発明に於いて 、 光導電層 7 0 3 中に含有されるハロ ゲン原子 （ X ) と しては 、 具体的には フ ッ素、 塩素 、 臭 素 、 ヨ ウ素が挙げ られ、 殊に フッ素、 塩素を耔適 ¾ も の と して挙げる こ とが出来る。 .
[0264] こ こ に於いて、 「層中に Xが含有されている」 とい う こ とは 、 「 Xが と結合した状態」 、 「 Xがイ オンィ匕し て層中に取 り 込ま れている状態」 又は 「 X ₂ と して層中 に取 り 込ま れている状態」 の何れかの又は これ等の複合 されている状態を意味する。
[0265] 本発明に於いて、 a — ： Xで構成される層を形成す る には 列えばグ ロ 一放電法、 スパッ タ リ ン グ法、 或いは ィ 才 ンプ レ ー テ ィ ング法等の放電現象を利用する真空堆 PI 積法に よ って成される。 例えば 、 グロ 一放電法に よ って 、 a — 層を形成する には 、 シ リ コ ン原子 を供
[0266] 、給し得る 供給用原料ガス と共に 、 ハ ロ ゲン原子導入用 原料ガスを内部が減圧し得る堆積室内に'導入して 、 該堆 積室内にグロ 一放電を生起させ、 予め所定位置に設置さ れてある所定の支持体表面上に形成された中間層表面上 に a — ： Xか ら な る層を形成させれば良い。 又、 スパ ッ タ ー リ ン グ法で形成する場合には 、 例えば A r 、 He 等 の不活性ガス又は これ等のガスをベ ース と した混合ガス の雰囲気中で で形成されたタ ーゲッ ト をス パ ッ タ ー リ ングする際、 ハロ ゲン導入用ガスを ス ノ、。ッ タ ー リ ング用 の堆積室に導入してやれば良い。
[0267] 本発明におい 使用される 供給用原料ガ ス と しては 、 第 1 図に示した光導電層 1 0 3 を形成する際に使用され る 供給用の原料ガ ス を同様に挙げる こ と が出来る。
[0268] 本発明に いて使用される ハ ロ ゲン原子導入用原料ガ ス と して有効なのは 、 多 く のハ ロ ゲ ン化合物が挙げ られ 、 例えばハ ロ ゲン ガ ス 、 ハ ロ ゲ ン化物、 ハ ロ ゲ ン間化合物、 ハ ロ ゲン で置換された シ ラ ン誘導体等の中のガス状態の 又はガ ス化し得る ハ ロ ゲ ン化合物が好ま し く 挙げ られ る。
[0269] 又、 更には 、 シ リ コ ン原子 （ ) と ハ ロ ゲ ン原子 （X) と を同時に供給し得 る 、 ガ ス状態の又はガ スィヒし得 る 、 ハ ロ ゲ ン原子を含む珪素化合物 も 有劫な も の と し て本発 明において挙げる こ と が出来る。
[0270] 本発明に於いて好適に使用 し得 るハ ロ ゲ ン化合物と し
[0271] ΟΜΡΪ ては 、' 具体的には 、 フ ッ素 、 塩素 、 臭素、 ヨ ウ素のハロ ゲンガ ス 、 BrF 、 C^F 、 CeF₃ 、 BrF₅ 、. BrF₃ 、 IF₇ 、 、 IF₅ 、 I a , i Br 等のハ ロ ゲン間化合物—を挙げる こ と が出来る。
[0272] ハ ロ ゲン を含む珪素化合物、 所謂、 ハ ロ ゲン で置換さ れたシ ラ ン誘導体と しては 、 具体的に例えば 、
[0273] .Si 2 F₆ 、 Si C£ i 、 5i Br₄ 等のハ ロ ゲンィ匕珪素が好ま しい も の と して挙げる こ とが出来る。
[0274] この様 ハ ロゲン原子を含む珪素化合物を採用してグ ロ ー放電法に よって光導電層 7 0 3 を形成する場合には 、 を供給し得 る原料ガ ス と しての水素化珪素ガスを使用 しな く と も 、 所定の支持体上に a 一 Si Xか ら成る光導 電層を形成する事が出来る。 .
[0275] グ ロ 一放電法に従って 、 a — ： Xか ら成る光導電層 を形成する場合、 基本的には 、 供給用の原料ガ スであ る ノヽ ロ ゲンィヒ珪素ガ ス と Ar 、 H₂ 、 H e 等のガスを所定 の混合比とガス流量にな る様に して a - Si ： Xから成る 光導電層を形成する堆積室内に導入し 、 グロ 一放電を生 起して これ等のガスのプラ ズマ雰園気を形成する こ と に よって 、 所定の支持体上に形成されてあ る 中間層に接触 し て a — ： Xか ら成る光導電層を形成し得る も のであ るが 、 これ等のガスに更に水素原子を含む珪素化合物の ガス も所定量混合 して層形成して も 良い。
[0276] X、 各ガスは単独種のみで く 所定の混合比で複数種 混合 して使用 して も 差支え い も のであ る。 MPI 反応'" ¾ ノ °ッ タ リ ン グ法或いはィ ォ ン.プレ ーテ ィ グ法に よって a — ： Xか ら成る光導電層を形成する には 、 例 えばス ノ 。ッ タ ー リ ン グ法の場合には か ら成る タ ーゲッ 卜 を使用して 、 これを所定のガス プラ ズマ雰囲気中でス ノ、。ッ タ リ ン グ し 、 イ オ ン プレ ーティ グ法の場合には 、 多 結晶シ リ コ ン又は単結晶シ リ コ ン を蒸発源 と し て蒸着ボ 一 卜に収容し 、 こ の シ リ コ ン蒸発源を抵抗加熱法、 或い はエ レ ク 卜 ロ ン ビ ーム法 （ E B 法 ） 等に よ っ て加熱蒸発 - させ飛翔蒸発物を所定のガス プラ ズマ雰囲気中を通過さ せる事で行 う 事が出来る。 .
[0277] こ の際、 ス ノ、。ッ タ リ ン グ法、 イ オ ンプレ ー テ ィ ン グ法 の何れの場合に も 形成される層中にハ ロ ゲン原子を導入 する には 、 前記のハ ロ ゲンィヒ合 ¾又':ま前記のハ ロ ゲン を 含む珪素化合物のガス を卷積室中に導入 し て該ガ ス のプ ラ ズマ雰囲気を形成し てやれば良い も のであ る。
[0278] 本発明においては 、 ハ ロ ゲ ン原子導入用の原料ガス と し て上記されたハ ロ ゲン化合物或い： ハ ロ ゲ ン を含む珪 素化合物が有効 ¾ ·も の と して使 ^される も のであ るが 、 その他に 、 H F 、 ： Η ί¾、 H B r 、 H I 等のハ ロ ゲ ンィヒ水素 、 ^ H 2 F 2 > 5i H 2 C 2 , Si K a 3 , Si H ₂ B r ₂ s B r ₃ 等の ハ ロ ゲン置換水素珪素 、 等 々 のガス 態の或いはガ ス化 し得 る 、 水素原子を構成要素の 1 つ とするハ ロ ゲン化物 も 有効 ¾光導電層形成用の出発 ¾質 と し て挙げる事が出 来る。
[0279] こ れ らの水素原子を含むハ ロ ゲン化 ¾7は 、 光導電層形 成の際に層中にハ ロ ゲン原子の導入と 同時に電気的或い は光電的特性の制御に極めて有効な水素原子 （ H ) も 導 、入されるので、 本発明においては好適る ハ—口 ゲン原子導 入用の原料ガ ス と して使用される。
[0280] 水素原子を a 一 Si ： Xから成る光導電層中に構造的に 導入する には 、 上記の材料の他に H ₂ 、 或いは H₄ ^2 H 6 . Sis H₈ , Sii Hi ο 等の水素ィヒ珪素のガスを Siを 生成する為のシ リ コ ン化合物と堆積室中に共存させて放 電を生起させる事でも行 う事が出来る。
[0281] 例えば 、 反応スパッ タ リ ン グ法の場合には 、 タ ーゲ ッ 卜を使用し 、 ハ ロ ゲン原子導入用のガス及び H ₂ ガス を必要に応 じて He 、 Ar 等の不活性ガス も 含めて堆積室 内に導入し てプラズマ雰囲気を形成 し 、 前記 タ ーゲッ トをス パッ タ リ ン グする事に よって、 所定の特性を有す る^:持体表面上に Hが導入された a - Si ： Xから成る光 導電層が形成される。
[0282] 更には 、 不純物の ド ビン グ も兼ねて B ₂ H ₆ 、 P H ₃ 、 P F 3· 等のガスを導入 してやる こ と も 出来る。
[0283] 本発明に於いて 、 形成される光導電 ¾枋の 導電層中 に含有される ハ ロ ゲン原子 （ X ) の量又は水素原子 と ハ ロ ゲン原子の量の和は通常の場合 1 〜 4 0 atomic 、 好適には 5 〜 3 0 atomic と されるのが望ま しい。
[0284] 層中に含有される Hの量を制阖する には 、 例えば堆積 支持体温度又は Z及び H を含有させる為に使 ^される 出 発物質の堆積装置系内へ導入する量、 ¾電々 力等を制御 し てやれば良い。
[0285] 光導電層 7 0 3 を II 型又は p 型とする には 、 グロ 一放 、電法や反応ス パッ タ ー リ ング法等に よ る層—形成の際に 、
[0286] n 型不純物又は p 型不純物、 或いは両不'純物を形成され る層中にその量を制御し乍 ら ドー ピン グ し てやる事に よ つて成される。
[0287] 光導電層 7 0 3 中に ド ーピングされる 不純物 と し ては 、 光導電層 7 0 3 を p 型或いは i 型にする には 、 周期律表 第 夏 族 A の元素、 例えば、 B 、 ^、 Ga 、 I r 、 T£ 、 等 が好適 ¾ も の と し て挙げ られる。
[0288] η 型にする場合には 、 周期律表第 V 族 Α の元素 、 例え ば 、 N 、 P 、 As 、 Sb 、 Bi 等が好適な も の と して挙げ 。 られる。 こ の他に 、 例えば 、 熱拡散やイ ン プ ラ ン テ ー シ ョ ン に よ って L i 等がイ ン タ ー ス テイ シ アルに ド ー ピ ン グさ れ る こ と で n 型に制御する こ と も 可能であ る 。 光導電層中 に ドー ピングされ'る不純物の量は 、 所望される電気的 .
[0289] 光学的特性に応 じて適宜決定されるが、 周期律表第 I 族
[0290] A の不純物の場合には 、 に対し通常 1 0一⁶ 〜 1 0一³
[0291] atomi c rati o 、好適に ま 1 0一⁵〜 1 0一⁴ atomi c rati o 、 周期律表第 V 族 A の場合には通常 1 0一⁸ 〜 1 0一³
[0292] atomic rati o 、好適に ϊ 1 0 ⁸ 〜 1 0 ⁴ atomi c rat io
[0293] と される のが望ま しい。
[0294] 第 8 図には 、 第 7 図に示した光導電部材の層構成を変 形した別の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成
[0295] 一 図が示される。 第 8 図に示される光導 部材 8 0 0 は 、 光導電層 8 0 3 の上に 、 中間層 8 0 2 と 同様の機能を 、有する上部層 8 0 5 を設けた以外は 、 第 7 H1に示す光導 電都材 7 0 0 と 同様の層構造を有する のである。
[0296] 即ち、 光導電部材 8 0 0 は支持体 8 0 1 の上に中間層
[0297] 8 0 2 と 同様の材料であ る a S _x N - X で同様の機能 を有する様に形成された中間層 8 0 2 と第 7 図に示され る光導電層 7 0 3 と 同様に必要に応 じて Hが導入されて いる a - Si ： Xで構成される光導電響 8 0 3 と 該光導電 層 8 0 3 上に設け られ自 由表面 8 0 4 を有する上部層
[0298] 8 0 5 を具備している。
[0299] 上部層 8 0 5 は 、 前記した実施態樣 ^で示した上部層 の場合 と 同様の機能を有し 、 同様の材 で構成されてい る o
[0300] 第 9 図は 、 本発明の光導電部材の更： 別の構成例を説 明する為に模式的に示した模式的構成 ϋであ る。
[0301] 第 9 図に示す光導電部材 3 0 0 は 、 光導電部材用 と'し ての支持体 9 0 1 の上に 、 第 3 図に示した中間層 3 0 2 と 同様の中間層 3 0 2 、 該中間層 3 0 2 に直接接触した 状態に設け られ 、 第 7 図に示 した光導電層 7 0 3 と 同様 の光導電層 3 0 3 と で構成される層構遣を有する。
[0302] 支持体 3 0 1 と しては 、 前逮の実旌態様例で記した支 持佯と 同様に導電性でも電気倥でも 電気艳緣性であって も 良い。
[0303] 第 1 0 図には 、 第 9 図に示し た光導電部材の層搆造を
[0304] OMPI 変形した別の実施態様例の構成を説明する為の模式的搆 成図が示される。
[0305] 第 1 0 図に示される 光導電部材 1 0 0 0—は 、 光導電層
[0306] 1 0 0 3 の上に 、 中間層 1 0 0 2 と 同様の機能を有する 上部層 1 0 0 5 を設けた以外は 、 第 9 図に示す光導電部 材 9 0 0 と 同様の層構造を有する も のであ る。
[0307] 即ち 、 光導電部材' 1 0 0 (3 は これま での実施態様例で 示した支'持体 と 同様の支持体 1 0 0 1 の上に中間層
[0308] 9 0 2 と 同様の材料であ る 一 ( Si _x N ! - _χ ) y ： H l - y を使用 し て同様の機能を有する様に形成された中間層
[0309] 1 0 0 2 と 、 第 7 図に示した光導電層 7 0 3 と 同様に必 要に応 じて水素原子 （ H ) が導入されている a - Si ： X で構成される光導電層 1 0 0 3 と 、 該光導電層 1 0 0 3 上に設け られ 自 由表面 1 0 0 4 を有する上部層 1 0 0 5 を具備している。
[0310] 上部層 1 0 0 5 は 、 中間層 1 0 0 2 と 同様の特性を有 する a — ( ¾ _X N ! _ _x ) _y ： H i - y で寧成される他 、 これ ま での実施態様例で示して来た上部層 と 同様の材料を使 用 して形成する こ と が出来る。
[0311] 第 1 1 図は 、 本癸明の光導電部材の更に も う 1 つの好 適な実旖態様の構成例を説明する為に模式的に示した模 式的構成図 であ る。
[0312] 第 1 1 図に示す光導電部材 1 1 0 0 は 、 光導電部材用 と しての支持体 1 1 0 1 の上に 、 第 5 図に示した中間層
[0313] 5 0 2 と 同様の中間層 1 1 0 2 、 該中間層 1 · 1 0 2 に直
[0314] O PI 接接触した状態に設け られ、 第 7 図に示した光導電層 7 0 3 と 同様の光導電層 1 1 0 3 とで構成される層構成 、を有する。 一 - 第 1 2 図には 、 第 1 1 図に示した光導電部材の層構成 を変形した更に別の実施態様例の構成を説明する為の模 式的構成図が示される。
[0315] 第 1 2 図に示される光導電部材 1 2 0 Q は 、 光導電層 1 2 0 3 の上に 、 中間層 1 2 0 2 と 同様の機能を有する 上部層 1 2 0 5 を設けた ¾外は 、 第 1 1 図に示す光導電 部材 1 1 0 0 と 同様の層構造を有する も のであ る。
[0316] 即ち 、 光導電部材 1 0 0 は 、 支持体 1 2 0 1 の上に 中間層 1 1 0 2 と 同 ¾の材料で同様の機能を有する様に 形成された中間層 1 2 0 2 と'、 第 7 図に示した光導電層 7 0 3 と 同様に必要に応 じて水素原子 （ H ) が導入され ている a — ： Xで構成される光導電層 1 2 0 3 と 、 該 光導電層 1 2 0 3 上に設け られ、 自 由表面 1 2 0 4 を有 する上部層 1 2 ·0 5 を具備している'。 ·
[0317] 上部層 1 2 0 5 は 、 例えば ¾導電部材 1 2 0 (3 を 自 由 表面 1 2 0 4 に帯電処理を ¾して電荷像を形成する場合 の様る使い方をする際、 自 由表面 1 2 0 4 に保持される 可き 電荷が光導電層 1 2 0 3 宁に流入する のを阻止し 、 且つ、 電磁波の照射を受けた際には 、 光導電層 1 2 0 3 中に発生したフ 才 卜 キャ リ ア と 、 電磁波の照射を受けた 部分の帯電々 荷とが リ コ ン ビ ネ ー シ ョ ン を起す様に 、 フ 才 卜キャ リ ア の通過又は帚電々 荷の通過を容易に許す檨 能を有する。
[0318] 上部層 1 2 0 5 は 、 これま での実施態様例で示 し てき た上部層 と 同様に 、 中間層 1 2 0 2 と 同様の特性を有 し 、 必要に応 じて水素原子 （ H ) を含む a— （ 一 _x ) y : X 1- _y で構成される他 、 a — & _a C i一 _a 、 a — （& _a C i- _a ) b : H i— b 、 a - ( 5t _a C i_ _a ) b ^: ( H + X ) i— b 、 a -Si _c 0 i_ _c . a - ( S" O i— _c ) d : H i一 d 、 a - ( 5t c 0 i_ c ) d ： (H+X) i-d、 a -^ e N i- e 等の光導電層を構成する母体原子であ る シ リ コ ン原子 （ ） と 炭素原子 （ C ) 又は酸素原子 ( 0 ,) と で構成されるか、 又は これ等の原子を母体 と し水素原 子 （ H ) 又は Z及びハ ロ ゲ ン原子 （ X ) を含むァ モ ル フ ァ ス材料、 或いは 3 0 3 等の無機絶緣性材料、 ポ リ エ ス テ ノレ 、 ポ リ ノ °ラ キ シ リ レ ン 、 ポ リ ウ レ タ ン等の有機絶 缘性材料で構成する こ と も 出来る。
[0319] 本発明に於ける光導電層部材の光導電層の層厚と して は 、 読取装置 ， 固体撮像装置或いは電子写真用像形成部 材等の適用する も のの 目 的に適合されて所望に従って宼 宜決定され る 。
[0320] 本発明に於いては 、 光導電層の層厚 と しては 、 光導電 層の機能及び中間層の璣能が各々 有効に活されて本発明 の 目 的が効果的に達成される様に 中間層 と の層厚関係に 於いて適宜所望に従って決め られる も の であ り 、 通常の 場合、 中間層の層厚に対し て数百〜数千倍以上の層厚 と される のが好ま しい も のであ る。
[0321] 具体的な値と しては 、 通常 1 〜 1 0 0 、 好適には 2 〜 5 0 の範囲 と されるのが望ま しい。
[0322] 本発明に於いて光導電層上に設け られる上部層を構成 する材料の選択及びその層厚の決定は 、 上 層側 よ り 光 導電層の感受する電磁波の照射する様にして光導電部材 を使用する場合には 、 照射される電磁波が光導電層に充 分量到達して 、 効率良 く 、 フ ォ ト キャ リ ア の発生を引起 させ得る様に注意深 く 成される。
[0323] 本発明に於ける上部層の層厚 と しては 、 前述 した機能 が充分発揮される よ う に 、 層を構成する材料、 層形成条 件等に よって所望に従って適宜決定され る。
[0324] 本発明に於ける上部層 2 0 5 の層厚と しては 、 通常の 場合、 3 0 〜 1 0 0 0 Α 、 好適には 5 0 〜 § 0 O A と さ れる のが望ま し'い も のであ る。 ，
[0325] 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材 と して使 用する場合に あ る種の電子写真プ ロ セ ス を採用する ので あれば、 第 1 図乃至第 1 2 図に示される層構成の光導電 部材の 自 由表面上に更に表面被覆層を設ける必要があ る この場合の表面被覆層は 、 例えば、 US P3666363 号公 報、 U S P 3 73 46 0 9 号公報に記载されている N P 方式 の様な電子写真プ ロ セスを適用するのであれば、 電気的 絶緑性であって 、 帯電処理を受けた際の静電荷保持能が 充分あって 、 あ る程度以上の厚みがあ る こ と が要求され るが、 例えばカ ール ソ ン プ ロ セ ス の如き電子写真プ ロ セ スを適用する のであれば 、 静電像形成後の明部の電位は 非常に小さ い こ とが望ま しいので表靣被覆層の厚さ と し ては非常に薄い こ と が要求される。 表面被覆層はその所 望される電気的特性を満足するのに加えて 、 光導電層又
[0326] 、は上部層に化学的 · 物理的に悪影響を与え ¾い こ と 、 光 導電層又は上部層 と の電気的接触及び接着性 、 更には耐 湿性 、 耐摩耗性 、 ク リ ー ニ ン グ性等を考慮し て形成され る o
[0327] 表面被覆層の形成材料 と して 有効に 使用 される も の と して 、 その代表的な も のは 、 ポ リ エ チ レ ン テレ フ タ レ ー 卜 、 ポ リ カ ーボ ネ ー 卜 、 ポ リ プ ロ ピ レ ン 、 ポ リ 塩化ビ ニ ル 、 ポ リ 塩化ビ ニ リ デ ン 、 ポ リ ビ ニ ル ア ル コ ー ル 、 ポ リ ス チ レ ン '1、 リ ア ミ ド 、 ポ リ 四 弗化 工 チ レ ン 、 ポ リ 三弗化塩化 エ チ レ ン 、 ポ リ ^ 化 ビ ニ ル リ 弗化 ビ ニ リ デ ン /ヽ弗化 プ ロ ピ レ ン 一 四 弗ィヒ ェ チ レ ン コ ポ リ マー 、 三 ^化工 チ レ ン 一 ¾ 化 ビ ニ ル デ ン コ ポ リ マ ー 、 ポ リ ブデ ン 、 ポ リ ビ 二 ル ブ チ ラ ー ル、 ポ リ ウ レ タ ン 、 ポ リ パラ キ ジ リ レ ン 等 の 有 ¾铯縁体、 シ リ コ ン窒化物、 シ リ コ ン 酸 化 物等 の ^檨 潆 体 等 が挙げ られる。 これ らの合 成 .樹 脂 又は セ ル ロ ー ズ 誘 導体は フ イ ル ム状 と されて光導電履'又は上部層の上に貼 合されて も 良 く 、 又、 それ等の塗布液を形成し て 、 光 導電層又は上部層上に塗布し 、 'i形成 し て も 良い。 表面 ¾ ¾層の層厚は 、 所望される特性に応 じて 、 又、 使用さ れる材質に よって適宜:夹定さ れ るが 、 通常の 合 0 . 5〜 7 0 程度 と され る。 殊に表面 ¾ ¾層が先述した保護層 と しての機能が要求される場合には 、 通常の 合 1 0 β 以下 と され、 逆に電気的絶縁層 と しての機能が要求され る場合には 、 通常の場合 1 0 A 以上と される。 而乍 ら 、
[0328] 、 この保護層 と 電気的絶緣層 と を差別する層—厚は、 使用材 料及び適用される電子写真プ ロ セス 、 設計される像形成 部材の構造に よって 、 変動する も ので、 先の 1 0 ί とい う値は絶対的な も のでは い。
[0329] 又、 この表面被覆層は 、 反射防止層 と しての役 目 も荷 わせれば 、 その機能が一層拡大されて効果的と な る。
[0330] 以上 、 具体的な例を:挙け'て詳述された様な層構成を取 る様に し て設計された本発明の光導電部材は 、 前記した 諸問題の総てを解決し得、 極めてす ぐれた電気的 · 光学 的 · 光導'電的特性及び使用環境特性を示す。
[0331] 殊に 、 電子写真用像形成部材或いは撮像装置 と し て適 用させた場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け 、 画 像形成への残留電位の影響が全 く く 、 多湿雰囲気中 ？ も その電気的特性が安定してお り高感度で、 高 S Ν比を 有する も のであって、 耐光疲労、 繰返し使周 に著し く 長け、 更に電子写真用像形成部材の場合には漫度が高 く 、 ハー フ ト ー ンが鲜明に 出て 、 且つ鹡像度の高い、 高品質 の可視画像を得る事が出来る。
[0332] 又、 電子写真用像形成部材に適用させる場合 、 高暗抵 抗の a — ： H及び a - ： Xは光感 gが低 く 、 逆に光 感度の高い a — ： H及び a — ： Xは晴 ¾抗が 1 0 ⁸ il cm前後 と低 ぐ 、 いずれの場合に も 、 ¾来の層構成の光 導電層のま ま では電子写真用の像形成き3 *†には充分適用
[0333] OMFI されな かったのに対して 、 本発明の場合には比較的低抵 抗 （ 5 X 1 0 ⁹ Ω τζ以上 ） の a — Si H 又は a — ： X でも 電子写真用の光導電層 構成する こ と ができ る ので 抵抗は比較的低いが高感度である a 一 Si ： H及び a - Si : X も 充分使用し得 、 a — ： H及び a — ： Xの特性 面か らの制約が軽減され得る。
[0334] 実施例 1
[0335] 完全に シ ー ル ドされた ク リ ー ン ル ー ム中に設置された 第 1 3 図に示す装置を用い 、 以下の如き 操作"に よって電 子写真用像形成部材を作製した。
[0336] 表面が清浄に された 0.5 鄉 厚 1 O OT角のモ ル ブデ ン板 ( 基板 1 3 0 2 をグ ロ 一放電堆積室 1 3 D 1 内の所定 位置に あ る固定部材 1 3 0 3 に堅固に固定 した。 タ ー ゲ ッ 卜 1 3 0 5 は高純度多結晶 ( 9 9 -9 9 9 ) であ る _t 基板 1 3 0 2 は、 固定部材 1 3 0 3 内の加熱ヒ ー タ ー 1 3 0 4 に よって ± 0.5 C の精度で加熱さ れる 。 温度は 熱電対 （ ア ル メ ル一 ク ロ メ ル ） に よって ¾板裏面を直接. 測定される よ う に . された。 次いで系内の全バルブが閉 じ られてい る こ と を確認 して力 ら メ イ ン ノ、'ルブ 1 3 1 2 を全開 し て、 室 1 3 0 1 内が排気され 、 約 5 X 1 0一⁶ Torr の真空度に した。 その後 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 の入力 電圧を上昇させ、 モ リ ブデ ン基板温度を検知し なが ら入 カ電 EEを変化させ、 2 0 0 C の一定値に る る ま で安定さ せた。
[0337] その後、 補助バル ブ 1 3 0 9 、 次いで流出バ ルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 、 1 3 3 1 、 1 3 3 7 、 及び流入バ ルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を全開し フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 1 4 、 1 3 2 0 、 1 3 3 2 、 1 3 3 8 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補助バ レブ 1 3 0 9 、 バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 、 1 3 3 1 、 1 3 3 7 ,
[0338] 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を各 々 閉 じた 後、 N ₂ ガス （ 純度 9 9.9 9 9 ^ ) ボ ン べ 1 3 3 6 の ノ ルブ 1 3 3 5 及び Ar ガ ス （ 純度 9 9-9 9 9 ) ボン べ
[0339] 1 3 4 2 のノ ルブ 1 3 4 1 を開け 、 出 口 BEゲー ジ 1 3 3 4 1 3 4 0 の £を 1 / cm ² に調整し 、 流入ノ ルブ 1 3 3 3 1 3 3 9 を除 々 に関けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 3 1 、
[0340] 1 3 3 8 内へ N ₂ ガ ス 、 Ar ： ^ス を流入させた。 引続い て、 流出バルブ 1 3 3 1 、 1 3 '3 ァ を涂々 に関け、 次い で補助バルブ 1 3 0 9 を除 々 に開けた。 こ の ^ N ₂ ガス 流量 と Ar ガ ス流量の比が 1 ： 1 と る る よ う に流入バル ブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を調節 した。
[0341] 次に ビラニ ーゲー ジ 1 3 0 1 の読みを注視し が ら補 助ノ ルブ 1 3. 0 3 の開 口 を調整し 、 室 1 3 1] 1 内が 5 x
[0342] 1 0~⁴ Torr に な る ま で補助バルブ 1 3 0 9 を関けた。
[0343] 室 1 3 0 1 内圧が安定してか ら 、 メ イ ン ノ ルブ 1 3 1 2 を 徐 々 に閉 じ 、 ビラ二一ゲー ジ 1 3 1 0 の指示力 s i x
[0344] 1 0一² Torr に な る ま で開口 を絞った。 ガス流入が安定 し内圧が安定する のを確認し 、 さ らに シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を関 と した後 、 続いて高局波電源 1 3 0 8 のス ィ ッ チを 0 N状態に して 、 シ リ コ ン タ ーゲッ ト 1 3 0 5 および固
[0345] OMPI 定部材 1 3 0 3 間に 1 3.5 6 M H z の高周波電力を投入 し室 1 3 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ、 1 0 0 Wの入 、力電力 と し た。 上記条件で基板上に a — &_X N i— _x を堆 積させる為に 、 1 分間条件を保って中間層を形成した。 その後、 高周波電源 1 3 0 8 を 。 ί ί 状態 と し 、 グロ 一 放電を中止させた。
[0346] 引 き続いて流出ノ ル ブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 、 流入バ ル ブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じ メ イ ン ノ ノレブ 1 3 1 2 を全 開して室 1 3 0 1 内のガ ス を抜き 5 X 1 0一 Torr ま で真 空に した。 その後 、 補助バルブ 1 3 0 9 、 次いで流出バ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を全開 し 、 フ ロ ー メ 一 夕 1 3 3 2 、 1 3 -3 8 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補助バルブ 1 .3 (3 9 、 ノ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を閉 じた後 、 H ₂ で 1 0 vol 稀釈された 5iH₄ ガ.ス （ 以後 &Η ₄ (10)/Η₂ と 略す。 純度 9 9.9 9 9 ） ボン べ 1 3 1 8 の ノ ゾレブ
[0347] 1 3 1 7 、 Η 2 で 5 0 V 01 ppm に稀釈された B ₂H ₆ ガ ス ( 以後 B₂ H₆ ( 5 0 ) Έ.2 と略す。 ） ボ ン べ 1 3 2 4 のゾ ルブ 1 3 2 3 を開け、 出 口王ゲー ジ 1 3 1 S 、 1 3 2 2 の Eを 1 ² に調整し 、 流入バルブ 1 3 1 5 、
[0348] 1 3 2 1 を除 々 に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 1 4 、
[0349] 1 3 2 0 内へ&114 ( 1 0 ) Ή.2 ガ ス 、 B₂ H₆ (50)/H ₂ ガ ス を流入させた。 引き いて 、 流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 を除 々 に開け 、 /文いで補助バ ルブ 1 3 0 3 を除 々 に開けた。 こ の時 の ( 1 0 ) ZH₂ ガ ス流量と
[0350] B₂ H₆ ( 5 0 ) ΖΗ₂ ガ ス流量比が 5 0 ： 1 に る よ う に 流入バルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を調節した。 次に ビ ラ 二 一ゲー ジ 1 3 1 0 の読みを注視しるが ら補助バルブ - 1 3 0 3 の開口を調整し 、 室 1 3 0 1 内が—i X I 0一² Torr に な る ま で補助バルブ 1 3 0 9 を'開けた。
[0351] 室 1 3 0 1 内圧が安定してから 、 メ イ ン ノ ルブ 1 3 1 2 を除々 に閉 じ、 ピラ ニ ーゲー ジ 1 3 1 0 が 0 -5 Torr に る ま で関口 を絞った。
[0352] シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を閉 じ、 ガス流量が安定し 、 内圧 が安定するのを確認した後、 高周波電源 1 3 0 8 の ス ィ ツチを O N状態に して電極 1 3 0 3 、 1 3 0 7 間に
[0353] 1 3.5 6 MH z の高周波電力を投入し室 1 3 (3 1 内にグ ロ ー放電を発生させ、 1 0 Wの入力電力 と した。 グロ 一 放電を 3 '時間持続させて光導電層を形成した後、 加熱ヒ 一タ ー 3 0 4 を o f f 状態に し 、 高周波電源 1 3 0 8 も o f f 状態と し 、 基板温度が 1 0 0 Cにな る のを待って か ら流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 及び流入バルブ
[0354] 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を閉 じ、 メ イ ンノ ルブ 1 3· 1 2 を全 開 して、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以下に した後、 メ イ ンノヽ'ルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー クノ ルブ 1 3 1 1 に よって大気圧 と して基板を と り 出 した。 この 場合 、 形成された層の全厚は約 9 であった。 こ う し て 得 られた像形成部材を 、 帯電露光実験装量に設置し 、 Θ 6.0 KV で 0.2 sec間コ ロ ナ帝電を行 ¾い 、 直 ちに光像 を照射した。 光像は タ ングス テ ン ラ ンプ光源を用い 、 1.0 lux -sec の光量を透過型のテス 卜 チ ヤ一 ト を通して 照射させた。
[0355] その後直 ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナ ー と キ ャ リ ア 、 一を含む ） を部材表面に カ ス ケ一 ドする こ と に よ って 、 部材表面上に良好 ¾ ト ナ ー画像を得た。 部材上の ト ナ ー 画像を 、 @ 5.0 KV の コ ロ ナ帯電で転写紙上に転写した 所、 解像力に優れ 、 階調再現性の よい鋅明る高濃度の画 像が得 られた。
[0356] 次に上記像形成部材に就て 、 帯電露光実験装置で
[0357] θ 5-5 KV で、 0.2 sec間の コ ロ ナ帝電を行い 、 直ちに 0.8 lux · sec の光量で、 画像露光を行い 、 その後直 ちに
[0358] Θ荷電性の現像剤を部材表面に カ ス ケー ド し 、 次に転写 紙上に転写 · 定着した と こ ろ 、 極めて詳明 ！：像が得 ら れた。 ·
[0359] この結果と 先の結杲 と から 、 本実旌例で得 られた電子 写真用像形成部材は 、 帯電極性に対する依存佳が ¾ ぐ 、 両極性像形成部材の特 '性を具備し ている こ と が判った。
[0360] 実'施例 2 .
[0361] モ リ ブデン基板上に中間層を形成する際のス ノ、。ッ タ リ ン グ時間を下記第 1 表に示す様に種 々 変化させた以外は 実施例 1 と 全 く 同様の条件及び手順に って試料^ A 1 〜 A 8 で示される像形成部材を作製し実 ¾ 1 と全 く 同 様の帯電露光実験装置に設置 して同様の画像 ¾成を行 つた と こ ろ 、 下記の表に示す如 き 拮杲を得た。
[0362] 第 1 表に示される結杲か ら判る様に本癸明の 目 的を達 成する には a — _x N ,一 _x で構成される 中間 ¾の層厚を
[0363] ΟλίΡΙ 3 0 A o o o A の範囲で形成する必要があ る
[0364] 評価基準
[0365] ◎優 〇良 実用上使用 し得る
[0366] X 不可
[0367] 中間層の堆積速度 1 A / sec
[0368] 実施例 3
[0369] モ リ ブデン基板上に中間層を形成する際に N 2 ガス と Ar if ス の流量比を下記の第 2 表に示す ·様に種々変化さ せた以外は 、 実施例 1 と全 ぐ 同様の条件及び手頋に よつ て試料 >¾ A 9 〜 A 1 5 で示される像形成部材を作成し 、 実施例 1 と全 く 同様の帝電露光実験装置に設置して同様 の画像形成を行なったと こ ろ下記の第 2 表に示す如 き結 杲を得た。 尙、 試料 A 1 1 〜 A 1 5 の中間層のみを才 ー ジ ェ電子分光分析法に よ り 分析した結杲を第 3 表に示 す。 第 3 表に示す結杲か らわかる よ う に本発明の 目 的を 達成する には中間層に ける と Nの組成比に闋係する
[0370] OMPI X を 0.6 0 〜 0·4 3 の範囲で形成する必要があ る。
[0371] 第 2 表
[0372] 実施例 4
[0373] 実施例 1 と 同様の操作に よって モ リ ブデ ン'基板上に a — 5ί _χ N ー _x 'から成る 中間層を設けた。 その後、 流入バ ル ブ 1 3.' 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じ補助ノ ゾレブ.1 3 0 9 、 次 いで流出ノ ル ブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を全開 し 、 フ ロ ー メ 一 夕一 1 3 3 2 、 1 3 3 8 も 十分脱気真空状態に された 補助バル ブ 1 3 0 9 、 ノ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を閉 じ た後、 Η ₂ で 1 0 ν。1 に希^された ( 以後、
[0374] SiKi ( 1 0 ) /Έ.2 と 記す ） ガ ス （ 度 9 9.9 9 9 % ) ボ ン べ 1 3 1 8 のノ ル ブ 1 3 1 7 を関け、 出 口 圧ゲ ー ジ 1··3 1 6 の £を 1 K cm ² に調整し 、 流入ノ ル ブ 1 3 1 5 を除々 に開けて フ ロ ー メ ー タ 一 1 3 Ί 4 内へ Η₄ (10) ¾2 を流入させた。 引続いて 、 流出ノ ルブ 1 3 1 3 を除々 に 開け、 次いで補助バルブ 1 3 0 9 を除々 に開けた。 次に 、ピ ラ ーニゲ ー ジ 1 3 1 0 の続みを注視し な—が ら補助バル ブ 1 3 0 3 の開口 を調整し 、 室 1 3 0 1 内力； 1 X I 0一² Torr に る ま で補助バルブ 1 3 0 9 を開けた。 室
[0375] 1 3 0 1 内圧が安定してから 、 メ イ ンバルブ 1 3 1 2 を 除 々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ーゲー ジ 1 3 1 0 の指示カ 0-5 Torr に な る ま で開 口を絞 た。 ガス流入が安定し内 Eが安定 するのを確認し シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を閉 と し 、 ^いて高 周波電源 1 3 0 8 のス ィ ッ チを O N状態 して 、 電極
[0376] 1 3 0 7 、 1 3 0 3 間に 1 3.5 6 MH z の高周波電力を 投入し室 1 3 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ、 1 0 Wの 入力電力 と した。 グ ロ 一放電を 3 時間持続させて光導電 層を形成 した後 、 加熱ヒ ー タ ー 1 3 0 4 を o f f 状態に し 、 高周波電源 1 3 0 8 も o f f状態 と し 、 基板温度が 1 0.0 Cに な るのを待ってか ら流出バルブ 1 3 1 3 及び流入バ ルブ 1 3 1 · 5 を閉 じ、 メ イ ンノ ル - 1 3 1 2 を全開にし. ' て、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以下 ^ した後 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 內を リ ー ク バルブ
[0377] 1 3 1 1 に よって大気圧と して基 取 り 出 した。 この 場合 、 形成された層の全厚は約 9 であった。 こ う して 得 られた像形成部材を 、 実施例 1 と 同様の手疆に従い耘 写紙上に画像形成した と こ ろ 、 ㊀コ ロ ナ放電を行って画 像形成 した方が、 コ ロ ナ放電を行って画像形成した よ り も その画質が優れてお り 、 極めて ^ ¾であった。 この PI 一 —
[0378] 結果よ り 本実施例で得 られた像形成部材には帯電極性の 依存性が認め られた。
[0379] 実施例 5 . 一
[0380] 実施例 1 と 同様な条件及び手順に よってモ リ ブデン基 板上に 1 分間の中間層の形成を行った後、 堆積室内を 5 X 1 0一⁷ Tor r ま で排気して ( 1 0 ) /H₂ ガ ス を実 施例 1 と 同様の手順で室内に導入した。 その後 H ₂ で 2 5 vo l ppm に稀釈した P H ₃ (以後 P H₃ ( 2 5 ) Ή ₂ と 記す ） ガスボンベ 1 3 3 0 か ら流入ノヽ'ルブ 1 3 2 7 を通 じて 1 ¾T Z CTZ 2 のガス圧 （ 出 口 Eゲ ー ジ 1 3 2 8 の読み ） で流入バルブ 1 3 2 7 、 流出ノ ルブ 1 3 2 5 の調整に よ つて フ ロ ー メ ー タ-一 1 3 2 6 の読みが ·¾Η₄ ( 1 0 ) /Έ.2 ガスの流量の 1Z50 に る様に流出ノ、'ルブ 1 3 2 5 の開 口 を定め、 安定化させた。
[0381] 引 き続 き 、 シャッ タ ー 1 3 0 7 を閉 と して再び高周波 電源 1 3 0 8 を O N状態に し て 、 グロ 一放電を再開させ た。 その と き の入力電圧を 1 0 Wに した。 こ う してグロ ' 一放電を更に 4 時間持続させて光導電層を形成 した後、 加熱 ヒ ータ ー 1 3 0 4 を 。 ί f 状態に し 、 高周波電源
[0382] 1 3 0 8 も of f 状態 と し基板温度が 1 0 0 C る る のを 待ってから流出ノ ルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 5 及び流入バ ル ブ 1 3 1 5 、 1 3 2 7 を閉 じ 、 メ イ ンノ ルブ 1 3 1 2 を 全開に して 、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以下に した後 、 メ イ ン ノ ルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ーケバル ブ 1 3 1 1 に よ って大気圧 と して基 ¾を取 り 出 し た。 こ の場合、 形成された層の全厚は約 1 1 " であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実旖例 1 と 同様の条件及び 手順で転写紙上に画像形成'し，た と こ ろ Θコ -ロナ放電を行 つて画像形成した方が 、 ④コ ロ ナ放電を行って画像形成 した よ り も その画質が優れてお り Sめて鮮明であった。 この結果よ り 本実施例で得 られた像形成部材には帯電極 性の依存性が認め られた。
[0383] 実施例 6
[0384] 実施例 1 と 同様の条件及び手順に よってモ リ ブデン基 板上に 1 分間の中間層の形成を行った後 、 堆積室内を 5 X 1 0~⁷ Torr ま で排気して ( 1 0 ) /H₂ ガスを実 施例 1 と 同様の手順で室内に導入 した。 その後 H ₂ で
[0385] 5 0 vol ppmに稀釈した B₂ H₆ 後 B 2 H₆ ( 50 ) /H₂ と 記す ） ガ スボンベ 1 3 2 4 から渡入ノ ルブ 1 3 2 1 を 通 じて 1 cm のガ ス E ( 出 口 Eゲー ジ 1 3 2 2 の読 み ） で流入バルブ 1 3 2 1 、 流出ノ ルブ 1 3 1 9 の調整 に よってフ ロ ー メ ー タ ー 1 3 2 0 の読みが ( 1 0 )/ H 2 ガ ス流量の 1Z10 にな る様に ¾出ノ ルブ 1 3 1 3 の 開口を定め 、 安定化させた。
[0386] 引き続き 、 シャッ ター 1 3 0 7 を閉 と して再び高周波 電源 1 3 0 8 を O N状態に して 、 グロ 一放電を再開させ た。 その と き の入力電力を 1 0 Wに した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光導電層を形成した後、 加熱ヒ ーター 1 3 0 4 を of f 状態 し 、 高周波電源
[0387] 1 3 0 8 も of f 状態 と し 、 基 ¾ΐ 度が 1 0 0 Cに る るの
[0388] __CMPI - - を待ってから流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 及び流入バ ルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を閉 じ 、 メ イ ン ノ、'ゾレブ 1 3 1 2
[0389] —5
[0390] を全開に して 、 室 1 3 0 1 を 0 To 以下に した後 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク バル ブ 1 3 1 1 に よ って大気 EEと し て各層の形成された基板 を取 り 出 した。 この場合 、 形成された層の全厚は約 1 0 であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実施例 1 と 同様の条件及び手 '順で転写羝上に画像を形成した と こ ろ 、 @コ ロ ナ放電を行って画像形成した よ り も その画質 が優れてお り 極めて鮮明であった。 こ の拮杲 よ り 本実施 例で得 られた像形成部材には帯電 @ の依存性が認め ら れた。 而し 、 その帯電極性依存性は実旖例 4 、 5 で得 ら れた像形成部材と逆であった。
[0391] 実施例 7
[0392] 実施例 1 と 同様な条件及び手順に よ って、 モ リ ブデ ン 基板上に 1 分間の中間層の形成、 5 時間の光導電層の形 成を行った後 、 高周波電源 1 3 0 8 を o f f 状態 と し てグ ロ ー放電を中止させた状態で流出バルブ 1 3 1 3 、
[0393] 1 3 1 9 を閉 じ、 そし て再び流出ノ ルブ 1 3 3 1 、
[0394] 1 3 3 7" を開 き シ ャ ツ 夕 一 1 3 0 7 を関いて 中間層の形 成時 と 同様の条件に な る よ う に した。 弓 isr $m is- 再び高周 波電源を O N状態に し てグ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力 も 中間層形成時 と 同様の 1 0 0 W と した。 こ う してグ ロ 一放電を 2 分間持続させて光導電層上に上 部層を形成した後 、 高周波電頹 1 3 0 8 も 0 ί f 状態 と し 、
[0395] _ O PI 基板温度カ 1 0 0 Cにな るのを待ってから流出ノ、'ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 及び流入ノ ルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じ、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を全開に し—て 、 室内を
[0396] 1 0"⁵ Torr 以下に した後、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク ノ、'ルブ 1 3 1 1 に よって大気 Ε と して各層の形成された基板を取 り 出 した。
[0397] こ う して得 られた像形成部材を実施例 1 と 同様の帯電 露光実験装置に設置し 、 ® 6·0 :ν で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯 電を行い、 直ちに光像を照射した。 光像は タ ン グス テ ン ラ ン プ光源を用い 、 1.0 lux 'secの光量を透過型のテ ス ト チヤ一 ト を通して照射させた。
[0398] その後直ちに 、 Θ荷電性'の現像剤 （ トナー と キヤ リ ャ 一を含む ） を部材^面に カ ス ケ ー ドする こ と に よって 、 部材表面上に良好な ト ナー画像を得た。 部材上の トナー 画像を 、 © 5.0 KV の コ ロ ナ帯電で耘写紙上に転写した 所、 解像力に優れ、 階調再現性の よい鋅明る高濃度の画 像が得 られた。
[0399] 実施例 8
[0400] SiH₄ ( 10 ) ZH₂ ガ ス ボン ベ 1 3 1 8 を稀釈されてい ¾ぃ _la₂ B：6 ポ ン べ 、 H 2 で 5 0 vol ppm に稀釈された B₂ H₆ ( 以後 B₂ H₆ ( 50 ) Ή₂ と 記す ） ガ ス ボ ン ベ
[0401] 1 3 2 4 を Η ₂ で 5 0 0 v。l ppm に稀釈された B₂ H₆ ( 以後 B₂ H₆ ( 50 0 ) /Έ.2 と記す ） ガ ス ボ ン ベ に変えた 以外は 、 実施例 1 と 同様の条件及び手順に よ っ て中間層、 光導電層を モ リ ブデン基板上に形成した後堆積室 1301 外に取 り 出 し実施例 1 と 同様に帯電露光の実験装置に静 置し て画像形成の試験を した所 、 Θ 5.5 Κν の コ ロ ナ放 、電、 ®荷電性現像剤の組み合せの場合及び 6.0 Κ V の コ ロ ナ放電 、 Θ荷電性現像剤の組み合せの場合に 、 極め て良質の コ ン ト ラ ス ト の高い ト ナー画像が ¾写弒上に得 られた。
[0402] 実施例 9
[0403] 実施例 1 と 同様の操作、 条件にて光導電層ま でを形成 した像形成部材を 9 個形成 した。 その後各光導電層 ±に 上部層を第 4 表に示す如き 条件 （ Α〜 Ι ) で各々形成し 、 各々 の上部層を有する像形成部材を 9 個 （ 試料 No s. 1 6 〜 2 4 ) 作成 した。
[0404] 尙、 ス ノ、。 ッ タ リ ン'グ法に て上部層 A を形.成する 際には タ ーゲッ 卜 1 3 0 5 を多結晶 シ リ コ ン タ ーゲッ 卜上に部 分的にグ ラ フ アイ 卜 タ ーゲ ッ トが積層された も の、 上部 層 E を形成する際 は タ ーゲ ッ ト を & ₃ N ₄ タ ーゲッ ト に 、 Ar ガス ボンベ 1 3 4 2 を Ar で 5 0 % に稀釈され た N 2 ガスボンベに変えた。
[0405] 又、 グ ロ —放電法にて上部層 B を形成する際には
[0406] B 2 H 6 ( 5 0 ) /Έ.2 ガ ス ボン ベ 1 3 2 4 を H ₂ で 1 0 vol に稀釈された C₂ ガ ス ボン ベに 、 上部層 C を形 成する際には B₂ H₆ ( 5 0 ) /Έ.2 ガ スボン ベ 1 3 2 4 を H 2 で 1 0 V。 1 に ¾釈さ れた & ( C H₃ ) 4 ボンベに 、 上部層 D を形成する 際 ':ては上部層 B の形成の際 と 同様に B₂ H₆ ( 5 0 ) /H₂ ガ ス ボ ン ベ 1 3 2 4 を C₂ H4 ガスボ
[0407] ΟΜΡΙ ンべに 、 P H₃ ( 2 5 ) Έ.2 ガ ス ボ ン ベ 1 3 3 0 を 、 H ₂ を 1 0 vol 含む ·¾Η 4 ガスボンベに 、 上部層 F 、 G を 形成する際には P H₃ ( 2 5 ) /H₂ ガスボンベ 1 3 3 0 を
[0408] H 2 で 1 0 vol に稀釈された NH₃ ガスボンベに 、 上 部層 H 、 I を形成する際は PH₃ ( 2 5 ) /H₂ ガスボンべ
[0409] 1 3 3 0 を H ₂ を 1 0 vol 含む SIF^ ガスボンベに 、 B₂ ,H₅ ( 5 0 ) /Υίζ ガスボンベ 1 3 2 4 を H ₂ で 1 0
[0410] vol に稀釈された NH₃ に夫 々 変えた。
[0411] 実施例 1 と 同様の材料を使用し 、 同様の手法と条件に よ って中間層、 光導電層を形成し 、 各光導電 S上に第 4 表に示す条件で形成された上部層 A〜 I を有する像形成 部材 9 つを各 々実施例 1 と 同様の操作、 条件に 可視画 像形成を行って ¾写紙に転写した と こ ろ、 何れ も帯電極 性に対する依存性がる く 極めて鮮明る ト ナー像が得 られ た ₀
[0412] 実施例 1 0
[0413] あ ら：^ じめ 、 多結晶 タ ーゲッ トを ₃ N4 .タ ーゲッ ト に変えた上で実施例 1 と 同様な条件及び手順に従い中間 層を形成し 、 さ らに実施例 1 と 同様に.して光導電層を形 成した。
[0414] その後 、 光導電層上に形成する上部層を実 ¾例 9 と 同 様に して形成'した後 、 箅 4 表に示す上部層 A〜I を有する 像形成部材 6 枚を各 々実旌例 1 と 同様の操作、 条件にて 像形成を行って fe写紙に ¾写した と こ ろ何れ も 帯電極性 に対する依存性が ぐ 極めて餑明 ト ナー像が得 られた。
[0415] REA OMPI 4 f
[0416] 実施例 1 1
[0417] 完全に シ ール ドされたク リ ー ン ル ー ム中に設置された 第 4 図に示す装置を用い、 以下の如き操作^: よって電子 写真用像形成部材を作製した。
[0418] 表面が清浄にされた 0.5 厚 1 O CTI角のモ リ ブデン板 ( 基板 ） 1 4 0 9 を支持台 1 4 0 2 上に静置されたグ ロ 一放電堆積室 1 4 0 1 内の所定位置にあ る固定部材
[0419] 1 4 0 3 に堅固に固定した。 基板 1 4 0 9 は 、 固定部材 1 0 3 内の加熟ヒ ー タ ー 1 4 0 8 に よって士 0.5 Cの 精度で加熱される。 温度は 、 熱電対 （ アル メ ル ー ク ロ メ ル ） に よって基板裏面を直接測定される よ う に る された 次いで系内の全バルブが閉 じ られている こ と を確認して から メ イ ン バルブ 1 4 1 0-を全開 して 、 室 1 4 0 1 が排 気され 、 約 —6
[0420] 5 X 0 To の真空度に した。 その後 ヒ 一 夕一 1 4 0 8 の入力電 Eを上昇させ、 モ リ ブデ ン基板 温度を検知しながら入力電 Eを変化させ、 2 0 0 の一 定値に ¾ る ま で安定させた。 .
[0421] その後 、 補助バルブ 1 4 4 0 、 次いで流出バルブ
[0422] 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 7 、 及び流入ノ ルブ 1 4 2 0 - 2 、 1 2 1 , 1 4 2 2 を全開 し 、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 4 1 7 、 1 1 8 内 も 十分脱気真空状態に された。 補助バルブ 1 4 1 0 ノ ' ゾレブ 1 4 2 5 、
[0423] 1 4 2 6 、 1 4 2 7 、 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 、
[0424] 1 4 2 2 を閉 じた後 、 H ₂ で 1 0 vol に稀釈された SiE₄ ガ ス （ 以後 ( 1 0 ) ZH₂ ·-と略す。 純度 一 —
[0425] 9 9.9 9 9 % ) ボ ン べ 1 4 1 1 のノヽ'ルブ 1 4 3 0 、 N ₂
[0426] ( 純度 9 9 · 9 9 9 ) ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 2 のバル ブ
[0427] 1 4 3 1 を開け、 出 口 Eゲ ー ジ 1 4 3 5 、 — 1 4 3 6 の圧 を 1 K ZOT² に調整し 、 流入バルブ 1 4 .2 0 — 2 、
[0428] 1 4 2 1 を徐々 に開けてフ ロ ーメ ー タ ー 1 4 1 δ 、
[0429] 1 4 1 7 内の ( 1 0 ) / 2 ガ ス Ν ₂ ガスを流入させ た。 引続いて 、 流出バル ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 を徐 々 に 開け、 次いで補助バルブ 1 4 4 0 を徐 々 に開けた。 こ の
[0430] と き ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス流量と Ν ₂ ガ ス流量比が 1 ：
[0431] 1 0 にな る よ う に流入ノ ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を 調整した。 次に ビ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 4 4 1 の読みを注視し なが ら補助バルブ 1 4 4 0 の開 口 を調整し 、 室 1 4 0 1
[0432] 内が 0"² Torr に な る ま で補助バル ブ 1 4 4 0 を 開けた。 室 1 4 0 1 内圧が安定し てか ら 、 メ イ ン バルブ
[0433] 1 4 1 0 を徐 々 に閉 じ 、 ビ ラ 二一ゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示 が 0 · 5 To r r に な る ま で開口 を絞った。 ガ ス流入が安定
[0434] し内圧が安定するのを確認し続いて高周波電源 1 4 4 2
[0435] のス ィ ッ チを O N状態に し て 、 誘導コ イ ル 1 4. 4 3 に 、
[0436] 1 3.5 6 M Hz の高周波電力を投入 し コ イ ル部 （ 室上部 ）
[0437] の室 1 4 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ 3 W の入力電力
[0438] と した。 上記条件を 1 分間保って基板上に a— (^xN!-xjy ： Η ι_ から成る 中間層を形成した。 その後 、 高周波電
[0439] 源 1 4 4 2 を ο ί ί状態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止させた状
[0440] 態で、 流出ノ ルブ 1 4 2 6 を閉 じ、 次に Η ₂ で 5 0 vol ppm に稀釈された B₂ H₆ ( 以後 、 B₂ H₆ ( 5 0 ) /H₂ と
[0441] ΟΜΠ
[0442] , HO - 略す ） ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 3 か ら流入ノ ルブ 1 4 2 2 を通 じて 1 K / OT ² のガ ス E ( 出 口圧ゲ ー ジ 1 4 3 7 の読み で、 流入バルブ 1 4 2 2 、 流出バルブ 1 4— 2 7 の調整に よ ってフ ロ メ ー タ ー 1 4 1 8 の読みが、 H 4 ( 1 0 ) /Έ.2 ガスの流量の 1Z50 にな る様に流出バルブ 1 4 2 7 の鬨 口 を定め、 安定化させた。
[0443] 引き続き 、 再び高周波電源 1 4 2 を O N状態にして
[0444] グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W
[0445] に した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 3 時間持続させて光 導電層を形成した後 、 加熟ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を of f 状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 ¾ of f 状態 と し 、 基板温度が
[0446] 1 0 0 Cに な る のを待ってか ら流出バルブ 1 4 2 5 、
[0447] 1 4 2 7 及び流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 2 を閉 じ メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を全開 して、 室 1 4 0 1 内を
[0448] 1 0一⁵ T。rr 以下に した後、 メ イ ン バルブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー ク ノヽ'ルブ 1 4 4 4 に よって大気 E
[0449] と して各層の形成された基钣を取 り 出 した。 こ の場合、 形成された層.の全厚は約 9 であった。 こ う して得 られ た像形成部材を 、 带電露光実験装置に設置し 、 Θ 6.0
[0450] KV で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電を行い 、 直ちに光像を照射し た。 光像は 、 タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光瘃.を用い 、 1.0
[0451] lux ' sec の光量を透過型のテ ス 卜 チ ヤ 一 卜を通して照射 させた。
[0452] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナ ー ·と キ ヤ' リ ア
[0453] 一を含む ） を部材表面に カ スケー ドする こ と に よって 、
[0454] C':、.i I 部材表面上に良好な ト ナ ー画像を得た。 部材上の ト ナ ー 画像を 、 © 5.0 KV の コ ロ ナ帯電で ¾写紙上に転写した 所、 解像力に優れ 、 階調再現性の よ い餘明 高濃度の画 像が得 られた。
[0455] 次に上記像形成部材に就て 、 帯電露光実験装置で
[0456] Θ 5.5 ΚΥ で、 0.2 sec間の コ ロ ナ帯電を行い、 直 ちに
[0457] 0.8 lux 'secの光量で、 画像露光を行い 、 その後直 ちに④ 荷電性の現像剤を部材表面に カ ス ケ一 ド し 、 次に 耘写紙 上に耘写 · 定着した と こ ろ 、 極めて鮮明 画像が得 られ た。
[0458] こ の結果と先の結果か ら 、 本実施例で得 られた電子写 真用像形成部材は 、 帯電極性に対する依存'性が ¾ く 、 両 極性像形成部材の特性を具備してい る こ と が判った。
[0459] 実施例 1 2
[0460] モ リ ブデン基板上に 中間層を形成する際のグ ロ 一放電 保持時間を 、 下記の第 5 表に示す様 、 種 々 変化させた 以外は 、 実施例 1 1 と全 く 同様の条件及び手赝に よって 試料^ B 1 〜 B 8 で示される像形成部材を作成 し 、 実施 例 1 と全 く 同様の帯電零光実験装置 設置し て同様の画 像形成を行った と こ ろ下記の第 5 表 示す如 き結果を得 第 5 表に示され る結果か ら判る様：て本癸明の 目 的を達 成する には 、 中間層の膜厚を 3 ο Α〜 ι 0 0 O Aの範囲 で形成する必要があ る。
[0461] OMFI 5 表 試 料 B1 Β2 Β3 Β4 Β 5 Β 6 Β7 Β8 中間層の形成時間（sec ) 10 30 50 180 420 600 1000 1200 転の 帯極
[0462] Θ 〇
[0463] 写画 電性 ◎ ◎ ◎. 〇 X 像質 θ ◎ ◎ ◎ 〇 X
[0464] ◎ : 優 〇 ： 良 実用上使用 し得る
[0465] X ： 不可 中間層の膜堆積速度 ： 1 AZsec
[0466] 実施例 1 3
[0467] モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成する際の中間層にお ける &H₄ ( 1 0 ) /Έ.2 と N₂ の流量比を第 6 表に示す様 に種 々変化させた以外は 、 実施例 1 1 と全 く 同様の条件 及び手順に よって試料 B 9 〜 B 1 5 で示される像形成 部材を作成し 、 実施例 1 と全 く 同様の帯電露光実験装置 に設置して同様の画像形成を行なった所箅 6 表に示す如 き結果を得た。 尙、 試料^ B 1 1 〜 B 1 5 の中間層のみ をォー ジェ電子分光分析法に よ り 分析した結杲を第 7表 に示す。 第 6 、 7 表に示される結杲から判る様に本発明 の 目 的を達成する には中間層に ける と Nの組成比に 闋係する X を 0.6 0 〜 0.4 3 の範 gで形成する必要があ な 0
[0468] CMFI 6 表
[0469]
[0470] ◎ : 優 〇 ： 良 実用上使用得 る
[0471] κ ： 不可 第 7 表
[0472] y Ν 1— X
[0473]
[0474] 実施例 1 , 4 ·
[0475] 実施例 1 1 と 同様に モ リ ブ デン基板を設置し続いて実 施例 1 1 と 同様の操作に よってグ ロ 一放電维積室 1 401 内を 5 X 1 0一⁶ T。rr の真空 と し 、 基板温度は 2 0 0 Cに保たれ実旌例 1 1 と 同様の操作に よ って棺助バルブ 1 4 0 次いで流出バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 及び 流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を全開 し 、 フ ロ ー メ 一 夕 ー 1 4 1 6 、 1 1 7 内 も 十分脱気真空状態に され た。 補助ノ ル ブ 1 4 4 0 、 バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 0 - 2 、 1 4 2 1 を閉 じた後 、 ( 10 ) /Ή ₂ ガ ス （ 純度 9 9.9 9 9 ) のボン べ 1 4 1 1 のノヽ'ルブ
[0476] 1 3 0 、 ガス ボ ン ベ 1 4 1 2 のノ、'ルブ 1—4 1 1 のバル ブ 1 4 3 0 、 ガ ス ボン ベ 1 4 1 2 のノヽ'ルブ 1 4 3 1 を開 け 、 出 口 Eゲ ー ジ 1 4 3 5 、 1 4 3 6 の Eを 1 Z ² に調整し 、 流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を徐々 に 開けてフ ロ ーメ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 1 7 内へ 5έΗ₄ (10) /Έ.2 ガ ス 、 Ν ₂ ガ スを流入させた。 引続いて 、 流出バ ルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 S を徐々 に開け、 次いで補助バル ブ 1 4 4 0 を徐々 に開けた。 この と き 4 ( 10 ) ΖΗ 2 ガ ス流量と Ν ₂ ガ ス流量比が 1 ： 1 0 にな る よ う に流入 バ.ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を調整 した。 次に ビ ラ 二 一ゲ ー ジ 1 4 1 の読みを注視し ながら補助バル ブ
[0477] 1 4 4 0 の開口 を調整し 、 室 1 4 0 1 が X 0 —2 Torr に な るま で補助ノ ルブ 1 4 4 0 を開けた。 室
[0478] 1 4 0 1 内 Eが安定してか ら 、 メ イ ンバルブ 1 4 1 0 を 徐々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ー ゲー ジ 1 4 4 1 の指示が 0.5 Torr に ¾ るま で開 口 を絞った。 ガス流入が安定し内圧が安定 する のを確認し続いて高周波電源 1 4 4 2 のス ィ ッ チを
[0479] O N状態に して 、 誘導コ ィ ゾレ 1 4 4 3 に 1 3.5 6 MHz の高周波電力を投入し コ イ ル部 （ 室上部 ） の室 1 4 0 1 内にグロ 一放電を発生させ、 3 Wの入力電力と した。 上 記条件を 1 分間保って基板上に a - ( Si^ N i- _x ) _y ： H i- ₇ か ら成る 中間層を形成した。 その後、 高周波電源 1 44 2 を 0 ί f 状態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止させた状態で、 流出 c:.:n バ ルブ 1 4 2 6 を閉 じ 、 引 き続き 、 再び高周波電源
[0480] 1 4 4 2 を O N状態に し て、 グロ 一放電を再開させた。 そのと き の入力電力を 1 0 Wに し た。 こ う—してグ ロ 一放 電を更に 5 時間持続させて光導電層を形.成 した後 、 加熱 ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を 。 f f 状態に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も o f f状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cに な る のを待って か ら流出バルブ 1 4 2 5 及び流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を全開に して、 室 —5
[0481] 1 4 0 1 内を 0 To 以下に した後 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ、 室 1 4 0 1 内を リ ー ク ノ ル ブ
[0482] 1 4 4 4 に よ って大気圧 と して各層の形成された基板を 取 り 出 した。 こ の場合形成された層の全厚は約 1 5- で あった。 こ の像形成部材に就て 、 実施例 1 1 と 同様の条 件及び手順で 写紙上に画像を形成 した と こ ろ 、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形成した方が、 ④コ ロ ナ放電を行つ て画像形成 した よ り も 、 その画質が優れてお り 、 極めて 鮮明であった。 こ の結杲 ょ り本実施例で得 られた感光体 には 、 帯電極性の依存性が認め らた。
[0483] 実施例 1 5
[0484] 実施例 1 1 と 同様 条件及び手順に よ っ て 、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の中間層の形成を行った後、 その後 、 高周波電源 1 4 4 2 を o f f 状態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止 させた状態で、 流出ノ ルブ 1 4 2 S を閉 じ 、 次に H ₂ で 2 5 vo l p pm に稀釈された P H ₃ ガ ス ボ ン ベ （ 以後 、 P H₃ ( 2 5 ) /Ή.2 と略す ） 1 4 1 4 カ4ら流入ノ ル ブ 1 4 2 3 を通 じて 1 cm のガス E ( 出 口 Eゲー ジ
[0485] 1 3 8 の読み ） で 、 流入バルブ 1 4 2 3 、 流出バルブ 1 4 2 8 の調整に よ っ て フ ロ ー メ ー タ ー 1 1 9 の読み カ 、 SiEi ( 1 0 ) /H₂ ガスの流量の 1/5 Ό に る様に流 出バルブ 1 4 2 8 の開 口 を定め 、 安定化させた。
[0486] 引 き続き 、 再び高周波電源 1 4 2 を O N状態に して 、 グロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W に した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光 導電層を形成した後 、 加熱ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を o f f 状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も o f f 状態 と し 、 基板温度が
[0487] 1 0 0 Cに な る のを待ってか ら流出ノ ル ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 8 及び流入ノ ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 3 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を全開に し て、 室 1 4 0 1 内を
[0488] —5
[0489] 0 Torr 以下に し た後、 メ イ ンバルブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー クゾ ルブ 1 4 4 4 に よって大気 E と して基板を取 り 出 した。 この場合 、 形成された層の全 厚は約 1 1 i であった。 こ う し て得 られた像形成部材を 実施例 1 1· と 同様の条件及び手喂で ¾写紙上に画像を形 成 した と こ ろ、 ㊀コ ロ ナ放電を行って画像形成した方が
[0490] ©コ ロ ナ放電を行って画像形成した よ り も 、 その画像が 優れてお り 極めて鮮明であった。 この结杲 よ り 本実施例 で得 られた感光体には 、 帯電 ϋ性の依存性が認め られた _c 実施例 1 6
[0491] 実施例 1 1 と 同様な条件及び手頸に よ って、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の中間層の形成を行った後、 高周波電
[0492] f .^ OMPI 源 1 4 4 2 を o f f状態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止させた状 態で、 流出ノ ルブ 1 4 2 6 を閉 じ、 B₂ H₆ ( 5 0 ) ZH 2 ガ ス ボン ベ 1 4 1 3 か ら流入ノ ル 7' 1 4 1— を通 じて 1 / cm ² のガス E ( 出 口圧ゲー ジ 1 4 '3 7" の読み ） で、 流入バルブ 1 4 2 2 流出ノヽ'ルブ 1 4 2 7 の調整に よ っ て フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 8 の読み力 、 SiKi ( 1 0 ) /H 2 ガ スの流量の 1Z10 にな る様に流出バルブ 1 4 2 7 の開口 を定め、 安定化させた。
[0493] 引き続き 、 再び高周波電源 1 4 4 2 を O N状態に し て 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W に した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 3 時間持続させて光 導電層を形成 した後 、 加熱ヒ ー ー 1 4 0 8 を 。 i f 状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も o f f状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cに な る のを待ってか ら流出バルブ 1 4 2 5 、
[0494] 1 4 2 7 及び流入ノ ルブ 1 4 2 0 、 1 4 2 2 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を全開 し て 、 室 1 4 0 1 内を 10一⁵
[0495] Torr 以下に した後-、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 'を 閉 じ室
[0496] 1 4 0 1 内を リ ー ク バルブ 1 4 4 4 に よって大気 E と し て各層の形成された基板を取 り 出 した。 この場合 、 形成 された層の全厚は約 1 0 であった。 こ う し て得 られた 像形成部材を 、 実施例 1 1 と 同様の条泮及び手頓で耘写 紙上に画像を形成した と こ ろ、 Θコ ロ ナ放電を行って画 像形成 した方が 、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形成 した よ り も 、 その画質が優れてお り 極めて鮮明であった。 こ の 結杲 ょ り 本実旎例で得 られた感光 ^には 、 帚電極性の依
[0497] O PI 存性が認め られた。 而し 、 その帯電極性依存性は 、 実施 例 1 4 、 1 5 で得 られた像形成部材 とは逆であった。
[0498] 実施例 1 7 - - 実施例 1 1 と 同様な条件及び手順に よって、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の中間層の形成、 5 時間の光導電層の 形成を行った後、 高周波電源 1 4 4 2 を 。 f i袂態 と して、 グロ 一放電を中止させた状態で、 流出バルブ 1 4 2 7 を 閉 じ、 そ して再び、 流出バルブ 1 4 2 6 を開き 、 中間層 の形成時と 同様の条件に る よ う にした。 引き続き再び 高周波電源を O N欤態に してグロ 一放電を再開させた。
[0499] その と き の入力電力 も 中間層形成時と 同様の 3 W と した。 こ う してグ ロ 一放電を 2 分間持続させて光導電層上に 、 上部層を形成 した後、 加熱ヒ ー タ ー' 1 0 8 を o f f状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も o f f状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cに な る のを待ってから流出ノヽ'ル ブ 1 4 2 5 、
[0500] 1 4 2 S 及び流入ノ ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を閉 じ、 メ イ ンバ -ルブ 1 4 1 -0 を全開 'に し て、 室 1 0 1 内を
[0501] 1 0一⁵ Torr 以下に した後、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー ク ノ、'ルブ 1 4 4 4 に よって大気圧 と して各層の形成された基扳を取 り 出 した。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実 ½例 1 1 と 同様の帯電露光実験 ¾置に設置し 、 6.0 KV で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電を行い、 直ちに光像を照射した。 光；！は 、 タ ン グ ス テ ン ラ ンプ光 源を用い 、 1 0 lux 'sec の光量を透過型のテ ス 卜 チ ヤ一 卜 を通して照射させた。
[0502] Aし C PI その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナー と キャ リ ア 一を含む ） を部材表面に カ ス ケ一 ドする こ と に よ って 、 、部材表面上に良好な ト ナ ー画像を得た。 部材上の 卜 ナ一 画像を 、 5.0 KV の コ ロ ナ帯電で転写紙上に転写し た 所 、 解像力に優れ 、 階調再現性の よい鮮明 ¾高饞度の画 像が得 られた。
[0503] 実施例 1 8
[0504] 光導電層形成に際し て 5iH₄ ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス ボンベ 1 1 1 のかわ り に稀釈されてい い 2 H₆ ボン べ 1 4 1 5 を使用 し て 、 &₂ 11₆ と B₂ H_S ( 5 0 ) H₂ の 流量比を 5 ： 1 に設定 した以外は 、 実施例 1 1 と 同様の 条件及び手順に よ って中間層 、 光導電層をモ リ ブデ ン基 板上に形成 した後、 堆積室 1 4 0 1 外に取 り 出 し実施例 1 1 と 同様に帯電露光の実験装量に静置 して画像形成の 試験を した所、 ㊀ 5.5 K V の コ ロ ナ放電 Θ荷電性現像剤 の組み合せ及び Θ 6.0 κ V の コ ロ ナ帯電及び Θ荷電性現 像剤の組合せの場合に 、 極めて良質の 、 コ ン ト ラ ス 卜め 高い ト ナ ー画像が転写紙上に得 られた。
[0505] 実-施例 1 9
[0506] 実施例 1 1 と 同様の条件及び手頃に従いモ リ ブデ ン基 板上に 中間層 、 光導電 ''罾を形成 したの ち第 1 5 図に示す 堆積室 1 5 0 1 内の所定の固定部材 1 5 0 3 に光導電層 を下に し て基板 1 5 0 2 を固定 した。 リ ー ク ノ ルブ
[0507] 1 5 1 1 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 5 1 2 を関け、 室内を 5 X 1 0~⁷ Torr ま で真空に し た。 その後補助バルブ 1 5 0 3 流出ノヽ'ゾレブ 1 5 1 3 〜 1 5 1 9 、 流入バルブ 1 5 2 〜 1 5 3 3 を全開 と し 、 系内のガ スを排気した 、後 、 補助バルブ 1 5 0 9 、 流出バルブ 1 5— Ϊ 3 〜 1 5 1 9 流入バルブ 1 5 2 7 〜 1 5 3 3 を閉 じた。 固定部材
[0508] 1 5 0 3 内の加熱ヒ ー タ ー 1 5 0 4 を O N状態に し所定 の温度に設定した後第 8 表に示す条件に従い各種ガ スボ ン べ 1 5 4 9 〜 1 5 5 5 の 中 の所定の ガ ス ボ ン ベ の 出 口 ノ ルブ （ 1 5 4 1 〜 1 5 4 8 ) を開け、 出 口圧を I K cm ² と し （ 出 口 Eゲ ー ジ 1 5 3 4 〜 1 5 4 0 の読み ） 流 入 ノ ルブ 1 5 2 7 〜 1 5 3 3 と流出ノ ルブ 1 5 1 3 〜 1 5 1 9 に よってフ ロ ー メ ー タ ー 1 5 2 0 〜 1 5 2 6 を 流れるガス の流量を所定値に制御し.た。 その後、 補助バ ルブ 1 5 0 9 を開けて室 1 5 0 1 内へ各ガ スを流入させ、 メ イ ン ノヽ' ルブ 1 5 1 2 に よ り 室 1 5 0 1 内 Eを制御した。 流量 （ ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 5 1 0 の読み ） 及び室 1 5 0 1 内 Eが安定 した後 、 グ ロ 一放電分薜の場合は シ ャ ッ タ ー 1 5· (3 7 を閉 と し 、 ス パ ッ タ リ ン グの場合はシ ャ ッ タ ー 1 5 0 7 を開 と して高周波電源 1 5 0 8 を O N状態に し 、 室 1 5 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させて層を形成した。
[0509] 所定の時間 、 層を形成した後 、 高局波電源 1 5 0 8 と 加熟 ヒ ー タ ー 1 5 0 4 を 。 f f状態 して補助ノ ルブ
[0510] 1 5 0 3 を閉 じメ イ ン バルブ 1 5 1 2 を全開 した。 基板 温度が 1 0 0 Cに る のを ま ってメ イ ンバルブ 1 5 1 2 を閉 じ 、 リ ー ク バル ブ 1 5 1 1 に よ り 室内を大気 Eに し て基板を と り 出 した。 第 8 表
[0511]
[0512] OMPI なお、 スパッ タ リ ングに際してはタ ーゲッ ト 1 5 0 5 は必要に応 じて多結晶 、 多結晶 &上にグラ フ アイ 卜が 、部分的に積層された も の及び 3 N₄ を各々—使用しすこ'。' 又、 第 1 5 図における各ボ ン べ内のガ'ス種は以下の通 り であ る。
[0513] ボン べ 1 5 4 3 ： SiKi ガ ス （ H ₂ で 1 0 vol に稀 釈 ） 、 ボ ン べ 1 5 5 0 ： SiFi ガ ス （ H ₂ を l O vol ^ 含む ） 、 ボン べ 1 5 5 1 ： Si { C E₃ ) i ( H 2 で 1 0 vol に稀釈 ） 、 ボ ン べ 1 5 5 2 ： C₂ H₄ ガ ス （ H ₂ で 1 0 vol に稀釈 ） 、 ボ ン べ 1 5 5 3 ： NH₃ガ ス （ H ₂ で
[0514] 1 0 vo 1 に稀釈 ） 、 ボ ン べ 1 5 5 4 ： Ar ガ ス 、 ボ ン ベ _ 1 5 5 5 ： N 2 ガス。 この様に して作製した像形成部 材 （ 試料 ¾ B 1 6 〜 ； B 2 3 ) について各々 、 実施例 1 1 と 同様にして @、 Θ両極性に関して帯電、 露光及び転写 を行なったと こ ろ 、 いずれ も 帯電 ¾栓に対する ^依存性が な く 、 極めて鮮明な トナー画像が得られた。
[0515] 実施例 2 0 · あ ら力 じめ N ₂ ガスボンベを H ₂ で 1 0 vol に稀釈 した NH₃ ( NH₃ ( 1 0 ) Ή.2 と記す ） ガスボン ベに変え た上で実施例 1 1 と 同様る手 i^:頁 従い、 NH₃ ( 1 0 ) / H 2 ガス と ( 1 0 ) /Ή.2 ガ ス の流量比を 2 ： 1 と し て中間層を形成し 、 さ らに実 ¾例 1 1 と 同様 条件及び 手順の も と で光導電層を形成した。 その基板を第 1 5 図 に示す装置内の所定の固定部材 固定し 、 実; ½例 1 9 と 同様の手順に よ り 下記の第 9 表に示す試料^ B 2 4 〜 B 3 2 ( 上部層 I 〜 Q ) を作製した。 各 々 の試料に就い て 、 実施例 1 1 と 同様に して④、 Θ両極性に関 して帯電 、 露光及び転写を行 った と こ ろ 、 いずれ も—赉電極性に対 する依存性がな く 、 極めて鮮明な トナ ー画像が得 られた。 実施例 2 1
[0516] 完全に シ ー ル ドされた ク リ ーンル ー ム中に設置された 第 1 4 図に示す装置を 用い 、 以下の如 き 操作に よって電 子写真用像形成部材を作製し た。 '
[0517] 表面が清淨に された 0 - 5 龍厚 1 O OT角のモ リ ブデン板 ( 基板 ） 1 4 0 3 を支持合 1 4 0 2 上に静置されたグ ロ 一放電堆積室 1 4 0 1 の所定位量に あ る 固定 ^材 1 4 0 3 に堅固に固定 した。 基板 1 4 0 3 は 、 固定部^ 1 0 3 内の加熱 ヒ ー タ ー 1 4 0 8 に よ って ± 0.5 Cの .請度で加 熱される。 温度は 、 熱電対 （ ア ル メ ノレ ー ク ロ メ ゾレ ） に よ つて基板裏面を直接測定される よ う に ¾ された。 次いで 系内の全バル ブ が閉 じ られてい る こ と を確認し てか ら メ イ ンバル ブ 1 4 1 0 を.全 ϋ して、 室 1 4 0 1 内が排気さ れ 、 約 5 X 1 0一⁶ T。 r.r の真空度に した。 その後 ヒ ー 夕 一 1 4 0 8 の入力電圧を上昇させ、 モ リ ブデ ン基板温度 を検知し が ら入力電圧を変化させ、 2 0 0 C の一定値 に る ま で安定させた。
[0518] その後 、 補助バルブ 1 4 4 0 、' 次いで流出バ ルブ
[0519] 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 7 、 1 4 2 9 及び流入バ ル ブ '1 4 2 0 - 2· 、 1 4 2 1 、 1 4 2 2 、 1 4 2 4 を全開 し 、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 4 1 7 、 1 4 1- 8 、
[0520] ΟΜΡΪ 第 9
[0521] 一 —
[0522] 1 4 2 0 一 1 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補助バル ブ 1 4 4 0 、 ノ、'ルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 7 、
[0523] 1 4 2 9 、 1 4 2 0 - 2 、 1 4 2 1 、 1 4一 2 2 、 1 4 2 4 を閉 じた後、 H ₂ を 1 0 vol 含む F₄' ガス （ 以後 、 SiFi /Έ.2 ( 1 0 ) と略す。 純度 9 9.9 9 9 ) ボ ン べ
[0524] 1 1 1 のノ、'ルブ 1 4 3 0 、 N 2 ガ ス （ 純度 9 9-9 9 9
[0525] g ) ボ ン べ 1 4 1 2 のゾ、'ル ブ 1 4 3 1 を開け、 出 口圧ゲ ージ 1 4 3 5 、 1 4 3 6 の圧を ² に調製 し 、 流 入バ ルブ 1 4 2 0 - 2 、 1 4 2 1 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 4 1 7 内へ &F₄ K₂ ( 1 0 ) ガ ス 、 Ν 2 ガ スを流入させた。 引^いて 、 流出ノ ルブ 1 4 2 5 、 1 2 6 を徐々 に開け、 次いで補助バル ブ 1 4 4 0 を徐 々 に開けた。 この と き F₄ H₂ ( 1 0 ) ガ ス流量と N ₂ ガ ス流量比が 1 ： 9 0 に ¾ る ぶ うに流入ノ ルブ 1 4 2 0
[0526] 2 、 1 4 2 1 を調整し ( に ピ ニーゲージ 1 4 4 1 の読みを注視し が ら褅劫バル ブ 1 4 4 0 の開 口 を調整 し 、 室 —2
[0527] 1 4 0 1 内が X 0 Torr に る ま で補助バ ル ブ 1 4 4 0 を開けた。 室 .1 0 1 内圧が安定 し てか ら 、 メ イ ン ノ ル ブ 1 4 1 0 を徐々 に閉 じ 、 ピラ ニ ーゲージ
[0528] 1 4 4 1 の指示力； 0.5 Torr に る る ま で関口を絞った。
[0529] ガ ス流入が安定し内王が安定する のを確認 した。 続いて 高周波電源 1 4 4 2 のス ィ ッ チを O N状態に して 、 誘導 コ イ ル 1 4 4 3 に 1 3 -5 6 M Hz の高周波電力を投入 し コ イ ル部 （ 室上部 ） の室 1 4 0 1 内に グ ロ 一放電を発生 させ、 6 0 Wの入力電力 と した。 上記条件で基板上に層
[0530] Oh!PI 一 — - を堆積させる為に 1 分間条件を保って中間層を形成した。 その後、 高周波電源 1 4 4 2 を o f f 状態 と し 、 グロ 一放 電を 中止させた状態で、 流出バルブ 1 4· 2 - 5 、 1 4 2 6 を閉 じ、 次に H 2 で 5 0 vol ppm に希 -された B2 He
[0531] ( 以後 B₂ H₆ ( 5 0 ) /Έ.2 と略す。 ） ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 3 のバルブ 1 4 3 2 、 H 2 で 1 0 vo 1 に希釈された
[0532] Si H 4 ( 以後 &H₄ ( 1 0 ) /Έ.2 と略す。 ） ガ ス ボ ン ベ
[0533] 1 4 1 5 のノ ルブ 1 4 3 4 を開け、 出 口 Eゲ ー ジ 1 4 3 7、 1 4 3 9 の圧を I KJT OT ² に調製し 、 流入バル ブ 1 4 2 2'、 1 4 2 4 を徐々 に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 8 、
[0534] 1 4 2 0 — 1 内へ 8₂ 11₆ ( 5 0 ) /K₂ ガ ス 、 (10)/¾₂ ガ ス を流入させた。 引続いて流出バルブ 1 4 2 7 、
[0535] 1- 4 2 9 を徐々 に開けた。 この と き B₂ H_s ( 5 0 ) XH₂ ガ ス流量と ( 1 0 ) Ή.2 ガ ス ^量比が 1 ： 5 0 に
[0536] る よ う に流入バ ルブ 1 4 2 2 、 1 4 2 4 を調整した。 次 に中間層の形成時と 同様に ピラ ニ ーゲージ 1 4 4 1 の指 示： ^ .0.5 T 0 r r に な る様に補助バルブ 1 4 4 0 、 メ イ ン バルブ 1 4 1 0 の開 口 を調聱し 、 安定化させた。
[0537] 引 き続き 、 再び高周波電源 1 4 4 2 を O N ^態に して 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W に し以前 よ り 減少させた。 こ う し てグロ 一放《を更に 3 時間持続させて光導電層を形成 した浚、 加熱 ヒ ー タ ー
[0538] 1 0 8 を o f f 状態に し 、 高周波電滠 1 4 4 2 も o f f
[0539] 状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 ¾ る のを待ってか ら流 出ノ ルブ 1 4 2 7 、 1 4 2 9 及び 入バ ルブ 1 4 2 0— 2、
[0540] OMPI 1 4 2 1 、 1 4 2 2 、 1 4 2 4 を閉 じ'、 メ イ ンバルブ
[0541] 1 4 1 0 を全開に し て 、 室 1 4 0 1 内を 1 0一³ To rr
[0542] 以下に した後、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を じ、 室
[0543] 1 0 1 内を リ ー クノ ルブ 1 4 4 4 に よ-つて大気圧 と し て各層の形成された基板を取 り 出 した。 この場合 、 形成 された層の全厚は約 9 ί であった。 こ う し て得 られた像 形成部材を 、 带電露光実験装置に設置し 、 © 6.0 K V
[0544] で 0-2 sec間コ ロ ナ帯電を行 い、' 直 ちに光像を照射 した 光像は 、 タ ン グス テ ン ラ ン プ光源を用い 、 0.8 lux- sec の光量を透過型のテ ス 卜 チ ャー ト を通して照射させた。
[0545] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナー と キ ャ リ ア 一を含む ） を像形成部材表面に カ ス ケ一 ドする こ と に よ つて 、 像形成部材表面上に良好な トナー画像を得た。 像 形成部材上の ト ナ ー画像を Θ 5.0 K V の コ ロ ナ帯電で耘 写紙上に転写し た所、 解像力に優れ、 階調再現性の よ い 鮮明 な高瀵度の画像が得 られた。
[0546] 次に上記像形成部材に就て 、 帯電露光実験装置で
[0547] θ 5.5 K V で 0.2 sec間の コ ロ ナ带電を行ない、 直ちに
[0548] 0.8 lux - sec の光量で画像露光を行 ¾い 、 その後直 ちに ④荷電性の現像剤を部材表面に カ ス ケ一 ド し 、 次に転写 紙上に ¾写 · 定着した と こ ろ Sめて鮮明 な画像が得 られ た。
[0549] こ の锆杲 と先の锆杲か ら本実 ½例で得 られた電子写真 用像形成部材は帯電 性に対する依存性が く 、 両極性 像形成部材の特性を具 1 している こ と が判った。
[0550] ，
[0551] 〇M I 実施例 ·2 2 モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成する際のグ ロ 一放電 、保持時間を 、 下記の第 1 0 表に示す様に 々変化させた 以外は実施例 2 1 と全 く 同様の条件及び手順に よって試 料 ^ C 1 〜 C 8 で示される像形成部材を作成し 、 実施例 2 1 と全 く 同様の帯電露光実験装置に設置 して同様の画 像形成を行なった と こ ろ下記の第 1 0 表に示す如き結杲 を得た。 第 1 0 試 料 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 中間層の形成
[0552] 10 30 50 180 420 600 1000 1200
[0553] 時 1 ( see ) 転の 帯 ® 〇 〇 ム X
[0554] 写画
[0555] 像質 性 Θ X 〇 X
[0556] 評価基準 ◎ : 優 〇 ： 良
[0557] 実用上使用し得る X ： 不可 '
[0558] . 中間層の膜堆積速度 ： 1 AZsec 第 1 0 表に示される結杲から判る様に 、 本癸明の 目 的 を達成する には中間 ¾の ¾厚を 3 0 A〜 1 0 0 O Aの範 囲で形成する必要があ る。
[0559] 実施例 2 3 モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成する際に ₄ /¾ (10) ガ ス流量と N ₂ ガ ス流量比を 下記の第 1 1 表に示す様に 種 々変化させた^外は実施例 2 1 と全 く 同様の条件及び 手順に よって試料^ C 9 〜 C 1 5 で示される像形成部材 、を作成し 、 実施例 2 1 と全 く 同様の帯電露一光実験装置に 設置して同様の画像形成を行なった と こ ろ 、 下記の第 1 1 表に示す如き 結果を得た。 試料^ C 1 1 〜 C 1 5 に 関して 、 ォ ー ジ ェ電子分光分析法に よ り 分析した と こ ろ 第 1 2 表に示す如き 結杲を得た。 第 1 1 表、 第 1 2 表の 結果か ら本発明の 目 的を達成する には 中間層における & と Nの組成比 Xを 0.4 3 〜 0.6 0 の範囲内で形成する必要 カ あ る。
[0560] 実施例 2 4
[0561] 実施例 2 1 と 同様に モ リ ブデン基板を設置し続いて 、 実施例 2 1 と 同様の操作に よってグ ロ 一放電堆積室 一 — . -
[0562] 1 0 1 内を 5 X 1 0~⁶ Torr の真空と ¾ し 、 基板温度 は 2 0 0 Cに保たれた後実施例 2 1 と 同様の操作に よつ て ZH₂ ( 10 ) 、 N2 、 ·¾Η₄ ( 10 ) ΖΗ₂ ガ ス流入系 を 5 X 0一 6
[0563] Torr の真空 と し 、 その後補助バ ル
[0564] 1 4 4 0 及び各流出バ ルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 9 各流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 、 1 4 2 4 を閉 じ た後 、 /H₂ ( 10 ) ガ ス ボ ン べ 1 4 1 1 の ノ ルブ
[0565] 1 4 3 0 、 N 2 ガス ボ ン ベ 1 4 1 2 のバルブ 1 4 3 1 を 開け、 出 口 Eゲージ 1 4 3 5 、 1 4 3 6 の圧を 1 ノ cm² に調整し 、 流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を徐 々 に 開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 4 1 7 内へ Si i /
[0566] H₂ ( 10 ) ガ ス 、 N ₂ ガ スを各々 流入させた。 引続いて 流出バル'ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 を徐々 に開け、 次いで補 助ノヽ'ルブ 1 4 4 0 を徐々 に開けた。 この と き ·¾Ρ₄ Z
[0567] H 2 ( 10 ) ガ ス流量と N ₂ ガ ス流量比が 1 ： 9 0 に な る よ う に流入ノ ルブ 1 4 2 0 一 2 、 1 4 2 1 を調整した。 次に ビラ ニーゲージ 1 4 4 1 の読みを注視し なが ら補助 バルブ 1 4 4 0 の開 口 を調整し 、 室 1 4 0 1 力 s i x 10一 ² Torr に な るま で補助バル ブ 1 4 4 (3 を関けた。 室
[0568] 1 0 1 内 Eが安定してから 、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を 徐 々 に閉 じ、 ピラ ニ ーゲージ 1 4 4 1 の指示力 S 0.5 To rr に な る ま で関口 を絞った。 ガ ス流入が安定し室内 Eが一 定 と な り 、 基板温度が 2 0 0 Cに安定してか ら 、 実旛例
[0569] 2 1 と 同様に高周波電源 1 4 4 2 を O N状態 と して、
[0570] 6 0 Wの入力電力でグ ロ 一放電を開始させ、 1 分間同条 件を保-つて基板上に 中間層を形成した後 、 高周波電源
[0571] 1 4 4 2 を o f f 状態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止させた状態 で流出バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 - 3 を閉 じ 、
[0572] Si H 4 ( 1 0 ) /Ή. 2 ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 5 のノヽ' ゾレ ブ 1 4 3 4 を開け、 出 口 ゲ ー ジ 1 4 3 9 の圧を 1 ^1 ² に調整 し流入ノ ルブ 1 4 2 4 を徐々 に開けて フ ロ ーメ ー タ ー
[0573] 1 4 2 0 — 1 内へ ·¾Η₄ ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス を流入させた。 引 き続いて流出バル ブ 1 4 2 3 を徐々 に関けた。 次に 中 間層の形成時 と 同様に ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示が 0 - 5 Torr に る様に補助バ ル ブ 1 4 4 0 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 の開 口を調整し安定化させた。
[0574] 引 き続 き 、 再び高周波電源 1 4 2 を O N状態に し て 、 'グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W ' に し 、 以前 よ り減少させた。 こ う し てグ ロ 一放電を更に 5 時間持続させて光導電層を形成した後 、 加熱 ヒ ー タ ー
[0575] 1 4 0 8 を o f f状態に し 、 高周波電源 1 4 2 も o f f 状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 'Cに る のを待って力 ら流 出ノ ルブ 1 4 2 9 及び流入バ ルブ 1 4 2 0 一 2 、 1 4 2 1、 1 4 2 4 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ル ブ 1 4 1 0 を全開に して 、 室 1 4 0 1 内を 1 0一⁵ Torr ^下に した後 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 1 0 内を リ ー ク ノ ル ブ 1 4 4 4 に よって大気圧と し て基板を取 り 出 した。 この場合 、 形 成された層の全厚は約 1 5 であった。 こ の像形成部材 に就て 、 実施例 2 1 と 同様の条件及び手 .頓で ¾写紙上に 画像を形成 した と こ ろ㊀コ ロ ナ放電を行なって画像形成
[0576] OMPI - - した方が㊉コ ロ ナ放電を行 ¾つて画像形成した よ り も そ の画質が優れてお り 、 極めて鮮明であった。 この結果よ り 本実施例で得 られた像形成部材には帯電" ¾性の依存性 が認め られた。
[0577] 実施例 2 5
[0578] 実施例 2 1 と 同様 条伴及び手順に よ ってモ リ ブデ ン 基板上にて 1 分間の中間層の形成を行 ¾つた後、 高周波 電源 1 4 4 2 ¾ .o f f状態 と し 、 グ ロ 一放電を中止させた 状態で流出バ ルブ 1 2 5 、 1 4 2 6 を閉 じ、 次に H ₂ で 2 5 v。 1 ppmに希釈された P H₃ ガ ス （ 以後 P H₃(25)
[0579] / z と略す。 ） ボ ン べ 1 4 1 4 のノ ル ブ 1 4 3 3 、
[0580] SiE ₄ ( 1 0 ) Έ.2 ボ ン べ 1 4 1 5 のノ ルブ 1 4 3 4 を開 け出 口 Eゲージ 1 4 3 8 、 1 4 3 3 の圧を 1 K ZOT ² に 調整し流入バルブ 1 4 2 3 、 1 2 4 を徐 々に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 9 、 1 4 2 0 — 1 内へ？ 11₃( 25) 11 ₂ ガ ス 、 ( 1 0 ) /≡₂ ガ ス を流入させた。 引 き続いて 流出ノヽ'ルブ 1 4 2 8 ヽ 1 4 2 9 を徐々 に開けた。 こ の と き P H₃ ( 25 ) /Έ.2 ガ ス流量と ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス流 量比が 1 ： 5 0 に な る様に流入バルブ 1 4 2 3 、 1 2 4 を調整した。
[0581] 次に 中間層の形成 と 同時に ピ ラ ニ ーゲージ 1 4 4 1 の 指示が 0.5 To r r に な る様に '动バルブ 1 4.4 0 、 メ イ ン バルフ： 1 4 1 Q の開 口を If 整し安定化させた。
[0582] '引 き続 き 、 再び高周波電源 1 4 4 2 を O N拔態に して 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 1 0 W
[0583] OMFI に した ·。： t う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光 導電層を形成 した後 、 加熱 ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を ο ί ί状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も ο ί ί状態 と し、 基板温度が 1 0 0 Cに ¾ る のを待ってか ら流出バ ルブ 1 4 2 8 、 1 4 2 9 及び流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 、 1 4 2 3 、 1 4 2 4 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を全 開に して 、 室 1 4 0 1 内を 0一 5
[0584] Torr 以下に し た後、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0. 1 内を リ ー ク バル ブ 1 4 4 4 に よって大気 EEと し て基板を取 り 出 した。 こ の場合、 形成された層の全厚は約 1 1 A であった。 こ う し て得 られた像 ¾成部材を 、 実旖例 2 1 と 同様の条件及 び手順で耘写紙上に画像を形成した と こ ろ Θコ 口 ナ放電 を行なって画像形成した方が、 Θコ ロ ナ放電を行-なって 画像形成 した よ り も その画質が優れてお り 極めて鮮明で あった。 この結果 よ り 本実施例で得 られた感光体には帯 電極性の依存性が認め られた。
[0585] 実施例 2 6 - モ リ ブデ ン基板上に 中間層を 成し た後 、 引 き続いて 光導電層を形成する際 B ₂ H₆ ( 5 0 ) Έ.2 ガ ス流量を
[0586] &H₄ ( 1 0 ) ZH₂ ガ ス流量の 1 10 ·：'て る る よ う に し た以 外は実施例 2 1 と 同様な 条件及び手 に よ って中間層 、 光導電 ¾を モ リ ブ デ ン基板上に形成 した。 この よ う に し て得 られた像形成部材を実施例 2 1 と 同漾の条件及び手 順で転写紙上に画像を形成 した と こ ろ @コ ロ ナ放電を行 って画像形成した方が 、 Θコ ロ ナ ¾電を行 つて画像 形成した よ り も その画質が優れてお り 極めて鮮明であつ た。 この結果 よ り 本実施例で得 られた感光体には帯電極 、性の依存性が認め られた。 而し 、 その帯電極性は実施例 2 4 、 2 5 で得 られた像形成部材 とは逆であった。
[0587] 実施例 2 7
[0588] 実施例 2 1 と 同様 ¾条件及び手順に よ って 、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の中間層の形成、 5 時間の光導電層の 形成を行なった後 、 高周波電源 1 4 4 2 を o f i状態と .し てグロ 一放電を中止させた状態で流出バルブ 1 4 2 7 、 1 4 2 9 を閉 じ 、 そして再び流出バルブ 1 4 2 ' 5 、
[0589] 1 4 2 6 を開 き 、 中間層の形成時 と 同様の条件に な る よ う に した。 引 き続き 再び高周波電源を O N状態に してグ ロ ー放電を再開させた。 その と き の入力電力を中間層形 成時と 同様の 6 0 W と した。 こ う してグ ロ 一放電を 2 分 間持続させて光導電層上に上部層を形成した後加熱 ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を o f f 状態に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も ο ί ί状態 と し 、 基板溫度が 1 0 0 Cに る のを待ってか ら流出ノ ル ブ 1 4 2 5 、 1" 2 S 及び流入バルブ 1 420 一 2 、 1 4 2 1 、 1 4 2 2 、 1 4 2 4 を閉 じ 、 メ イ ンバ ゾレブ 1 4 1 0 を全関に して、 室 1 4 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以下に した後 、 メ イ ン バルブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー ク ノ ルブ 1 4 4 4 に よって大気王 と して各層の 形成された基板を取 り 出 した。 こ う して得 られた像形成 部材を実施例 2 1 と 同様の带電露光実験装置に設置し 、 ④ 6.0 KV で 0.2 sec間コ ロ ナ带電を行 い、 直ちに光像 を照射した。 光像は 、 タ ン グステ ン ラ ンプ光源を用い 、 1.0 lux 'secの光量を透過型のテ ス 卜チ ヤ一 ト を通 して照
[0590] 、射させた。
[0591] その後直ちに Θ荷電性の現像剤 （ トナー と キャ リ ア ー を含む ） を像形成部材表面に カ ス ケ ー ドする こ と に よつ て 、 像形成部材表面上に良好る ト ナ ー画像を得た。 像形 成部材上の ト ナー画像を 、 Θ 5-0 K V の コ ロ ナ帯電で ¾ 写紙上に転写した所、 解像力に優れ、 階調再現性の よ い 鮮明な高饞度の画像が得 られた。
[0592] 実施例 2 8
[0593] 像形成部材の形成に先立って第 1 4 図に示される装置 の N ₂ ガス ボン ベ 1 4 1 2 を H ₂ で 1 0 vol % に希釈さ れた NH₃ ( NH₃ ( 1 0 ) /Hz と記す。 純度 9 9.9 9 9 ) ガスボンベに変えた。 次に表面が清浄に された 、 コ 一二 ン グ 7 0 5 9 ガ ラ ス （ 1 厚、 4 X 4 OT、 両面研摩した も の ） 表面の一方に 、 電子ビ ー ム蒸着法に よって I T O を 1 0 0 ·0 Α蒸着した も のを 、 実 ¾伊 i! 2 1 と伺様の装置 ( 第 1 4 図 ） の固定部材 1 4 0 3 上に I T O 蒸着面を上 面に して設置した。 以上の よ う に λ^τ ₂ ガ ス ボ ン ベを 、 ΝΗ₃ ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス ボ ン ベに 、 モ リ ブデ ン基板を 、
[0594] I Τ 0基板に変えた以外は 、 実旌 2 1 と 同様の操作並 びに手順に よって 中間曙 、 光導電層を形成して 、 像形成 部材を得た。 こ う し て得 られた像 ¾成き;:、材を 、 帯電露光 実験装置に設置し 、 © 6.0 KV で 0.2 sec間コ ロ ナ带電を 行 い 、 直 ちに光像を照射 し た。 慮は 、 タ ン グス テ ン ラ ンプ光源を用い、 1.0 lux'secの光量を透過型のテス 卜 チ ヤ一 トを通して照射させた。
[0595] その後直 ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ トナ と キャ リ ア 一を含む ） の部材表面に カ ス ケ ー ドする こ と に よって、 部材表面上に良好な トナー画像を得た。 部材上の ト ナー 画像を 、 Θ 5.ο κν の コ ロ ナ带電で耘写羝上に転写した 所、 解像力に優れ、 階調再現性の よい鮮明な高邊度の画 像が得 られた。 - 又、 コ ロ ナ帯電極性を Θに 、 現像剤極性を Θに変えて も 同様に鮮明で良好な画像が実施例 2 1 と 同様に得 られ 実施例 2 9
[0596] SiRi ( 1 0 ) H ガ スボン ベ 1 4 1 5 を希^されてい い ₂ H₆ ガ スボンベに 、 B₂ H₆ ( 5 0 ) /H₂ ガ スボ ン ベ 1 4 1 3 を H ₂ で 5 0 0 vol ppm に希釈された
[0597] B 2 H₆ ( B 2 H₆ ( 5 0 0 ) ZH₂ と記す ） ガス ボン ベに変え た ¾外は実施例 2 1 と 同様の条件及び手順に よって 中間 層 、 光導電層をモ リ ブデン基板上に形成 した後 、 堆積室
[0598] 1 4 0 1 外に取 り 出 し実施例 2 1 と 同様に帯電露光の実 験装置に静置して画像形成の試 を した所、 θ 5-5 KV の コ ロ ナ放電、 （£)荷電佳現像剤.の組み合せ及び Θ 6.0
[0599] KV の コ ロ ナ放電、 ㊀荷電倥現像剤の組み合せの場合に 、 極めて良質の 、 コ ン ト ラ ス 卜の高い トナー画像が^写紙 上に得 られた。
[0600] 実施例 3 0
[0601] OV.rl 第 1 6 図に示す装置を用い 、 以下の如 き 操作に よって モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成した。
[0602] 、 表面が清浄にされた 0.5 mm厚 1 O OT角の モ リ ブデ ン板
[0603] ( 基板 ） 1 6 0 2 を堆積室 1 6 0 1 内の所定位置に あ る 固定部材 1 6 0 6 に堅固に固定した。 基板 1 6 0 2 は固 定部材 1 6 0 6 内の加熱 ヒ ー タ ー 1 6 0 7 に よ っ 士
[0604] 0.5 C の精度で加熱される 。 温度は熱電対 （ ア ル メ ル 一 ク ロ メ ル ） に よつて基板裏面 .を直接測定され る よ う に な された。 次いで系内の全バルブ が閉 じ られている こ と を 確認し てから メ イ ン バルブ 1 S 2 7 を全開 して室 1 5 0 1
[0605] —6
[0606] 内が排気され 、 約 5 X 0 Torr の真空度に した。 そ の後 ヒ ー タ ー 1· 6 0 7 の入力電圧を上昇させモ リ ブ デン 基板温度を検知し が ら入力電圧を変化させ 2 0 0 Cの —定値に な る ま で安定させた。
[0607] その後、 補助ノ ルブ.1 S 2 5 、 次いで流出バル ブ
[0608] 1 6 2 1 、 1 6 2 4 及び流入ノ ルブ 1 S 1 ァ 、 1 6 2 0 を全開 し 、 フ ロ ー メ ー .一 1 6 3 2 、 1 6 3 5 内 も 十分 脱気真空状態にされた。 袴助バル ブ 1 S 2 5 、 バル ブ
[0609] 1 6 1 7 , 1 6 2 (3 、 1 6 2 1 、 1 6 2 4 を閉 じた後 、
[0610] F₃ N ガ ス （ 純度 9 9 .9 9 9 5¾ ) ボ ン べ 1 6 1 2 のバ ル ブ 1 6 1 2 のバルブ 1 6 1 6 及び Ar ガ ス ボ ン ベ 1 6 0 9 の ノ s'ルブ 1 S 1 3 を開け 、 出 口圧ゲー ジ 1 6 2 8 、
[0611] 1 6 3 1 の Eを 1 Z ² に調整し 、 流入バルブ 1 6 1 7. 1 6 2 0 を徐々 に 開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 6 3 2 、 1 6 35 内へ各々 F₃ N ガ ス 、 Ar ガ スを流入させた。 引 き続い
[0612] ΟΜΡΪ て 、 流出ノ ルブ 1 6 2 1 、 1 S 2 4 を徐々 に開け、 次い で補助バルブ 1 S 2 5 を徐々 に開けた。 この時 F ₃ N ガ -ス流量比が 1 ： 1 にな る よ う に流入バ ルブ Ί 5 1 7 、 1 6 2 0 を調整した。 次にビ ラ ニ ーゲー ジ 1 S 3 6 の読 みを注視し ながら補助バルブ 1 S 2 5 の開口 を調整し 、 室 1 6 0 1 内力 S 5 X 1 0— ⁴ Torr に な るま で補助バルブ · 1 6 2 5 を開けた。 室 1 6 0 1 内圧が安定してか ら メ イ ンバルブ 1 S 2 7 を徐 々 に閉 じビ ラ ニーゲ ー ジ 1 S 3 6 の指示が 1 X 1 0一² To rr に な る ま で開口を絞った。 シ ャ ッ タ ー操作棒 1 6 Q 3 を 、 操作して 、 シャ ッ タ ー
[0613] 1 6 0 8 を開 と し て、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 6 3 2 、 1 6 3 5 が安定する を確認してか ら 、 高周波電源 1 S 3 7 を O N状態に し 、 多結晶高純度シ リ コ ン タ ーゲッ ト 1 S 0 '4 お よび固定部材 1 S 0 6 間に 1 3.5 6 MHz . 1 0 0 Wの 交流電力が入力された。 こ の条件で安定した放電を続け る よ う にマ ッ チ ン グを取 り なが ら層を形成し、た。 この様 に し て 2 分間放電を続けて 1 0 O A厚の a -Si_{x x}- _X： F 層を形成 した。 その後高周波電源 1 S 3 7 を 。 f f状態に し 、 放電を一且中止させた。 引き続いて流出バルブ
[0614] 1 6 2 1 、 1 6 2 4 を閉 じメ イ ンバルブ 1 6 2 7 を全開 して室 1 6 0 1 内のガ スを抜き 、 5 x 1 0一⁷ Torr ま で 真空に した。 次に H ₂ で 1 0 v。l 希^した ΐΗ ₄ ( ^Η₄ ( 1 0 ) Hz と記す。 純変 9 9.9 9 9 % ) ガス ボン ベ 1 6 1 Q のバルブ 1 S 1 4 、 Η 2 で 5 0 V 01 p pm に希 釈した B_s H₆ ( B₂ H₆ ( 5 0 ) / Kz と記す ） ガス ボ ン ベ 1 6 1 1 のバルブ 1 S 1 5 を開け、 出 口圧ゲー ジ 1 623、 1 6 3 0 の圧を 1 K cm ² に調整し 、 流入バルブ 1 S 1 8, 、 1 6 1 9 を徐々 に 開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 6 3 3 、
[0615] 1 6 3 4 内へ &H₄ ( 1 0 ) /Έ.Ζ ガス 、 B₂ H_s (50)/ H₂ ガス を流入させた。 引続いて 、 流出バルブ 1 6 2 2 、
[0616] 1 6 2 3 を徐々 に開け、 次いで補助バルブ 1 6 2 5 を徐 々 に開けた。 こ の と き &H₄ ( 1 0 ) /Ή.2 ガス流量と
[0617] B₂ H₆ ( 5 0 ) /Έ.2 ガス流量比が 5 0 ： 1 に ¾ る よ う に 流入バルブ " 1 6 1 8 、 1 6 1 3 を調整した。 次に ビ ラ 二 一ゲー ジ 1 6 3 S の読みを注視しなが ら補助バルブ .
[0618] 1 6 2 5 の関 口を調整し 、 室 1 S O 1 内が 1 X 1 0一²
[0619] Torr に な るま で補助バルブ 1 S 2 5 を開けた。 室
[0620] 1 6' 0 1 内圧が安定してか ら 、 メ イ ンバルブ 1 6 2 7 を 徐々 に閉 じ 、 ピラ ニーゲージ 1 6 3 6 の指示カ 0.5 To r r に な る ま で開 口を絞った。 ガス流入が安定し 内圧が安定 するのを確認し 、 シ ャ ッ タ ー 1 6 0 8 を閉 と し 、 続いて 高周波電'源 1 6 3 7 の イ ッ チを O N状態に して 、 電極
[0621] 1 6 0 7 、 1 6 0 8 間に 1 3.5 6 112 の高周波電力を 投入し室 1 6 0 1 内 に グ ロ 一放電を発生させ、 1 0 Wの 入力電力 と した。 グ ロ 一放電を 3 時間持続させて光導電 層を形成 した後、 加熱 ヒ ー タ ー 1 S 0 7 を 。 ; f i 状態にし 、 高周波電源 1 S 3 7 も o f f状態 と し 、 基板温度が 1 0 0
[0622] C に な る のを待ってから流出バルブ 1 6 2 2 、 1 6 2 3 及び流入バルブ 1 6 1 8 、 1 S 1 9 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 S 2 7 を全開に して 、 室 1 6 0 1 円を 0—⁵ Torr
[0623] O PI 以下にした後 、 メ イ ンノ ルブ 1 6 2 7 を閉 じ 、 室 1601 内を リ ークバルブ 1 6 2 6 に よって大気 Eと して各層の 形成された基板を取 り 出 した。 この場合 、 -形成された層 の全厚は約 9 A であった。 こ う して得 られた像形成部材 を 、 帯電露光実験装置に設 Sし 、 © 6.0 KV で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電を行ない、 直ちに光像を照射した。 光像は 、 タ ングス テン ラ ンプ光源を用い 、 0.8 lux-sec の光量を 透過型のテ ス 卜チヤ一 ト を通して照射させた。
[0624] その後直 ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ トナー と キャ リ ア —を含む ） を像形成部材表面に カ ス ケ ー ドする こ と に よ つて 、 像形成部材表面上に良好 トナー画像を得た。 像 形成部材上の ト ナー画像を 、 Θ 5-0 K V の コ ロ ナ帯電で '耘写紙上に転写した所 、 解像力に優れ、 階調再現性の よ い鮮明な高濃度の画像が得 られた。
[0625] 次に上記像形成部材に就て 、 帯電露光実験装置で
[0626] ㊀ 5.5 KV で 0-5 sec間の コ ロ ナ帯電を行ない、 直ちに 0.8 lux 'secの光量で画像露光を行 い 、 その後直ちに © 荷電性の現像剤を部材表面にカ ス-ケー ド し 、 次に転写紙 上に 写定着した と こ ろ極めて鲜 ¾る '画像が得 られた。
[0627] この結杲と先の結果か ら本実旖例で得 られた電子写真 用像形成部材は帯電極性に対する ^存性がな く 両極性像 形成部材の特性を具備し ている こ とが判った。
[0628] 実施例 3 1
[0629] 実施例 2 1 と 同様の操作、 条件：てて形成された像形成 部材を 7 個作成し 、 第 1 6 図に示す装置に光導電層を下 に して固定部材 1 S 0 6 に堅固に固定 し 、 基板 1 S 0 2 と した。
[0630] 各光導電層上に各上部層を第 1 3 表に示す如老 条件 ( A〜 G ) で各々 形成し 、 各 々 の上部層を有する像形成 部材を 7 個 （ 試料 C 1 6 〜 C 2 2 ) 作成 し た。
[0631] 尙、 ス ノ、。ッ 夕 リ ン グ法にて上部層 A を形成する際には タ ー ゲッ 卜 1 6 0 4 を多結晶 シ リ コ ン タ ーゲッ 卜上に部 分的にグラ フ アイ 卜 タ ーゲッ 卜が積層された も の 、 上部 層 E を形成する際には 、 タ ーゲッ ト を ₃ N₄ タ ーゲッ ト に 、 Ar ガ ス ボ ンぺ 1 6 0 3 を Ar で 5 0 に希釈され た N ₂ ガ ス ボ ン ベ に変えた。
[0632] 又、 グ ロ 一放電法に て上部層 B を形成する際には 、 B₂ H₆ ( 5 0 ) /Ή.2 ガ ス ボ ン ベ 1 S 1 1 を H 2 で 1 0 vo l % に希釈された C₂ H₄ ( C₂ H₄ ( 1 0 ) ZH₂ と 記す ） ガスボンベに 、 上部層 C を形成する際には B₂H₆ (50)Z H 2 ガ ス ボ ン ベ 1 6 1 1 を H ₂ で 1 0 vo l % に希釈され た （ C H₃ ' ) 4 ボンベに 、 上部層 D を形成する際.には 、 上 部層 B の形成の際と 同様に B ₂ H₆ (' 5 0 ) H₂ ガ ス ボ ン ベ 1 6 1 1 C₂ i ( 1 0 ) Έ.2 ガ ス ボ ン ベ に 、 F₃ N ガ ス ボ ン べ 1 6 1 2 を 、 H ₂ を 1 0 vo 1 % 含む & F 4 ガ ス ボ ンべに 、 上部層 G を形成する際には N ₂ ガ ス ボ ン ベを H 2 で 1 0 vo l に希釈された NH₃ ガ ス ボ ン ベ に 夫 々 変えた。
[0633] 実施例 2 1 と 同様に し て中間層 、 光導電層 を基板上に 形成 し 、 該光導電層 に第 1 3 表に示す上部層 A 〜 G を各 1 3
[0634] 々 形成された像形成部材 7 個 （ 試料 y¾ C 1 6 〜 C 2 2 ) を各々実施例 2 1 と 同様の操作、 条件にて像形成を行つ 、て 写紙に転写した と こ ろ 、 何れ も 帯電極—性に対する依 存性がな く 極めて鮮明 ¾ トナ ー像が得 られた。
[0635] 実施例 3 2
[0636] 実施例 2 8 と 同様の操作、 条件にて形成された像形成 部材を 7 個作成し第 1 6 図に示す装置に光導電層を下に し固定部材 1 6 0 6 に堅固に固定し て基板 1 6 0 2 と し た。
[0637] 各光導電層上に第 1 3 表に示す上部層 （ A 〜 G ) を実 施例 3 1 と 同様に して形成し 7 個の像形成部材 （ 試料^ C 2 '3 〜 C 2 9 ) を得た。 各像形成部材を各々 実施例
[0638] 2 1 と 同様の操作、.条件に て可視像形成を行って転写紙 に転写した と こ ろ何れ も 帯電 S性に対する依存性がな く 極めて鮮明 な トナー像が得 られた。
[0639] 実施例 3 3
[0640] 実施例 3 0 と 同様の操作、 条件に て形成された像形成 部材を 7 個作成し 、 第 1 6 図に示す装置に 光導電層を下 に して.固定部材 1 6 0 S に堅固に固定し て基板 1 S 0 2 と した。
[0641] 光導電層上に第 1 3 表に示す上部層 （ A 〜 G ) を実施 例 3 1 と 同様に して形成 し 7 個の像形成部材 （ 試料^
[0642] C 3 0 〜 C 3 6 ) を得 、 各 々 実旖例 2 1 と 同様の操作条 件にて可視画像形成を行って 写^に ¾写した と こ ろ何 れ も 帯電極性に対する依存性がる く 極めて 明 ¾ トナ ー
[0643] OMFI 一 一
[0644] 像が得 られた。
[0645] 実施例 3 4
[0646] 完全に シ ー ル ドされたク リ ー ン ル ー ム中-に設置された 第 1 3 図に示す装置を用い 、 以下の如き 操作に よ って電 子写真用像形成部材を作成した。
[0647] 表面が清浄にされた 0.5 丽厚 1 0 cm角のモ リ ブデン板 ( 基板 ） 1 3 0 2 をグ ロ 一放電堆積室 1 3 0 1 内の所定 位置にあ る固定部材 1 3 0 3 に堅固に固定した。 タ ーゲ ッ 卜 1 3 0 5 は多結晶 、 高純度 (純度、 9 9-9 9 9 ¾δ であ る。 基板 1 3 0 2 は 、 固定部材 1 3 0 3 内の加熱ヒ 一タ ー 1 3 0 4 に よ って ± 0.5 Cの精度で加熱される。
[0648] 温度は 、 熱電対 （ ア ル メ ル一ク ロ メ ル ） に よ っ て基板裏 面を直接測定される よ う になされた。 次いで系内の全バ ルブが閉 じ られている こ と を確認してから メ イ ン パ'ルブ 1 3 1 2 を全開 して 、 室 1 3 0 1 内が排気され 、 約 5 X 1 0一⁶ Torr の真空度に した。 その後 ヒ 一タ ー 1 3 0 4 の入力電 Eを上昇させ、 モ リ ブデン基板温度を検知しな . が ら入力電 Eを変化させ、 2 0 0 Cの一定値に な る ま で 安定させた。
[0649] その後 、 補助ノヽ'ルブ 1 3 0 9 、 次いで流出バルブ
[0650] 1 3 1 3 、 1 3 1 3 、 1 3 3 1 、 1 3 3 7 及び流入バル ブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3' 、 1 3 3 9 を全開 し 、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 1 4 、 1 3 2 0 、 1 3 3 2 、 1 3 3 8 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補助バルブ 1 3 0 9 、 バ ルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 、 1 3 3 1 、 1 3 3
[0651] OMPI 一 ―
[0652] 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じた後 、 N 2 ガ ス （ 純度 9 9-9 9 9 ) ボ ン べ 1 3 3 6 のノ ゾレブ 1 3 3 5 及び Ar ガ ス （ 純度 9 9 · 9 9 9 ボ ン べ
[0653] 1 3 4 2 のバルブ 1 3 1 を開け、 出 口正ゲ ー ジ 1 334、 1 3 4 0 の圧を 1 ¾TZOT ² に調整し 、 流入バル ブ 1 3 3 3、 1 3 3 9 を徐々 に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 3 2 、
[0654] 1 3 3 8 内へ N ₂ ガ ス 、 Ar ガ スを流入させた。 引続い て 、 流出ノ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を徐 々 に開け、 次い で補助ノ ルブ 1 3 0 9 を徐 々 に関けた。 この時 N ₂ ガ ス の流量と Ar ガスの流量の比が 1 : 1 と な る よ う に流入 バルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を調整した。
[0655] 次に ビ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 3 1 0 の読みを注意し なが ら補 助バル ブ 1 3 0 9 の開口を調整 し 、 室 1 3 0 1 内カ 5 X
[0656] —4
[0657] 0 Torr にな る ま で補助バル ブ 1 3 0 9 を開けた 室 1 3 0 1 内 Eが安定してか ら 、 メ イ ン バル ブ 1 3 1 2 を徐々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 3 1 0 の指示が I X 1 0~² Torr に ¾ るま で関口 を絞った。 ガ ス流入が安定 し内圧が安定するのを確認し さ らに シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を開 と し た後 、 続いで高周波電源 1 3 0 8 のス ィ ッ チを' O N状態に し て、 シ リ コ ン タ ー ゲ ッ ト 1 3 0 5 お よ び固 定部材 1 3 0 3 間に 1 3.5 6 MHzの高周波電力を投入し 室 1 3 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ、 1 0 0 Wの入力 電力 と した。 上記条件で基板上に a— x Ni—x を堆積さ せて中間層を形成する為に 、 1 分間条件を保った。 その 後高周波電源 1 3 0 8 を o f f状態 と し 、 グ ロ 一放電を中
[0658] O PI 止させた。
[0659] 引 き続いて流出バルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 流入バルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じメ イ ン ノ ルブ 1一 3 1 2 を.全開 して室 1 3 0 1 内のガ ス を抜き 5 x 1 0一⁶ Torr ま で真 空に した。 その後、 補助バルブ 1 3 0 9 、 次いで流出バ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を全開し 、 フ ロ ー メ ー タ ー
[0660] 1 3 3 2 、 1 3 3 8 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補 助バルブ 1 3 0 9 、 バルブ 1. 3 3 1 、 1 3 3 7 を閉 じた 後、 H ₂ ガ スを 1 0 vol 含む ¾F₄ ガ ス （ 以後 、
[0661] S F 4 ZH 2 ( 1 0 ) と略す。 純度 9 9.9 9 9 ） ボ ン べ
[0662] 1 3 1 8 のバルブ 1 3 1 7 、 H ₂ で 5 0 0 vol ppm に希 釈された B₂ H₆ . ガ ス （ 以後、 B₂ H₆ ( 5 0 0 ) Ή.2 と略 す。 ） ボ ン べ 1 3 2 4 のノ ルブ 1 3 2 3 を開け、 出 口圧 ゲ ー ジ 1 3 1 S 、 1 3 2 2 の圧を 1 cm ² に調整し 、 流入バルブ 1 3 1 5 、. 1 3 2 1 を徐 に関けて フ ロ ー メ 一タ ー 1 3 1 4 、 1 3 2 0 内へ& ₄ ZH₂ ( 1 0 ) ガ ス 、 B₂ H₆ ( 5 0 0 ) /Έ. ζ ガ スを流入させた。 引 き続いて 、 流 出ノ ルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 を徐々 に開け 、 次いで補助 バルブ 1 3 0 3 を徐々 に開けた。 この時の F₄ /Ή.2 (10) ガ ス流量と B₂ H₆ ( 5 0 0 ) Έ. Ζ ガ ス流量比が 7 0 ： 1 に な る よ う に流入バルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を調整した。 次に ビ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 3 1 0 の読みを注視し なが ら補助 バルブ 1 3 0 3 の開 口 を調整し 、 室 1 3 0 1 内が 1 X 1 0一² Torr に な る ま で補助バル ブ 1 3 0 9 を開けた。
[0663] 室 1 3 0 1 内圧が安定してから 、 メ イ ン バル ブ 131 2 を徐々 に 閉 じ 、 ピ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 3 1 0 が 0-5 Torr に ¾ る ま で開 口 を絞った。
[0664] シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 ( 電極を兼ねる ） を—閉 じ、 ガ ス流 量が安定し 、 内圧が安定する のを確認した後、 高周波電 源 1 3 0 8 のス ィ ッ チを O N状態に し て電極 1 3 0 3 、 シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 間に 1 3.5 6 MHz の高周波電力を投 入し 、 室 1 3 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ、 6 0 Wの 入力電力 と した。 グ ロ 一放電を 3 時間持続させて光導電 層を形成した後 、 加熱 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 を 。 f i状態に し 、 高周波電源 1 3 0 8 も o f f 状態 と し 、 基板温度が 1 0 0
[0665] Cにな る のを待って；^ ら流出ノ 'ルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 及び流入バルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 3 1 2 を全開 し て 、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以 下に した後 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内 を リ ー ク ノ ルブ 1 3 1 1 に よって大気圧 と し て基板を と り 出 した。 この場合 、 形成された層の全厚は約 9 であ つた。 こ う'し て得 られた像形成'部材を 、 帯電露光実験装 置に設置し 、 ® 6.0 K V で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電を行ない 、 直ちに光像を照射 した。 光像は タ ン グス テ ン ラ ン プ光源 を用い 、 1.0 lux'secの光量を透遏型のテ ス 卜 チ ヤ一 卜 を 通して照射させた。
[0666] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナ ー と キ ャ リ ア —を含む ） を部材表面に カ ス ケ ー ドする こ と に よって 、 部材表面上に.良好 ^ ト ナ ー画像を得た。 部材上の ト ナ ー 画像を 、 © 5.0 KV の コ ロ ナ帝電で ¾写紙上に転写し' -た
[0667] Ο ΡΪ 一 ―
[0668] 所 、 解像力に優れ 、 階調再現性の よい鮮明な高饞度の画 像が得 られた。
[0669] 次に上記像形成部材について 、 帯電露光実験装置で
[0670] ㊀ 5.5 KV で、 0.2 sec間の コ ロ ナ帯電を行い 、 直ちに
[0671] 0 -8 lux 'secの光量で、 画像露光を行い、 その後直ちに Θ 荷電性の現像剤を部材表面に カ ス ケー ド し 、 次に耘写紙 上に転写 ' 定着したと こ ろ 、 極めて鮮明な画像が得 られ この結果-と 先の結杲か ら 、 本実施例に得 られた電子写 真用像形成部材は 、 帝電極性に対する依存性がな く 、 両 極性像形成部材の特性を具備している こ とが判った。
[0672] 実施例 3 5 - モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成する際のス パ ッ 夕 リ ン グ時間を下記第 1 4 表に示す様に種 々変化させた以外 は実施例 3 4 と全 ぐ 同様の条件及び手順に よって試料^
[0673] D 1 〜 D 8 で示される像形成部材を作成し実旖例 3 と 全 く 同様の帯電露光実験装置に設置して同様の画像形成 を行るつた と こ ろ、 下記の第 1 4 表に示す如き結杲を得 第 1 4 表に示される結杲か ら ^る様に本癸明の 目 的を 達成する には中間層の膜厚を 3 0 人〜 1 0 0 O Aの範囲 で形成する必要があ る。
[0674] OMFI WIFO
[0675] ◎ ： 優 〇 ： 良
[0676] 実用上使用し得る X ： 不可
[0677] 中間層の堆積速度 ： 1 AZsec
[0678] 実施例 3 6
[0679] モ リ ブデン基板上に 中間層 を形成する漦に N ₂ ガス と Ar ガスの流量比を下記の第 1 5 表に示す様に種々変化 させた以外は 、 実施例 3 4 と全 く 同様の条件及び手順に よ って試料 D 9 〜 D 1 5 で示される像形成 ¾材を作成 し 、 実施例 3 4 と全 く 同様の帯電露光実験装置に設置 し て同様の画像形成を行なった と こ ろ下記の第 1 5 表に示 す如き結果を得た。 尙、 試料^ D 1 1 〜 D 1 5 の中間層 のみを才 ー ジェ電子分光分析法 よ り 分析した結果を第 1 6 表に示す。 第 1 6 表に示す^杲か らわかる よ う に本 発明の 目 的を達成する には 宁間響 ける と Nの組成 比に関係する X を 0.6 0 〜 0.4 3 の範¾で形成する必要 カ あ る 。
[0680] O PI 1 5
[0681]
[0682] 6 表
[0683] 実施例 3 7
[0684] 実施例 3 4 と 同様の操作に よってモ リ ブデン基板上に a -Si χ N i- χ か ら成る 中間層を設けた。 その後、 流入バ ルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 3 を閉 じ 、 補助バルブ 1 3 0 3 、 次いで流出バルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を全開し 、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 3 2 、 1 3 3 8 内 も 十分脱気真空状態に さ れた。 補助バルブ 1 3 0 3 、 バルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を閉 じた後 、 SiFi Έ.2 ( 1 0 ) ガス （ 純度 9 9.9 9 9 ^ ； ボンべ 1 3 1 8 のノ ルブ 1 3 1 7 を開け 、 出 口 Eゲージ
[0685] 1 3 1 S の圧を 1 K cm ² に調整し 、 流入ノ ルブ 1 31 5 を徐々 に開けてフ ロ ーメ ータ ー 1 3 1 4 内へ S F i B.z (10) ガスを流入させた。 引続いて 、 流出バルブ 1 3 1 3 を徐 々 に開け、 次いで褐助バルブ 1 3 0 3 を徐々 関けた。
[0686] O PI 一 - .
[0687] 次に ビラ ニーゲージ 1 3 1 0 の読みを注視 し なが ら補助 ノ ルブ 1 3 0 9 の開 口 を調整し 、 室 1 3 0 1 内が 1 X
[0688] 1 0一² Torr に な る ま で補助ノ ルブ 1 3 CT 3 を開けた。
[0689] 室 1 3 0 1 内圧が安定 してか ら 、 メ イ ンノ、'ルブ 1 3 1 2 を徐々 に閉 じ、 ピ ラ ニ ーゲージ 1 3 1 0 の指示力； 0' 5
[0690] Torr に な る ま で開 口 を絞った。 ガス流入が安定し内 EE が安定する の を確認し シャ ッ タ ー 1 3 0 7 を閉 と し 、 続 'いて高周波電源 1 3 0 8 のス ィ ッチを O N状態に して 、 電極 1 3 0 7 、 1 3 0 3 の間に 1 3.5 6 MHzの高周波電 力を投入 し 、 室 1 3 0 1 内に グロ 一放電を発生させ、
[0691] 6 0 Wの入力電力 と した。 グロ 一放電を 3 時間持続させ て光導電層を形成 した後 、 加熱 ヒ ータ ー 1 3 0 4 を o f f 状態に し 、，高周波電源 1 3 0 8 も 。： 状態 と し人 基板温 度が 1 0 0 C に な るのを待ってから流出ノ ルブ 1 3 1 3 及び流入バルブ 1 3 1 5 を閉 じ 、 メ イ ンノ ルブ 1 3 1 2 を全開に して 、 室 1 3 0 1 内を 1 x 1 0一⁵ Torr 以下に した後 、 メ イ ンバルブ 1 3 1 2 を閉 じ 、 室 1 3 0 1 内を リ ー クノ ルブ 1 3 1 1 に よ って大気圧 と し て各署の形成 されてあ る基板を取 り 出 した。 この場合 、 形成された層 の全厚は約 9 であった。 こ う し て得 られた像形成部材 を 、 実施例 3 4 と 同様の手；匿に従い耘写紙上に画像形成 し たと こ ろ、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形成 し た方が 、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形成 した よ り もその画質が優 れてお り 極めて鮮明 であった。 こ の結杲 よ り 本実施例で 得 られた像形成部材には帯電 性の依存性が認め られた。
[0692] O PI 一 - - 実施例 3 8
[0693] 実施例 3 4 と 同様な条件及び手順に よってモ リ ブデン 基板上に 1 分間の中間層の形成を行った後-、- 堆積室内を
[0694] 5 X 1 0—⁷ Torr ま で排気して 4 /H₂ ( 10 ) ガ スを 実施例 3 4 と 同様の手順で室内に導入した。 その後 H 2
[0695] で 2 5 0 vol ppmに希釈した PF₅ ( P F₅ ( 250 ) /Έ.₂
[0696] と記す ） ガ ス ボ ン ベ 1 3 3 0 から流入バ ルブ 1 3 2 7 を 通 じて 1 K Z cm ² のガ ス圧 （ 出 口 Eゲ ー ジ 1 3 2 8 の読 み ） で流入バルブ 1 3 2 7 、 流出バル ブ 1 3 2 5 の調整 に よってフ ロ ー メ ー タ ー 1 3 2 S の読みが《¾F₄ ZH₂ (10) ガスの流量の 1Z60 に な る様に流出ノ ルブ 1 3 2 5 の開 口 を定め 、 安定化させた。
[0697] 引 き続き 、 シ ャ タ ー 1 3 ·0 7 を閉 と して再び高周波 電源 1 3 0 8 を O N状態に して 、 グロ 一放電を再開させ た。 その と き の入力電王を 6 0 Wに した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光導電響を形成した後、 加熱ヒ ー タ 一 1 3 0 4 を ο ί ί 状態に し 、 高周波電源
[0698] 1 3 0 8 も o f f 犾態 と し基板温度が 1 0 0 Cに な る のを 待ってか ら流出バル ブ 1 3 1 3 、 1 3 2 5 及び流入バ ル ブ 1 3 1 5 、 1 3 2 7 を閉 じ 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を 全開に し て 、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ Torr 以下に した後 、 メ イ ン ノ ' ルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク ノ ル
[0699] ブ 1 3 1 1 に よって大気 Eと して基板を取 り 出 した。 こ の場合 、 形成された層の全厚は約 1 1 ^ であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実施例 3 4 と 同様の条件及
[0700] O PI 一 - び手順で転写紙上に画像形成した と こ ろ㊀コ 口 ナ放電を 行って画像形成した方が、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形 、成 した よ り も その画質が優れてお り 極めて—鮮明であった。 この結果 よ り 本実施例で得 られた像形成 ^材には帯電極 性の依存性が認め られた。
[0701] 実施例 3 9
[0702] 実施例 3 4 と 同様の条件及び手順に よってモ リ ブデ ン 基板上に 1 分間の中間層の形成を行った後、 堆積室内を 1 x 1 0一⁷ Torr ま で排気し て H₂ ( 1 0 ) ガ ス を 実施例 3 4 と 同様の手順で室内に導入 し た。 その後 H ₂ で 5 0 0 vol ppm に希釈 した B₂ H₆ ( B₂ H₆ ( 5 0 0 ) /
[0703] H 2 と記す ） ガ ス ボ ン ベ 1 3 2 4 か ら流入ノ ル ブ 1 321 を通 じて 1 cm のガ ス BE ( 出 口 E ゲ ー ジ 1 3 2 2 の 読み ） で流入バルブ 1 3 2 1 、 流出ノ ル ブ 1 3 1 9 の調 整に よ っ てフ ロ ー メ ー タ ー 1 3 2 0 の読みが &F₄/H₂ (10) ガ ス の流量の 1ノ15 に る様に流出バル ブ 1 3 1 9 の開 口 を定め 、 安定化させた。
[0704] 引 き続き 、 シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を閉 と して再び高周波 電源 1 3 0 8 を 0 N状態に し て 、 グロ 一放電を再開させ た。 その と き の入力電力を 6 0 Wに した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光導電層を形成 した後、 加熱 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 を 。 ί ί状態に し 、 高周波電源
[0705] 1 3 0 8 も 。 f f状態 と し 、 基祓温度が 1 0 に な る の を待ってか ら流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 及び流入バ
[0706] ル ブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を閉 じ 、 メ イ ン バゾレ ブ 1 3 1 2
[0707] ΟϊνίΡΙ 一 1 1 一
[0708] を全開に して 、 室 5
[0709] 1 3 0 1 を —
[0710] 0 To r r 以下に した後 、 メ イ ンノヽ'ルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 ί 3 0 1 内 を リ ー ク バル 、ブ 1 3 1 1 に よって大気 EE と して基板を取—り 出 した。 こ の場合、 形成された層の全厚は約 1 0 であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実施例 3 4 と 同様の条件及 び手順で耘写紙上に画像を形成した と こ ろ 、 Θコ ロナ放 電を行って画像形成した方が、 θコ ロ ナ放電を行って画 像形成する よ り もその画質が優れてお り 極めて鮮明であ つた。 この結果よ り 本実施例で得 られた'像形成部材には 帯電極性の依存性が認め られた。 而し 、 その帯電極性依 存性は実施例 3 7 、 3 8 で得 られた像形成部材とは逆で あった。
[0711] 実旛例 4 0
[0712] 実施例 3 4 と 同様な条件及び手願に よ って、 モ リ ブデ ン基板上に' 1 分間の中間層の形成 、 5 時間の光導電層の 形成を行った後、 高周波電源 1 3 0 8 を ο ί ί栻態と して グ ロ 一放電を 中止させた状態で流出バルブ 1 3 1 3 、
[0713] 1 3 1 9 を閉 じ 、 そ して再び流出バルブ 1 3 3 1 、
[0714] 1 3 3 7 を開 き シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を関いて中間層の形 成時 と 同様の条件に る よ う に した。 引き続き再び高周 波電源を O N拔態に してグ ロ 一放電を再関させた。 その と き の入力電力 も 中間層形成時と 同様の 1 0 0 W と した。 こ う してグ ロ 一放電を 2 分間持読させて光導電層上に上 部層を形成し た後、 高 波電源 1 3 0 8 も 。 ί ί状態 と し 、 基板温度力； 1 0 0 Cに る のを待ってか ら流出バルブ
[0715] OMPI 一 一
[0716] 1 3 3 1 、 1 3 3 7 及び流入バルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 3 1 2 を全開に し て 、 室内を
[0717] 1 0一⁵ Torr 以下に した後、 メ イ ンノ、'ル プ- 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク バル ブ 1 3 1 1 に よって大気圧 と して各層の形成された基板を取 り 出 した。
[0718] こ う し て得 られた像形成部材を実施例 3 4 と 同様の帯 電露光実験装置に設置し 、 © 6.0 KV で 0.2 sec間 コ ロ ナ 帯電を行い、 直ちに光像を照射 した。 光像はタ ン グス テ ン ラ ンプ光源を用い 1.0 lux 'secの光量を'透遏型のテ ス ト チ ャ ー ト を通 して照射させた。
[0719] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナー と キャ リ ア 一を含む ） を像形成部材表面に カ ス ケ 一 ドする こ と に よ つて '、 像形成部材表面上に良好 ¾ ト ナ ー ϋ像を得た。 像 形成部材上の ト ナー画像を 、 Θ 5.0 κ V の コ ロ ナ帯電で 転写紙上に転写した所、 餺像力に優れ 、 階 再現性の よ い鮮明 な高饞度の画像が得 ら ήた。 又㊀ 5.5 KV の コ ロ
[0720] ナ帯電 、 ④荷電性現像剤の組み合せの場合に も 、 同等に 良好 画像を得 る こ とができ た。 - 実施例 4 1
[0721] SiFi /Ή.2 ( 1 0 ) ボ ン べ 1 3 1 8 を Ar で 5 vo l に 希釈した & ガ ス （&F₄ ( 5 ) ZA r と記す ） ボ ン ベ に変 えた以外は 、 実施例 3 7 と 同様の条仵 ¾び手^に よ つて 中間層 、 光導電層を モ リ ブデ ン基 ¾上 ¾成した後 、 堆 積室 1 3 0 1 外に取 り 出 し実翁例 3 4 と 同様 帯電露光 の実験装置に静置し て画像形成の試験を した所 、 Θ 5.5.
[0722] Rk
[0723] OMFI 一 一
[0724] K V の コ ロ ナ放電 、 ④荷電性現像剤の組み合せの場合に 、 極めて良質の 、 コ ン 卜 ラ ス 卜の高い ト ナー画像が転写紙 上に得 られた。 - 実施例 4 2
[0725] 実施例 3 と 同様の操作， 条件にて像形成部材を 9 個 形成 した。 その後 、 各光導電層上に上部層を第 1 7 表に 示す如き条件 （ Α〜 Ι ) で形成 し 、 各 々 の上部層を有す る像形成部材を 9 箇 （ 試料 D 1 6 〜 D 2 4 } 作成した。
[0726] 尙 、 スパッ タ リ ング法にて上部層 A を形成する際には タ ーゲッ ト 1 3 0 5 を多結晶シ リ コ ン タ ーゲッ トが積層 された も の 、 上部層 E を形成する際 は タ ーゲッ トを
[0727] & ₃ N ₄ タ ーゲッ ト に変えた。
[0728] " 又、 グロ 一放電法にて上 層 B を形成する際には 、
[0729] SiF₄ Έ.2 ( 1 0 ) ガ ス ボン ベ 1 3 1 8 を 、 H 2 で 1 0
[0730] vo l に希釈された B ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス ボ ン ベ に 、
[0731] B₂ H₆ ( 5 0 0 ) Ή.Ζ ガ スボン ベ ί 3 2 4 を 、 Η ₂ で 1 0 vo l に希釈された C2 Η·₄ ( C₂ H₄ ( 1 0 ) ZH₂ と記す ） ガ ス ボ ン ベ に 、 上部層 C ¾形成する際には B₂H₆ (500)/
[0732] H 2 ガ ス ボ ン ベ 1 3 2 4 を 11 ₂ で 1 0 vo l に希釈され た （ C H₃ ) 4 ボンベに 、 上部罾 D を ¾成する際には上 部，¾ Β の形成の際と 同様に B₂ H_S ( 5 0 0 ) /Kz ガス ボン
[0733] ベ 1 3 2 4 を 0₂ 114 ( 1 0 ) Hz ガ ズ ボ ン べに 、 上部層
[0734] F , G を形 する際には P F₅ Rz ( 1 0 ) ガス ボン ベ
[0735] 1 3 3 '0 を H .₂ で 1- 0 vo l に希 された N H₃ ガ ス ボ ン べ 、 F₄ H₂ ( 1 0 ) ガス ボ ン ベ 1 3 1 8 を 、 H ₂
[0736] ΟΜΡΓ で 1 0 vol に希釈された SiH ( 1 0 ) Έ.2 ガスポン べに 、 上部層 I を形成する 際は B₂ H₆ ( 5 00 ) /B.2 ガ
[0737] ス ボ ン べ 1 3 2 4 を H ₂ で 1 0 vol に希-釈された
[0738] NH₃ に変えた。
[0739] 実施例 3 4 と 同様に し て基板上に中間層 、 光導電層を 形成 した も のを用意し 、 その後第 1 7 表に示す条件で各 光導電層上に上部層 A〜 I を各 々 に形成して像形成部材 9 箇 （ 試料 ¾ D 1 6 〜 D 2 4 ) を得た。 これ等の試料
[0740] D 1 6 〜 D 2 4 の像形成部材に就て 、 各々 実施例 3 と 同様の操作、 条件に て像形成を行って転写紙に転写した と こ ろ 、 何れ も 帯電極性に対する依存性がな く 極めて鮮 明 な 卜 ナ一像が得 られた。
[0741] 実施例 4 3 · ,
[0742] あ らか じめ多結晶 * タ ーゲッ 卜 を ₃ N₄ タ ーゲッ 卜に 変えた上で実施例 3 4 と 同様な条件及び手願に従い中間 層を形成 し 、 さ らに実施例 3 4 と 同様に して光導電層を 形成した。
[0743] その後、 各光導電 ¾上に実施例 4 2 と 同様に し て、 第
[0744] 1 7 表に示す上部層 A 〜 I を各 々 有する像形成部材 6 ケ ( 試料 N0₅ D 2 5 〜 D 2 9 ) を各 々実施例 3 4 と 同様の 操作、 条件に て像形成を行って ^写紙に 写した と こ ろ 何れ も 帯電極性に対する依存性がな く 極めて ^明 ¾ 卜 ナ 一像が得 られ た。
[0745] 実施例 4 4
[0746] 完全に シ ー ル ドされたク リ ー ン ル ー ム中に設置された
[0747] OMPI 1 7
[0748]
[0749] 4 R£A" OMPI 一 1 - 第 1 3 図に示す装置を用い、 以下の如 き 操作に よって電 子写真用像形成部材を作製 した。
[0750] 表面が清浄された 0.5 «πζ厚 1 0 cm角の モ— リ ブデン板
[0751] ( 基板 ） 1 3 0 2 を グ ロ 一放電性堆積室' 1 3 0 1 内の所 定位置に あ る固定部材 1 3 0 3 に堅固に固定した。 基板
[0752] 1 3 0 2 は 、 固定部材 1 3 0 3 内の加熱 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 に よって ± 0.5 Cの精度で加熱される。 温度は 、 熱電対
[0753] ( ア ル メ ル一ク ロ メ ル ） に よって基板表面を直接測定さ れる よ う に な された。 次いで系内の全バルブが閉 じ られ ている こ と を確認 して；^ ら メ イ ンノ ル ブ 1 3 1 2 を全開 し て 、 室 1 3 0 1 が排気され 、 約 5 X 1 0— torr の真空 度に した。 その後 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 の入力電 Eを上昇さ せ、 モ リ ブ デ ン基板温度を検知し が ら入力電圧を変化 させ、 2 0 0 C の一定値 る ま で安定させた。
[0754] その後 、 補助バルブ 1 3 0 3 、 次いで流出バル ブ
[0755] 1 3 1 3 、 1 3 1 3 、 1 3 3 1 、 1 3 3 7 及び流入ノ ル ブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を全開 し、 フ ロ ー メ ー タ 一 1 3 1 4 、 1 3 2. 0 、 1 3 3 2 、 1 338 内 も十分脱気真空状態に された。 褙助バ ルブ 1 3 0 3 、 ノ ルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 9 、 1 3 3 1 、 1 3 3 7 ,
[0756] 1 3 1 5 、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を閉 じた後、 H 2 で 1 0 vo l に稃^された ガ ス （ 以後
[0757] SiR ( 1 0 ) Ή.2 と ¾す。 ¾ 9 9.9 9 % ) ボ ン べ
[0758] 1 3 3 6 のノ ル ブ 1 3 3 5 、 N ₂ ( 純度 9 9.9 9 ) ガ ス ボ ン べ 1 3 4 2 のノ ルブ 1 3 1 を開け、 出 口圧ゲ 一 ΟΜΡΪ — —
[0759] ジ 1 3 3 4 、 1 3 4 0 の を I K ノ cm ² に調整し、 流入 バルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 9 を徐々 に関けてフ ロ ー メ ー タ
[0760] 一 1 3 3 2 、 1 3 3 8 内へ 4 ( 1 0 ) ₂ ガ ス 、 N ₂
[0761] ガ スを流入させた。 引続いて 、 流出バルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を徐 々 に開け、 次いで補助バルブ 1 3 0 3 を徐 々 に開けた。 こ の と き ( 1 0 ) /Έ.2 ガ ス流量と Ν ₂
[0762] ガス流量比が 1 ： 1 0 に る よ う 流入バルブ 1 3 3 3 、 1 3 3 3 を調整した。 次にビ ラ ニ ーゲー ジ 1 3 1 0 の読 みを注視し なが ら補助バルブ 1 3 0 3 の開 口を調整し 、 室 1 3 0 1 が 1 X 1 0一² torr に る るま で褐动バルブ
[0763] 1 3 0 3 を開けた。 室 1 3 0 1 内圧が安定 してか ら、 メ イ ンバルブ 1 3 1 2 を徐々 に閉 じ、 ピ ラ ニ ーゲー ジ
[0764] 1 3 1 0 の指示が 0.5 torr に な るま で関口を絞った。
[0765] ガス流入が安定し内 Eが安定する のを碹認しさ らに シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 ( 電極 も漦ねる ） が閉 じてい る こ と を確 認した上で続いて高周波電源 1 3 0 8 のス ィ ッ チを 0 Ν
[0766] 状態にして 、 電極 1 3 0 3 、 シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 間に
[0767] 1 3-5 6 Μ Hzの高周波電力を投入し室 1 3 0 1 内にグ ロ
[0768] 一放電を発生させ、 3 Wの入力電力 と した。 上記条件で 基板上に a — （ &_χ Νι— _x ) y ： Hi—; j， を堆積させて中間 層を形成する為に 、 1 分間条件を保った。 その後、 高周 波電源 1 3 0 8 を o f f 状態 と し 、 グ ロ 一故電を 中止させ た拭態で、 流出ノ ルブ 1 3 3 1 , 1 3 3 7 を閉 じ 、 メ イ
[0769] ン バルブ 1 3 1 2 を全開 して室 1 3 0 7 のガ スを抜き
[0770] 5 X 1 0~⁷ torr ま で真空に した。 その後 、 ¾助バルブ
[0771] C FI 一
[0772] 1 3 0 9 を閉 じた。
[0773] 次に 、 H ₂ ガス を 1 0 vol 含む ガ ス （ 以後
[0774] SiF, /Ή.2 ( 1 0 ) と 略す。 9 9 -9 9 ） ポ-ン ベ 1 3 1 8 の ノ ルブ 1 3 1 7 、 H 2 で 5 0 0 vol ppm に稀釈された B₂ H₆ ガ ス （ 以後 B₂ H₆ ( 5 0 0 ) /Ή.2 と珞す。 純度
[0775] 9 9.9 9 ） ボ ン べ 1 3 2 4 のバノレブ 1 3 2 3 を開け、 出、口圧ゲー ジ 1 3 1 6 、 1 3 2 2 の圧を 1 ^² に調 整し 、 流入バルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を徐 々 に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 1 4 、 1 3 2 0 内へ 5iF4 /H₂ ( 1 0 ) ガス 、 B ₂ H₆ ( 5 0 0 ) ZH₂ ガス を.流入さ せた。 引続いて 流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 を 徐 々 に開け、 次いで補 助ノ ルブ 1 3 0 9 を徐 々 に開けた。 この と き &F₄Z¾(10) ガ ス流量 と Β₂ Η₆ /Έ. ζ ( 1 0 ) ガ ス流量比が 7 0 ： 1 に る る よ う 流入バルブ 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を調整した。 次 に ピ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 3 1 0 の読みを注視し ¾ が ら補助バ ルブ 1 3 0 9 の開 口 を調整し 、 室 1 3 0 1 内が 1x10一² tor r に な る ま で補助バルブ 1 3 0 9 を開けた。 室
[0776] 1 3 0 1 内 が安定し てか ら 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を 徐 々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 3 1 0 の指示力 0 -5 torr に な る ま で開 口 を铰つた。 ガ ス流入が安定 し内 Eが安定 するのを確認 し 、 さ らに シャ ッ タ ー 1 3 0 ア が閉 じてい る こ と を確認し た上で高周波電源 1 3 0 8 の ス ィ ッ チ を 0 N状態に し て、 電極 1 3 0 3 、 シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 間 に 1 3.5 6 MHz の高周波電力を投入し室 1 3 0 1 内に グ ロ ー放電を発生させ、 6 0 Wの入力電力 と し た。 グ ロ 一
[0777] OMPI
[0778] wi 。 一 一
[0779] 放電を 3 時間持読させて光導電層を形成した後 、 加熱ヒ 一-タ ー 1 3 0 4 を of f 状態に し 、 高周波電^ 1 3 0 8 も of f 状態と し 、 基板温度が 1 0 0 Cにる る-のを待ってか ら流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 及び流-入バルブ 1 3 1 5、 1 3 2 1 、 1 3 3 3 を閉 じ、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を全 関に して、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ torr 以下に した後、 ' メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク ノ ル ブ 1 3 1 1 に よって大気 Eと して基板を取 り 出 した。 こ の場合 、 形成された層の全厚は約 9 であった。 こ う し て得 られた像形成部材を帝電露光実験装置に設置し 、
[0780] Θ 6.0 KV で 0.2 sec間コ ロ ナ带電を行 い 、 直ちに光像 を照射 した。 光像は 、 タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光録を用い、 0.8 lux ^の光量を透過型のテ ス 卜 チ ヤ一 卜 を通して照 射させた。
[0781] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナー と キ ャ リ ア —を含む ） を部材表面に カ ス ケ ー ドする こ とに よって 、 部材表面上に良好な ト ナ ー画像.を得た。 截材上の ト ナ ー 画像を 、 Θ 5' .0 KV の コ ロ ナ帯電で ¾写紙上 ¾写した 所 、 解像力に優れ 、 階調再現拴の よい鮮明 高邊度の画 像が得 られた。
[0782] 次に上記像形成部材に就て 、 帯電露光実験袅量で㊀
[0783] 5 -5 で、 0.2 sec間の コ ロ ナ帯電を行い、 直ちに 0.8 lux 'secの光量で、 画像露光を行い 、 その後 Sちに ©荷電 倥の現像剤を部材表面 カ ス ケ ー ドし 、 次に ¾写紙上に ¾写 ' 定着した と こ ろ 、 めて鮮 ¾ 画像が得 られた。
[0784] OMPI こ の結杲と 先の結果か ら 、 本実施例で得 られた電子写 真用像形成部材は 、 帯電極佺に対する依存性が く 、 両 極性像形成部材の特性を具備し ている こ と-が判った。 実施例 4 5
[0785] モ リ ブデ ン基板上に中間層を形成する絝のグ 口 一放電 保持時間を 、 下記の第 1 8 表に示す様に 、 種々 変化させ た以外は 、 実施例 4 4 と 全 く 同様の条件及び手順に よ つ て試料 τ¾ Ε 1 〜 Ε 8 で示される像形成部材を作成 し 、 実 M 3 と 全 く 同様の帯電露光実験装置に設置し て同様 の画像形成を行った と こ ろ下記の第 1 8 表に示す如き 結 杲を得た。
[0786] 第 1 8 表に示される结杲か ら判る様に本発 ¾の 目 的を 達成する には 、 中間層の膜厚を 3 0 Α〜 ι 0 0 O Aの範 囲で形成する必要があ る。
[0787] 第 1 8 表 '
[0788]
[0789] X ： 不ロ了
[0790] 中間層の獏 積速度 ： 1 A / sec 実施例 4 6
[0791] モ リ ブデン基板上に中間層を形成する際の中間層にお ける ( 1 0 ) /H₂ ガ ス と N 2 ガス の 量比を第 1 9 表に示す様に種々変化させた以外は 、 実施例 4 4 と全 く 同様の条件及び手順に よ って試料 F 9 〜 F 1 5 で示され る像形成部材を作成 し 、 実施例 4 4 と全 く 同様の帯電露 光実験装置に設置して同様の画像形成を行った所、 第
[0792] 1 9 表に示す如き結杲を得た。 尙、 試料 F l 1 〜 F 1 5 の中間層のみをォージェ電子分光分析法に よ り 分析した 結杲を第 2 0 表に示す。 第 9 , 2 0 表に示され 結杲か ら判る様に本発明の 目 的を達成するには中間層における
[0793] と Nの組成比に関係する Xを 0.6 0 〜 0.4 3 の範囲で 必要があ る。
[0794] 丄 9
[0795]
[0796] ◎ : 優 〇 ： 良 実用上使用し得る
[0797] X ： 不可
[0798] CMFI 2 0 表 実施例 4 7 実施例 4 と 同様の条件及び手顾に従って中間層を形 成 した後 、 ボ ン べ 1 3 3 S のノ ルブ 1 3 3 5 、 ボ ン べ 1 3 4 2 のバルブ 1 3 ·4 1 を閉 じて室 1 3 0 1 内のガ ス を抜き 5 X 1 0一⁷ torr ま で真空 した。 その後 、 補助 ノ、' ゾし ブ 1 3 0 9 、 流出ノ ル ブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 、 流入 ノ ゾレブ 1 3 3 3 、 1 3 3 S を閉 じたのち 、 /H₂ (10) ガ ス ボ ン ベ 1 3 1 8 の ゾ < ルブ 1 3 1 7" を 開け、 出 口 ゲ ージ 1 3 1 δ め Eを 1 / ² に詞整し 、 流入バルブ
[0799] 1 3 1 5 を徐 々 に開けて フ ロ ー メ ー タ ー 1 3 1 4 内へ SiFi /H₂ ( 1 0 ) ガス を流入させた。 引続いて 、 流出バ ルブ 1 3 1 3 を徐々 に '開け、 次いで補助バルブ 1 3 0 9 を徐々 に 開けた。 ' - .
[0800] 次に ビラ ニ ーゲー ジ 1 3 1 0 の読みを注視し なが ら補 助 ノ s'ルブ 1 3 0 9 の開 口 を謂整し 、 室 1 3 0 1 内が 1 X
[0801] —2
[0802] 0 0 r rに な る ま で補动バルブ 1 3 0 3 を開けた。 室
[0803] 1 3 0 1 内圧が安定 してか ら 、 メ イ ン ノ ル ブ 1 3 1 2 を 徐々 に閉 じ 、 ピラ ニ ーゲ ージ 1 3 1 0 の指示が 0.5 ton に る ま で関 口 を絞ったつ ガス流入が安定し 内王が安定 する のを確認し シ ャ ッ タ ー 1 3 0 7 を閉 と し 、 続いて高 周波電潺 1 3 0 8 のス ィ ッ チ を O N钛態に し て 、 シ ャ ツ
[0804] ΟΜΡΐ タ ー 1 3 0 7 、 電極 1 3 0 3 間に 1 3 . 5 6 MH zの高周波 電力を投入 し室 1 3 0 1 内にグロ 一放電を発生させ、 6 0 Wの入力電力 と した。 グロ 一放電を 3-時間持続させ て光導電層を形成した後、 加熱ヒ ータ ー · 1 3 Q 4 を o f f 状態 し 、 高周波電源 1 3 0 8 も o f f状態 と し 、 基板温 度が 1 0 0 C にな る のを待ってから流出バルブ 1 3 1 3 及び流入バルブ 1 3 1 5 を閉 じ、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を全開に して 、 室 1 3 0 1 内を 1 0一⁵ t o r r ¾下に した 後 、 メ イ ン バルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク バ ルブ 1 3 1 1 に よって大気 E と して各層の形成された 基板を取 り 出 した。 この場合 、 形成された層の全厚は約 9 であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実施例 3 4 と 同様の手順に従い ¾写紙上に画像形成した と こ ろ Θコ ロ ナ放電を行って画像形成した方が、 Θ コ ロ ナ放電 を行って画像形成した よ り も その画質が優れてお り 極め て鮮 であった。 こ の結杲よ り 本実施例で得 られた像形 成部材には帯電極性の依存性が認め られた。
[0805] 実施例 4 8
[0806] 実施例 4 4 と 同様る条件及び手順に よって 、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の中間層の形成 、 5 時間の光導電層の 形成を行った後 、 高周波電源 1 3 0 8 を o i f 状態 と して グ ロ 一放電を 中止させた 態で、 流 S バルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 を開 き 、 中間層の形成時 と 同様の条伴に る よ う に した。 引 き き 再び高局铰電源を 0 _n 袄態に してグ ロ ー放電を再開させた。 その と き の入力電力 も 中間層形 一 一
[0807] 成時 と同様の 3 W と し た。 こ う し てグ ロ 一放電を 2 分間 持続させて光導電層上に 、 上部層を形成 した後 、 加熱 ヒ 一タ ー 3 0 4 を ο ί ί状態に し 、 高周波電 1 3 0 8 も
[0808] 。 ί ί状態 と し 、 基板温 sが 1 0 o cに な-る のを待ってか ら流出ノ ルブ 1 3 3 1 、 1 3 3 7 及び流入バル ブ 1 33 ,3、 1 3 3 3 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 3 1 2 を全開に し て 、 室 1 3 0 1 内を 0' torr 以下に した後 、 メ イ ンノ ル ブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク バルブ 1 3 1 1 に よ って大気圧 と して基 ¾を取 り 出 した。 こ う し て得 ら れた像形成部材を 、 実 例 4 5 と 同様の帯電露光実験装 置に設置し 、 Θ 6.0 V で 0.2 sec間コ ロ ナ带電を行い 、 直ちに光像を照射 した。 光像は 、 タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光 源を用い、 1.0 lux 'secの允量を透過性のテ ス 卜チ ヤ 一 卜 を通し て照射させた。
[0809] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナ ー と キ ヤ リ ャ 一を含む ） を像形成部 表面 カ ス ケ一 ドする こ と に よ つて 、 像形成部材表面上に良好 ト ナ ー画像を得た。 像 形成部材上の ト ナ ー画像を 、 （5) 5.0 KV の コ ロ ナ带電で ¾写紙上に転写した と こ ろ 、 II像力に優れ 、 階調再現性 の よぃ鋅明 高濃度の！：像が得 られた。 又、 ㊀ 5.5 K V の コ ロ ナ帯電 、 ④荷電住現像斉; jの組合せの場合に も 同様 に良好な画像が得 られたつ
[0810] 実施例 4 9
[0811] 実施例 4 4 と 同様な条 及び手履に よ って モ リ ブデン 基板上に 1 分間の中間層の形^を行った後 、 淮積室内を 5 x 1 0一⁷ torr ま で排気して F₄ /H₂ ( 1 0 ) ガスを実 施例 4 4 と 同様の手順で室内に導入した。 その後、
[0812] B ₂ H₆ ( 5 0 0 ) ZH₂ ガスボンベ 1 3 2 4 カ ら流入ノ、 'ルブ
[0813] 1 3 2 1 を通 じて 1 Z Ctti のガス £ い出 口 ゲージ
[0814] 1 3 2 2 の読み ） でフ ロ ー メ ー タ ー 1 3 2 0 にガスを流 し 、 流出バルブ 1 3 1 3 の調整に よって フ ロ ー メ ータ 一
[0815] 1 3 2 0 の読みが & /Ή.2 ( 1 0 ) ガスの流量の · 1/15
[0816] に な る様に流出バルブ 1 3 1 3 の開口 を定め、 安定化さ せた。
[0817] 引続き 、 シャツ 夕 1 3 0 7 を閉 と して再び高周波電源
[0818] 1 3 0 8 を O N状態に して、 グロ 一放電を再関させた。
[0819] そのと き の入力電力を 6 0 Wに した。 こ う してグロ 一放 電を更に 4 時間持続させて光導電層を形成した後、 加熱 ヒ ーター 1 3 0 4 を 。 f f 態に し 、 高周波電潭 1 3 0 8 も o f f 状態 と し 、 基板温度が 1 0 に な るのを待って か ら流出バルブ 1 3 1 3 、 1 3 1 3 及び流入バルブ
[0820] 1 3 1 5 、 1 3 2 1 を閉 じ、 メ イ ンバルブ 1 3 2 1 を全 開に して、 室 1 3 0 1 内を 0一 o
[0821] torr 以下 した
[0822] メイ ンバルブ 1 3 2 1 を閉 じ、 室 1 3 0 1 内を リ ー クバ ルブ 1 3 1 1 に よって大気 と して各屬の形成された基 板を取出 した。 この場合 、 形成された層の全厚は約 1 0
[0823] であった。 こ う して得 られた像形成部材を 、 実施洌 4 と 同様の条俘及び手願で ¾写,紙上に画像を形成 した と こ ろ 、 ©コ ロ ナ放電を行って画像形成 した方が、 Θコ ロ ナ 放電を行って画像形成した よ ⁷ も その画質が優れて り
[0824] OMPI 極めて鮮明であった。 この結果 よ り 本実施例で得 られた 像形成部材上には帝電極性の依存性が認め られた。
[0825] 実施例 5 0
[0826] 実施例 4 4 と 同様な条件及び手順に よってモ リ ブデン 基板上に 1 分間の中間層の形成を行った後 、 堆積室内を 5 X 1 0一⁷ t o rr ま で排気して F4 ZH2 ( 1 0 ) ガ ス を 実施例 4 4 と 同様の手廨で室内に導入 した。 その後 H ₂ で 2 5 0 vo l ppmに稀釈した ： P F₅ ガ ス （ 以後 P F₅
[0827] ( 2 5 0 ) /Ή.₂ と略す。 純度 9 9.9 9 9 °h ) ボン べ 1 330 か ら流入バルブ 1 3 2 7 を通 じて 1 ¾τ Z ² のガ ス Ε
[0828] ( 出 口圧ゲージ 1 3 2 8 の読み ） でフ ロ ー メ ー タ 一
[0829] 1 3 2 S にガスを流 し 、 流出'バルブ 1 3 2 5 の調整に よ つてフ ロ ー メ ー タ ー 1 3 2 6 の読みが S F₄ /Ή.Ζ ( 1 0 ) ガスの流量の 1/60 に る様に流出バルブ 1 3 2 5 の関 口 を定め 、 安定化さ ·¾た。
[0830] 引続き 、 シャッ ター 1 3 0 7 を開 と し て再び高周波電 源 1 3 0 8 を O N状態に して 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電 Eを 6 0 Wに した。 こ う して グロ 一放 電を更に 4 時間持続させて光導電層を形成 した後 、 加熱 ヒ ー タ ー 1 3 0 4 を οίί :態に し 、 高周波電源 1 3 0 8 も of f 状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 C に る るの を待って か ら流出ノ ルブ 1 3 1 3 、 1 3 2 5 及び流入バルブ
[0831] 1 3 1 5 、 1 3 2 7 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 3 1 2 を全 開に して 1 3 0 1 内を —5
[0832] 0 t o r r 以下に した後 、 メ イ ン ゾ χ·ルブ 1 3 1 2 を閉 じ室 1 3 0 1 内を リ ー ク ノ ル ブ 1 3 1 1 に よって大気 と して基板を取 り 出 した。 こ の場合、 形成された層の全厚は 1 1 であった。 こ う し て得 られた像形成部材を 、 実施例 4 と 様の条件及び 手順で転写紙上に画像を形成した と こ ろへ Θコ ロ ナ放電 を行って画像を形成した方が、 ©コ ロ ナ放電を行って画 像形成した よ り もその画質が優れてお り 極めて銲明であ つた。 こ の結杲よ り 本実施例で得 られた像形成部材には 帯電極性の依存性が認め られた。 ' 実施例 5 1
[0833] モ リ ブデ ン基板に変えて表面が清浄にされた 、 コ 一二 ン グ 7 0 5 3 ガラ ス （ l mn厚、 4 X 4 cm 両面研磨した も の ） 表面の一方に 電子ビ ーム蒸着法に よつて I T 0 を 1· 0 0 O A蒸着した も のを 、 実施例 と 同様の装置 ( 第 1 3 図 ） の固定部材 1 3 0 3 上に I T O蒸着面を下 面に して設置し 、 又 N ₂ ガ ス ボ ン ベ 1 3 4 2 を H ₂ ガ ス で 1 0 vol に稀釈された NH₃ ( NH₃ ( 1 0 ) /Έ._ζ と 記 す ） ガ ス ボ ン ベ に変え 、 中間層形成時の Η₄ ( 10 ) /H 2 ガ ス流量と ΝΗ₃ ( 1 0 ) /Η₂ ガ ス流量の比を 1 : 2 0 に した以外は 、 実施例 4 7 と 同様な条^及び手順に よって、 中間層 、 光導電層を I T O基板上に形成 した後、 堆積室 1 3 0 1 外に取 り 出 し 、 実施例 4 4 と 同様に带電露光の 実験装置に静置して画像形成の試験を した と こ ろ 、 Θ 5-5 KV の コ ロ ナ放電、 ©荷電 現像剤の組合せの場合 に極めて良質の コ ン 卜 ラ ス 卜 の高い ト ナ ー画像が ¾写羝 上に得 られた。 一 一
[0834] 実施例 5 2
[0835] 実施例 4 4 と 同様の操作、 条件にて像 ¾成部材 9 ケ形 成した。 その後各部材の光導電層上に上 層を第 2 1 表 に示す如 き 条件 （ A 〜 I ) で形成し 、 各-々 の上部層を有 する像形成部材を 9 ケ （ 試料 E 1 6 〜 E 2 4 ) 作成し 十'
[0836] 尙、 ス パ ッ タ リ ン グ法に て上部層 A を形成する際には タ ー ゲ ッ ト 1 3 0 5 を多結晶 シ リ コ ン タ ー ゲ ッ ト上に部 分的にグ ラ フ アイ 卜 タ ーゲッ トが積層された も のに し 、 更に N ₂ ガ ス ボ ン ベ 1 3 4 2 を 、 Ar ガ ス ボン ベ に変え た。 又上部層 Ε を形成する際には タ ー ゲ ッ 卜を ₃ Ν₄ タ ー ゲ ッ ト に 、 Ν 2 ガ ス ボ ン ベ 1 3 4 2 を Ar ガ ス で
[0837] 5 0 %稀釈された N ₂ ガスボンベに変えた。 又 、 グロ 一 放電法に て上部層 B を形成する際には 、 B ₂ H₆ ( 5ひ 0 )
[0838] /Έ.2 ガ ス ボ ン ベ 1 3 2 4 を H 2 で 1 0 vo l に稀釈さ れた C₂ H4 ( C₂ H₄ ( 1 0 ) /Ή.ζ と記す ） ガ ス ポ ンべに 、 上部層 C を形成する際には B ₂ H₆ ( 5 0 0 ) /Έ.2 ガスボ ン ベ 1 3 2 4 を H ₂ で 1 0 vo l に稀^された （ C ¾ ) ₄ ガス ボンベに 、 上部層 D を形成する際 は 、 上部層 B の 形成の際と 同様に B₂ H₆ ( 5 0 0 ) ZH₂ ガ ス ボ ン ベ 1 324 を C2 H₄ ( 1 0 ) /H₂ ガ ス ボ ン ベ に 、 上部層 G を形成する 際に は P F₅ ( 2 5 0 ) z ガ ス ボ ン ベ 1 3 3 0 を H ₂ で
[0839] 1 0 vo l に稀釈された N H₃ ( NH₃ ( 1 0 ) /H₂ と 記す ） ガ ス ボ ン ベ に 、 上部層 I を形成する際には P F₅ ( 2 5 0 ) /H₂ ガ ス ボ ン ベ 1 3 3 0 を NH₃ ( 1 0 ) /Ή.ζ ガ ス ポ ン
[0840] WIFO 第 2 1
[0841] 一 一
[0842] べに夫 々 変えた。
[0843] 実施例 3 4 と 同様に 中間層 、 光導電層を基板上に形成 した も のに第 2 1 表に示す上部層 A 〜 I を各 々 設けた像 形成部材 9 ケの各々 について実施例 4 4—と 同锾の操作、 条件にて像形成を行って ¾写紙に転写した と こ ろ 、 何れ も 帯電極性に対する依存性が ¾ く 極めて鲜明 な ト ナ ー像 が得 られた。
[0844] 実施例 5 3
[0845] 完全に シ ー ル ドされた ク リ ー ン ル ー ム中に設置された 第 1 4 図に示す装置を用い 、 以下の如き 操作に よって電 子写真用像形成部材を作製した。
[0846] 表面が清浄にされた 0 · 5 顏厚 1 O OT角のモ リ ブデ ン板 ( 基板 ） 1 4 0 9 を支持台 1 4 0 2 上に静置されたグ ロ 一放電堆積室 1 4 0 1 内の所定位置に あ る固定部材
[0847] 1 4 0 3 に堅固に固定した。 基板 1 4 0 3 は 、 固定部材 1 4 0 3 内の加熱ヒ ー タ ー 1 4 0 8 に よって ± 0.5 ：の 精-度で加熱される。 温度は 、 熱電対 （ ア ル メ ル ク ロ メ ル に よって基板裏面を直接測定され る よ う に された。 つ いで系内の全バルブ が閉 じ られている こ と を ¾認し てか ら 、 メ イ ン ノ ゾしブ 1 4 1 0 を全 ϋ して 、 室 1 4 0 1 内が 排気され 、 約 5 X 1 0一⁶ torr の真空度 した。 その後 ヒ ー タ 一 1 4 0 8 の入力電圧を上昇させ、 モ リ ブデ ン基 板温 ¾ ¾検知し が ら入力電圧を変化させ、 2 0 0 Cの 一定値に な るま で安定させた。
[0848] その後 、 補助バ ル ブ 1 4 4 0 、 ついで- ϋ出ノ、' ル ブ
[0849] ΟΜΡί W 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 1 4 2 7 及び流入バルブ 1 4 2 0 一 2 、 1 4 2 1 、 1 4 2 2 を全開し 、 フ ロ ー メ ータ ー
[0850] 1 4 1 6 、 1 4 1 7 、 1 4 1 8 内 も十分税-気真空 態に された。 補助バルブ 1 4 4 0 、 ノ ル ブ 1 ·4 2 5 、 1 4 2 S、 1 4 2 7 、 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 、 1 4 2 2 を閉 じた 後、 Η ₂ を 1 0 vol % 含む ガ ス （ 以後 F₄ Z
[0851] H₂ ( 10 ) と略す。 純度 9 9.9 9 9 % ) ボ ン べ 1 4 1 2 の バルブ 1 4 3 を闘け、 出 口 ゲ ー ジ 1 4 3 5 、
[0852] 1 4 3 S の を 1 K _OT 2 に調整し 、 流入バル ブ 1 4 20 一 2 、 1 4 2 1 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー ター 1 4 1 S 、 1 4 1 7 内へ ·¾Ρ^ ΖΗ₂ ( 1 0 ) ガ ス 、 Ν ₂ ガ ス を流入さ せた。 引続いて、 流出バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 S を徐々 に開け 、 ついで補助バルブ 1 4 4 0 を徐々 に関けた。 こ の と き ΖΗ₂ ( 1 0 ) ガス流量 と Ν ₂ ガ ス流量比が 1
[0853] ： 9 0 にな る よ う に流入バルブ 1 4 2 0 、 1 4 2 1 を調 整した。 次に ビ ラ 二 一ゲ ー ジ 1 4 4 1 の読みを注視し ¾ が ら補,助バル ブ 1 4 4 0 の開-口を調整し 、 室 1 4.0 1 内 が 1 X 1 0一² torr にな る ま で^助バ ルブ 1 4 4 0 を関 けた。 室 1 4 0 1 内圧が安定し てか ら 、 メ イ ン ノヽ'ル ブ
[0854] 1 1 0 を徐々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示 が 0.5 torr に な る ま で開口 を校った。 ガ ス ^入が安定 し内圧が安定する のを確認した。 続いて高周波電源
[0855] 1 4 4 2 のス ィ ッ チを O N して 、 誘導コ イ ル
[0856] 1 4 4 3 に 1 3.5 6 MHz の高局豉電力を投入コ イ ル部
[0857] ( 室上部 ） の室 1 4 0 1 内に グ ロ 一放雪を髡生させ、
[0858] O PI一 一 一
[0859] 6 0 Wの入力電力 と した。 上記条件で基板上に層 を堆積 させる為に 1 分間条件を保って中間層を形成した。
[0860] その後、 高周波電源 1 4 4 2 を o f f 状態と し 、 グ ロ 一 放電を中止させた状態で、 流出バルブ Γ 4 2 6 を閉 じ 、 次に H ₂ で 5 0 0 vo l ppm に稀釈された B₂ H₆ ガ ス （ 以 後 B₂ H5 ( 5 0 0 ) Ή.2 と略す。 純度 9 9 - 9 9 9 % ) ボ ン ベ 1 4 1 3 のノ ル ブ 1 4 3 2 を開け、 出 口圧ゲ ー ジ
[0861] 1 4 3 7 の圧を 1 ¾ ^：² に調整し 、 流入バル ブ 1 4 2 2 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 8 内へ B ₂ H₆ (500) / H 2 ガ ス を流入させた。 引銃いて流出バルブ 1 4 2 7 を徐々 に開けた。 この と き B ₂ H₆ ( 5 0 0 ) /H₂ ガ ス流量 と Rz ( 1 0 ) ガ ス流量比が 1 ： 7 0 に な る よ う に 流入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 2 を調整した。 次に中 間層の形成時と 同様に ピ ラ ニ ーゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示が 0.5 to rr にな る よ う に補助バルブ 1 4 4 0 、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 の開 口を調整し 、 安定させた。
[0862] 引続 き 、 再び高周波電源- 1 4 2 を 0 N状態に し て 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を以前 と 同様に 6 0 Wにし た。 こ う し てグ ロ 一放電を更に 3 時間 持続させて光導電層を形成 し た後 、 加熱 ヒ ー タ ー
[0863] 1 4 0 8 を 。 i f 態に し高周波電源 Ί 4 4 2 も 。 f i 状態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cに ¾ る のを待ってカゝ ら流出 /
[0864] ル ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 7 及び流入バ ルブ 1 4 2 0 — 2 、
[0865] 1 2 1 , 1 4 2 2 を閉 じ、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を全 開に し て 、 室 1 4 0 1 を 1 0一⁵ t orr 以下に した後メ
[0866] _Ο ΡΪ ' イ ン バルブ 1 4 1 0 を閉 じ 、 室 1 4 0 1 内を リ ー ク バル ブ 1 4 4 3 に よって大気圧と して基板を取岀 した。 この 場合 、 形成された層の全厚は 9 ^ であつた-。 こ う して作 られた像形成部材を 、 帝電露光実験装置 _に設置し、 Θ
[0867] 6.0 V で 0.2 sec間 コ ロ ナ带電を行い 、 直ちに光像を照 射した。 光像は タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光源を用い 、 0.8 lux 'secの光量を透過型のテ ス ト チ ヤ 一 卜 を通して照射さ せた。
[0868] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ ト ナー と キ ヤ リ ャ 一を含む ） を部材表面に カ ス ケ一 ドする こ とに よって、 部材表面上に良好な ト ナ ー画像を得た。 ¾3材上の ト ナ ー 画像を 、 ® 5.0 KV のコ ロ ナ带電で耘写紙上に ¾写した と こ ろ 、 解像力に優れ、 階調再現拦の良い^明 高饞度 の画像が得 られた。
[0869] 次に上記像形成部材について 、 帯 «露光実験装置で θ
[0870] 5.5 V で 0.2 sec間のコ ロ ナ帯電を行い 、 直に 0.8 lux- secの光量で画像露光を行い、 その後直ち ©帯電性の現 像剤を部材表面に カ ス ケー ドし 、 次に ¾写羝上に ¾写 .
[0871] 定着した と こ ろ極めて鮮明 ¾画像が得 られた。
[0872] この結果から本実施例で得 られた電子写真 像形成部 材は帯電極性に対する依存性がる く 、 両極性像形成部材 の特性を具備している こ と がわかった。
[0873] 実施例 5 4
[0874] モ リ ブデ ン基板上に 中間 Sを形成する際のグ ロ 一放電 保持時間を 、 下記の第 2 2 表に示す様に種 々変化させた
[0875] ΟΜΡΙ 一 一
[0876] 以外は実施例 5 3 と 全 く 同様の条件及び手順に よって試 料^ F 1 〜 F 8 で示される像形成部材を作成し 、 実施例 5 2 と全 く 同様の帯電露光実験装置に設 »して同様の画 像形成を行った と こ ろ下記の第 2 2 表に ·示す如 き 結杲を 得た。
[0877] 第 2 2 表に示される結果か ら判る よ う に 、 本発明の 目 的を達成する には中間層の膜厚を 3 0 A〜 1 0 0 O Aの 範囲で形成する必要があ る。
[0878] 第 2 2 表
[0879]
[0880] ◎ : 優 〇 ： 良 : 実用上使用 し得る - 乂 ： 不可
[0881] 中間層の膜淮積速度 ： 1 k/sec
[0882] 実施例 5 5
[0883] モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成する際に F ₄ /
[0884] H₂ ( 1 0 ) ガ ス流量と N ₂ ガ ス流量比を下記の第 2 3 表 に示す様に種々 変化させた以外は実旌例 5 2 と 全 く 同様 の条件及び手順に よ って試料^ F 9 〜 ： F 1 5 で示される 像形成部材を作成 し 、 実施例 5 2 と 全 く 同様の带電露光
[0885] ΟΜΡΪ 実験装置を使用して同様の I像形成を行なった と こ ろ 、 下記の第 2 3 表に示す如き結杲を得た。 試料^ F 1 1 〜 F 1 5 に関してォージェ電子分光分析法に—よ り 分析した と こ ろ 、 第 2 4 表に示す如き結杲を得た。 第 2 3 、 第 '
[0886] 2 4 表の結果から ^:発明の 目的を達成するには 中間層に おける と N との組成比 Xを 0.4 3 〜 0.6 0 の範囲で形 成する必要がめ る 。
[0887]
[0888]
[0889] 2 4 表
[0890] 実施例 5 6
[0891] 実施例 5 3 と 同様にモ リ ブデン基板を設置し続いて 、 実施例 5 2 と 同様の操作 よってグ ロ 一放電准積室
[0892] 1 4 0 1 内を 5 X 1 0一⁶ torr の真空 と し 、 基板温度 を 2 0 0 C 保った後 、 実 ¾例 5 2 と 同様の操作 つ
[0893] Ο ΡΙ .—6 て H₂ ( 1 0 ) ガ ス 、 N 2 ガ ス流入系を 5 x 1 0· torr の真空と ¾ し 、 その後補助バルブ 1 4 4 0 及び各 流出バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 、 各流入バールブ 1 4 2 Q 一 2 、 1 4 2 1 を閉 じた後 、 ZH₂ ( 1 0 ) ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 1 のバルブ 1 4 3 0 、 N 2 ガ ス ボ ン ベ 1 4 1 2 のバルブ 1 4 3 1 を開け、 出 口 Eゲ ー ジ 1 4 3 5 、
[0894] 1 3 S の Eを 1 K Z ² に調整 し 、 流入バル ブ 1 4 2 0 一 2 、 1 4 2 1 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 1 7 内へ 5£F₄ ノ11₂ ( 1 0 ) ガ ス 、 N ₂ ガ ス を流入さ せた。 引続いて流出バル ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 6 を徐々 に 開け、 次いで補助バル ブ 1 4 4 0 を徐々 に開けた。 この と き /Έ.2 ( 1 0 ) ガ ス流量 と N ₂ ガ ス流量比が 1 '： 9 0 に な る よ.う に流入ノ ル ブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 1 を 調整した。 次に ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 4 1 の読みを注視し なが ら補助バル ブ 1 4 4 0 の開 口 を調整し 、 室 1 4 0 1
[0895] —2
[0896] 内が X 0 torr に な る ま で補助バルブ 1 4 4 0 を 開けた。 室 1 4 0 1 内圧が安定して か ら 、. メ イ ン バル ブ 1 1 0 を徐々 に閉 じ 、 ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 4 1 の指示 が 0.5 torr に な る ま で開 口 を絞った。 ガ ス流入が安定 し室内圧が一定 と な り 、 基板温度が 2 0 0 Cに安定して か ら 、 実施例 5 2 と 同様に高周波電源 1 4 4 2 を O N状 態 と し て 、 6 0 Wの入力電力でグ ロ 一放電を開始させ、 1 分間同条件を保って基 ¾上に 中間層を形成 した後 、 高 局波電源 1 4 4 2 を οίί 態 と し 、 グ ロ 一放電を 中止さ せた拭態で流出バルブ 1 4 2 5 を閉 じた。
[0897] O PI 一 一
[0898] 次に B₂ H₆ ( 500 ) ZH₂ ガ スを全 く 流さ ない こ と以外 は実施例 5 2 における光導電層形成時と 同様の条件及び 手順に よ って室 1 4 0 1 内に /Έ.2 ( 1-0 ) ガスを 導 入した。 更に引続き 、 再び高周莰電源 1 ·4 4 2 を 0 Ν状 態に して 、 グ ロ一放電を再開させた。 その と き の入力電 力は、 以前 と 同様に 6 0 Wに した。 こ う してグロ 一放電 を更に 5 時間持続させて光導電層を形成した後 、 加熱ヒ 一タ ー 1 4 0 8 を of f 状態に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も off 拔態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cにる る のを待ってか ら流-出バルブ 1 4 2 5 及び流入バルブ 1 4 2 0 一 2 、
[0899] 1 4 2 1 を閉 じ、 メ イ ン ノ ルブ 1 1 0 を全開に して 、 室 1 4 0 1 内を 0 —5
[0900] torr 以下に した メ イ ン / ゾし ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 1 0 内を リ ー ク バルブ 1 4 4 4 に よって大気圧と して基板を取出 した。 この場合 、 形成 された層の全厚は約 1 5 であった。 こ の像形成部材に ついて 、 実施例 5 3 と 同様の条件及び手順で ¾写紙上に 画像を形成した と こ ろ 、 Θコ ロ ナ放電を行って画像を形 成した方が、 Θコ ロ ナ放電を行って画像形成した よ り も その画質が優れてお り 、 極めて ^明であった。 この結杲 か ら本実施例で得 られた感光体には带電極性の依存性が 認め られた。
[0901] 実施例 5 7
[0902] 実旌例 5 2 と 同様の条件及び手潁に よってモ リ ブデン 基板上に 1 分間の中間層の形成を行なった後、 高周波電 源 1 4 4 2 を οίί 状態 と し 、 グ ロ 一故電を 中止 させた拔
[0903] Ο ΡΙ WIPO 一 一
[0904] 態で流出バ ルブ 1 4 2 5 を閉 じ 、 次に H ₂ で 2 5 0 vol ppm に稀釈された P H₃ ガ ス （ 以後 P H₃ ( 2 5 0 ) /H₂ と略す。 純度 9 9.9 9 9 ^ ) ボ ン べ 1 4 1— 4 のゾ、'ル ブ t 4 3 3 を開け出 口圧ゲ ー ジ 1 4 3 8 の正を I ² に調整 し流入バルブ 1 4 2 3 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 9 内へ P H₃ ( 2 5 0 ) /H₂ ガ ス を流入させた 引続いて流出バルブ 1 4 2 8 を徐 々 に 開けた。 この と き P H₃ ( 2 5 0 ) /Έ.2 ガ ス流量 と &F₄./H₂ ( 1 0 ) ガ ス流 量比が 1 : 6 0 に な る様に流入バルブ 1 4 2 0 一 2 、
[0905] 1 4 2 3 を調整した。
[0906] 次に 中間層の形成時と 同様に ピ ラ ニ ー ゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示が 0.5 torr に な る様に補助バ ル ブ 1 4 4 0 、 メ イ ン バルブ 1 4 1 0 の開 口 を調整 し安定化させた。
[0907] 引続き 、 再び高周波電源 1 4 2 を O N状態に して 、 グ ロ 一放電を再開させた。 その と き の入力電力を 6 0 W に した。 こ う してグ ロ 一放電を更に 4 時間持続させて光 導電層を形成 した後 、 加熱ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を of f 状態 に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も 。： f ί 状態 と し 、 基板温度が
[0908] 1 0 0 C に ¾ る のを待って力 ら流出バル ブ 1 4 2 5 、
[0909] 1 4 2 8 及び流入バル ブ 1 4 2 0 — 2 、 1 2 1 ,
[0910] 1 4 2 3 を閉 じ 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を全開に し て 、 室 1 4 0 1 内を 1 0一⁵ torr 以下に した後 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー ク ノ ルブ 1 4 4 4 に よって大気圧 と して基板を取 り 出 し た。 この場合 、 形 成された層の全厚は約 1 1 であった。 こ う し て得 られ
[0911] OM た像形成部材を 、 実施例 5 2 と 同様の条件及び手順で耘 写紙上に画像を形成した と こ ろ 、 ㊀コ ロ ナ放電を行って 画像形成した方が、 Θコ ロ ナ放電を行つて-画像を形成し た よ もその画質が優れてお り 極めて鮮—明であった。 こ の結杲から本実施例で得 られた感光体には帯電極性の依 存性が認め られた。
[0912] 実施例 5 8
[0913] モ リ ブデン基板上に 中間層を形成した後、 引 き続いて 光導電層を形成する際 B ₂ H_S ( 5 0 0 ) ZH₂ ガ ス流量を
[0914] Si F i / Έ. 2 ( 1 0 ) ガス流量の 1Z1 5 に る よ う に した以 外は実施例 5 3 と同様な条件及び手順に よ って中間層 、 光導電層を モ リ ブデン基板上に形成した。 こ の よ う に し て得 られた像形成部材を実施例 5 2 と 同様の条件及び手 順で耘写紙上に画像を形成した と こ ろ Θコ ロ ナ放電を行 つて画像形成 した り も その画質が優れてお り 極めて詳 明であった。 こ の結杲よ り 本実施例で得 られた感光体に は帝電極性の依存性が認め られた。 而し 、 その带電極性 依存性は実施例 5 6 , 5 7 で得 られた像形成部材 とは逆 であった。
[0915] 実施例 5 9
[0916] 実施例 5 3 と 同様 ¾条件及び手！!!頁に よ って 、 モ リ ブデ ン基板上に 1 分間の 中間層の形成、 5 時間の光導電響の 形成を行なった後、 高周波電漯 1 4 4 2 を o f f 状態 と し てグ ロ 一放電を中止させた状態で流出バルブ 1 4 2 6 を 開 き 、 中間層の形成時と 同様の条件 な る よ う に した。
[0917] ΟΜΡΙ 引 き続き 再び高周波電源を -0 N状態に し てグ ロ 一放電を 再開させた。 その と き の入力電力 も 中間層形成時と 同様 の 6 0 W と した。 こ う し てグ ロ 一放電を 2—分間持続させ て光導電層上に上部層を形成した後加熱ヒ 一タ ー 1 4 0 8 を 。 f f 状態に し 、 高周波電源 1 4 4 2 も οίί 態 と し 、 基板温度が 1 0 0 Cに な る のを待ってから流出バ ルブ
[0918] 1 4 2 5 、 1 4 2 6 及び流入バゾレ ブ 1 4 2 0 — 2 、
[0919] 1 4 2 1 、 1 4 2 2 を閉 じ 、 メ イ ン ノ、'ル ブ 1 4 1 0 を全 開に して 、 室 1 4 0 1 内を 0 —5
[0920] torr 以下に した後 、 メ イ ン ノ ルブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ 一ク ノヽ' ル ブ 1 4 4 4 に よって大気 £と して基板を取 り 出 した。 こ う して得 られた像形成部材を実施例 5 2 と 同様の帝電露 光実験装置に設置し 、 Θ 6.0 Κ V で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電 を行い、 直ちに光像を照射 し た。 光像は 、 タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光源を用い 、 1.0 lu_X 'secの光量を透過型のテ ス 卜 チヤ一 卜 を通 して照射させた。
[0921] その後直 ちに 、 θ荷電性の現像剤 （ 'ト ナー と.キヤ リ セ 一を含む ） を像形成部材表面上に良好な ト ナ ー画像を得 た。 像形成部材上の トナ一画像を 、 Θ 5.0 V の コ ロ ナ 帯電で ¾写した と こ ろ 、 辫像力に優れ 、 階調再現性の よ い鮮明な高 ¾度の画像が得 られた。 又、 ㊀ 5 · 5 K V の コ ロ ナ帯電、 ®荷電性現像剤の組合せの場合に も 同様に 良 好な画像が得 られた。
[0922] 実施例 6 0
[0923] 電子ビ ー ム蒸着法に よ つて I τ ο を l o o O A蒸着し
[0924] O I た も のを 、 実施例 5 3 と 同様の操作に よ ってグ ロ 一放電 堆積室 1 4 0 1 内を 5 x 1 0一⁶ to rr の真空と な し 、 基 板温度は 1 5 0 C に保たれた後、 補助ノ ル―ブ 1 4 4 0 、 次いで流出バルブ 1 4 2 5 、 1 4 2 7 、 — ί 4 2 3 及び流 入ノ、'ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 2 、 1 4 2 4 を全開し 、 フ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 1 8 、 1 4 2 0 — 1 内 も 十分脱気真空状態にされた。 補助バルブ 1 4 4 0 、 バル ブ 1 4 2 1 4 2 7 、 1 4 2 3 、 1 4 1 7 、 1 4 1 8 1 4 2 0 — 2 を閉 じた後 、 Η ₂ で 1 0 vo l に稀釈され た NH₃ ガ ス （ 以後 NHs ( 1 0 ) Έ.Ζ と略す。 純度
[0925] 9 9.9 9 9 ) ボ ン べ 1 4 1 5 バルブ 1 4 3 4 、 ^F* / H₂ ( 1 0 ) ガ ス ボン ベ の圧を 1 K _OT ² に調整し流入バ ルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 4 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 4 1 6 、 1 4 2 Q — 1 内へ /K₂ ( 1 0 ) ガ ス . Ν Η₃ ( 1 0 ) ₂ ガ ス を流入させた。 引^いて流出ノ ル ブ 1 4 2 5 、 1 4 2 9 を 、 次いで禧助バルブ 1 4 4 0 を 徐々 に開けた。 この と き &F₄ ΖΗ₂ ( 1 0 ) ガ ス流量と ΝΗ₃ ( 1 0 ) /Ή.2 ガ ス流量比が 1 ： 2 0 に な る よ う に流 入バルブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 2 4 を調整した。 次に ビ ラ ニ ーゲージ 1 4 4 1 の読みを注ネ し ¾が ら褐助ノ-ルブ 1 4 0 の開 口を調整し 、 室 1 4 0 1 內カ； l x l CT² torr に な る ま で補助ノ、'ルブ 1 4 4 0 を開けた。 室 1 4 0 1 の内 Eが安定してか ら 、 メ イ ン バルブ 1 4 1 0 を徐々 に閉 じ 、 ピラ ニ ーゲ ー ジ 1 4 4 1 の指示が 0.5 torr な る ま で開 口を铰つたつ ガ ス流入が安定し 内 E
[0926] '£
[0927] O PI 一 14 一
[0928] が安定する のを確認し 、 続いて高周波電源 1 4 4 2 の ス イ ッ チ を O N状態に し て誘導コ イ ル 1 4 4 3 に 、 13.56
[0929] MHz の高周波電力を投入 して コ イ ル部 Γ室上部 ） の室
[0930] 1 4 0 1 内にグ ロ 一放電を発生させ、 6 0 W の入力電力 と した。 1 分間同条件を保って中間看を形成し た後 、 高 周波電源 1 4 4 2 を οίί 状態 と し 、 グロ 一放電を 中止さ せた状態で、 しば ら く して流出バルブ 1 4 2 9 、 流入バ ルブ 1 4 2 4 を閉 じ、 室 1 4 0 1 内の内圧が 0.5 torr , に な る よ う にバルブ調整操作を 中間層形成時と 同様に行 なった。
[0931] その後引続 き 、 再び高周波電源 1 4 4 2 を O N状態に して 、 グ ロ 一放電を再.関させた。 その と き の入力電力を 中間層形成時と 同様に 6 0 Wに し た。 こ う してグ ロ 一放 電を更に 3 時間持続させて光電導層を形成した後 、 加熱 ヒ ー タ ー 1 4 0 8 を of f 状態に し 、 高周波電源 1 4 2 も 。ff 状態 と し 、 基板温度が 1 0 o r:に る る のを待って か ら流出バ ルブ 1 4 2 5 及び流入バル ブ 1 4 2 0 — 2 、 1 4 —2 4 を閉 じ 、 メ イ ンノ ルブ 1 4 1 0 を全開に して 、 室 — s
[0932] 1 4 0 1 内を 0 to 以下に した後 、 メ イ ン バル ブ 1 4 1 0 を閉 じ室 1 4 0 1 内を リ ー ク バルブ 1 4 4 4 に よって大気圧 と し て各層の形成された基板を取出 し た。 こ の場合 、 形成された層の全厚は約 9 ^ であった。 こ う し て得 られた像形成部材を 、 帝電露光莠験袞置に設置し 、 Θ 5.5 V で 0.2 sec間 コ ロ ナ帝電を行い 、 直ちに光像を 薛射 した。 光像は タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光潺を ^い 、 1.0
[0933] OMPI 一 一
[0934] lux. sec の光量を透過型のテ ス 卜 チ ヤ一 卜を通して照射さ せた。
[0935] その後直ちに 、 Θ荷電性の現像剤 （ トナ-一 と キ ヤ リ ャ 一を含む ） を像形成部材表面に カ ス ケ一 する こ と に よ つて、 像形成部材表面上に良好 ト ナ ー画像を得た。 像 形成部材上の ト ナ ー画像を 、 Θ 5.ο ν のコ ロ ナ带電で 耘写紙上に 写した所、 薛像力に優れ、 階調再現倥の よ い鮮明 高嬝度の画像が得 られた。
[0936] 実施例 6 1
[0937] 第 1 7 図に示す装置を用い 、 以下の如き 操作に よって モ リ ブデ ン基板上に 中間層を形成した。
[0938] 表面が清浄にされた 0.5 厚 1 0 cm角のモ リ ブデン板 ( 基板 ） 1 7 0 2 を堆積室 1 7 0 1 内の所定位置に ある 固定部材 1 7 0 6 に堅固に固定した。 基板 1 7 0 2 は固 定部材 1 7 0 S 内の加熱ヒ ー タ ー 1 7 0 7 に よって土
[0939] 0.5 Cの精度で加熱される。 遏度は熱電対 （ ア ル メ ル一 ク ロ メ ル ） に よって基板裏面を直接測定される よ う にな された。 次いで系内の全バルブが閉 じ られてい る こ と を 確認してか ら メ イ ン バルブ 1 7 2 3 を全開して室 1 7 0 1 内が排気され約 5 X 1 0"⁵ torr の真空度に した。 その 後 ヒ ー タ ー 1 7 0 7 の入力電£を上昇させモ リ ブデ ン基 板温度を検知し が.ら入力電圧を変化させ 2 0 0 Όの一 定値に な る ま で安定させた。
[0940] その後、 補助バルブ 1 7 2 7 、 次いで流出バルブ
[0941] 1 7 1 8 、 1 7 1 3 、 1 7 2 (3 及び流入バルブ 1 7 1 5 、
[0942] ΟΜΡΙ 1 7 1 S 、 1 7 1 7 を全開 しフ ロ ー メ ー タ ー 1 7 2 4 、 1 7 2 5 、 1 7 2 6 内 も 十分脱気真空状態に された。 補 助バルブ 1 7 2 7 、 ノ、'ルブ 1 7 1 8 、 1 7— 1 9 、 1 7 2 0、 1 7 1 5 、 1 7 1 6 、 1 7 1 1 を閉 じた後 、 &F₄ ガ ス ( 純度 9 9 · 9 9 9 % ) ボ ン べ 1 7 1 0 及び Ar ガ ス ボ ン ベ 1 7 0 9 のノ ルブ 1 7 1 2 の バゾレ ブ 1 7 1 3 を関け、 出 口 Eゲ ー ジ 1 7 2 2 、 1 7 2 1 の Eを 1 ^² に調 整し 、 流入バルブ 1 7 1 6 , 1 1 5 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 7 2 5 、 1 7 2 4 円へ各 々 & 4 ガ ス 、 Ar ガ スを流入させた。 引 き続いて、 流出ノ ル ブ 1 7 1 9、 1 T 1 8 を徐々 に開け、 次いで補助バル ブ 1 7 2 7 を徐 に開けた。 こ の時 &F₄ ガ ス流量と Ar ガ ス流量比'が 1 ： 2 0 に な る よ う に流入バル ブ 1 7 1 6 . 1 7 1 5 を 調整し た。 次に ビラ ニ ーゲー ジ 1 7 3 0 の読みを注視 し るが ら補助ゾヽ'ルブ 1 7 2 7 の鬨 ロを調整レ 、 ¾ 1 7 0 1 内が 1 X 1 0一⁴ to rr に る る ま で補助ノ、'ル ブ 1 7 2 7 ¾ 開けた。 室 1 T 0 1 内圧が安定 してから メ イ ン ノ ル ブ ブ 1 7 2 9 を徐々 に閉 じ ビ ラ 二 一ゲー ジ 1 7 3 (3 の指示 が 1 X 1 0一² t o rr に な る ま で ϋ 口を絞った。
[0943] シ ャ ッ タ ー棒 1 7 0 3 を操作し て シ ャ ッ タ ー 1 7 0 8 を開 と し 、 フ ロ ー メ ー タ 一 1 7 2 5 、 1 7 2 4 が安定す る のを確認 し てか ら 、 高周波電源 1 7 3 1 を 0 Ν状態に し 、 多結晶高純度 3 Ν₄ ^ ら る タ ーゲ ッ ト 1 7 0 4 及 び固定部材 1 Ί 0 6 間に 1 3.5 6 MHz , 1 0 0 Wの交流 電力が入力された。 こ の条件で安定した放電を続ける様
[0944] OMPI にマ ッ チ ン グを取 り ながら層を形成した。 この様に して 2分間放電を続けて 1 0 0 A厚の a— ·¾_χ ： F 層 （ 中 間層 ） を形成した。 その後高周波電源 1 Γ— 3 1 を ₀ f f 状 態に し 、 放電を一旦中止させた。 ボン ベ ·のバル ブ 1 7 1 2、 1 7 1 3 を閉 じメ イ ン ノ、'ルブ 1 7 2 9 を全関 して室 1 7 0 1 内及びフ ロ ー メ ー タ ー 1 7 2 4 、 1 7 2 5 内を 1 0一⁵ torr ま で真空に した後、 補助バルブ 1 7 2 7 、 流出バ ルブ 1 7 1 8 、 1 7 1 3 、 流入バルブ 1 7 1 5 、 1 7 1 6 を閉 じた。 ガ ス ボ ン ベ 1 7 1 0 を 、 H ₂ を 1 0 vol 含む (^F₄ /Έ.2 ( 1 0 ) と記す ） （ 9 9.9 9 9 % ) に変えた。 流入バル ブ 1 7 1 S 、 流出ノ ルブ 1 7 1 9 、 補助バルブ 1 7 2 7 を開け室 1 7 0 1 内を 5 x 1 0— 7 torr ま で真空に し た後、 流入バル ブ 1 7 1 S 、 流出バ ル ブ 1 7 1 3 を閉 じボン べ 1 f 1 0 のバルブ 1 7 1 3 を あけ出 口 Eゲー ジ 1 7 2 2 の圧を 1 ατζ 2 に調整 し 、 流入ノヽ' ルブ 1 7 1 6 を徐々 に開けてフ ロ ー メ ー タ ー
[0945] 1 7 2 5 内へ H₂ ( 1 0 ) ガ スを流入させた。 引続 いて流出バルブ 1 7 1 3 を徐々 に開けた。 次に H ₂ で 5 0 0 vo l ppmに稀訳した B₂ H₆ ( B₂ H₆ ( 500) / H ₂ と記す ） ガ ス ボ ン ベ 1 7 1 1 のバルブ 1 f 1 4 を開け、 出 口 Eゲ ー ジ 1 7 2 3 の £ 1 Z OT ² 詞 ¾し 、 流入バ ルブ 1 7 1 7 を徐々 に関けてフ ロ ー メ ー タ ー 1 7 2 S 内 へ B₂ H₆ ( 5 0 0 ) Έ.2 ガ ス を流入させた。 引規いて 、 流 出ノ ルブ 1 7 2 0 を徐 々 に開け、 次いで補助バル ブ
[0946] 1 7 2 7 を徐々 に ϋけたつ こ の と き &F₄ /Έ.2 ( 1 0 ) ガ ス流量と B2 H_S ( 5 00 ) /Έ.2 ガ ス流量比が 7 0 ： 1 に な る よ う に流入バルブ 1 7 1 6 、 1 7 1 7 を調整し た。 次 に ピラ ニ ーゲ ー ジ 1 7 3 0 の読みを注視し なカ ら補助バ ルブ 1 7 2 7 、 メ イ ン バルブ 1 7 2 3 の鬨 ロを調整して 、 ピラ ニ ーゲー ジ 1 7 3 0 の指示が 0.5 torr に ¾ る ま で 開 口を絞った。 ガ ス流入が安定し内 Eが安定する のを確 · 認し 、 シ ャ ッ タ ー棒 1 7 0 3 を操作して シ ャ ッ タ ー 、 電 極 も 兼ねる 、 1 7 0 8 を閉 と し続いて高周波電源 1 7 3 7 の スィ ッ チ を O N状態に し て 、 電極 1 7 0 7 、 シ ャ ツ 夕 一 1 7 0 8 間に 1 3.5 6 MH zの高周波電力を投入 し室
[0947] 1 0 1 内にグロ 一放電を発生させ 6 0 Wの入力電力 と した。 グ ロ 一放電を 3 時間持続させ.て光導電層を形成 し た後、 加熱 ヒ ー タ ー 1 7 0 7 を of f 状態 と し 、 基板温度 ' が 1 0 0 Cに ¾ る のを待ってか ら流出バルブ 1 1 1 9 、 1 7 2 0 及び流入ノ、'ルブ 1 7 1 5 、 1 7 1 6 、 1 7 1 7 を閉 じ 、 メ イ ン ノ ルブ 1 7 2 9 を全開に して 、 室 1 701 内 を 1 0一⁵ torr 以下に した後、 メ イ ンバルブ 1 7 2 3 を閉 じ室 1 7 0 1 内を リ ー ク バルブ 1 7 2 8 に よ って大 気 E と して基板を取 り 出 し た。 この場合 、 形成された層 の全厚は約 9 であった。 こ う し て得 られた像形成部材 を 、 帯電露光実験装置に設置し 、 © 6.0 K V で 0.2 sec間 コ ロ ナ帯電を行い、 直 ちに光像を照射 した。 光像は 、 夕 ン グス テ ン ラ ン プ光镙を月い 0.8 lux 'sec の光量を透過型 の テ ス 卜 チ ヤ一 卜 を通 し て照射させた。
[0948] その後直ちに 、 Θ荷電 ¾の現像剤 （ ト ナー と キ ヤ リ ャ ..
[0949] 一を含む ） を像形成部材表面に カ スケ一 ドする こ と に よ つて、 像形成部材表面に良好 トナー画像を得た。 像肜 成部材上の ト ナー画像を 、 ® 5.0 KV の コ— Πナ带電で耘 写紙上に転写したと こ ろ、 藓像力に優れ.、 階調再現性の 良い鮮明 高孃度の画像が得 られた。
[0950] 次に上記像形成部材に就て 、 帝電露光実験装量で Θ
[0951] 5.5 Vで 0 ·2 sec間のコ ロ ナ帚電を行い 、 直ちに 0.8 lux secの光量で画像露光を行い、 その後直ちに ®荷電性の現 像剤を部材表面にカスケ一 ドし、 次に転写紙上に転写定 着した と こ ろ極めて鮮 9 画像が得 られた。
[0952] この結果を先の結杲か ら本実施例で得 られた電子写真 用像形成部材は帝電極性に対する依存性が く 両極性像 形成部村の特性を具備している こ とが判った。
[0953] 実旌例 6 2
[0954] 実施例 6 1 と 同様な条伴及び手順に よってモ リ ブデン 基板上に 2 分間の中間層の,形成を行った後、 高周波電源 1 7 3 1 及び加熱ヒ ータ ー 1 7 fl 7 を off 牧態 と して流 出ノヽ'ルブ 1 7 1 8 、 1 7 1 3 、 流入バルブ 1 7 1 5 、 1 7 1 S を閉 じ、 基板温度が 1 0 0 1：に るのを待って 補助バルブ 1 7 2 7 、 メ イ ン バルブ 1 7 2 3 を閉 じた。 引続き 、 リ ー ク バルブ 1 7 2 S を開いて堆積室 1 7 0 1 内を大気圧に リ ーク してターゲッ ト 1 7 0 4 を高純度 iF₄ タ ーゲッ 卜か ら、 高純度多結晶シ リ コ ン ターゲッ ト に変えた。
[0955] その後、 リ ー ク ノ、'ルブ 1 7 2 8 を閉 じて堆積室 1 7 01 内を 5 X 1 0一⁷ torr 程度ま で真空に し 、 次に補助バル ブ 1 7 2 7 、 流出バルブ 1 7 1 8 、 1 7 1 9 を関 き フ ロ 一メ ー タ 1 7 2 4 、 1 7 2 5 内を十分に脱-気した後 、 流 出ノ、'ルブ 1 7 1 8 、 1 7 1 9 と補助バル ブ 1 7 2 7 を閉 じた。 再び基板 1 7 0 2 を力 ϋ熱 ヒ ー タ ー 1 7 0 7 を O N 状態に し て基板温度を 2 0 0 Cに保った。 そし て
[0956] ガ ス （ 純度 9 9.9 9 9 % ) ポ' ン べ 1 7 1 0 のノ、'ル ブ
[0957] ΐ' 7 1 3 及び Ar ガ ス ボ ン ベ 1 7 0 3 のノ ル ブ 1 7 1 2 を鬨け 、 出 口圧ゲージ 1 7 2 2 、 1 7 2 1 の Eを 1
[0958] an ² に調整し 、 流入バル ブ 1 7 1 6 、 1 7 1 5 を徐々 に 開けて フ ロ ー メ ー タ 1 7 2 5 、 1 7 2 4 内へ各々 &F₄ ガ ス 、 Ar ガ スを流入させた。 引続いて 、 流出バル ブ
[0959] 1 7 1 3 、 1 7 1 8 を徐々 に開け、 次いで補助バル ブ
[0960] 1 7 2 7 を徐々 に開けた。 こ の時 SiF4 ガ ス流量と Ar ガ ス流量比力 1 : 2 0 に ¾ る よ う に流入バル ブ 1 7 1 6 、 1 7 1. 5 を調整した。 次に ビ ラ ニ ーゲ ージ 1 7 3 0 の読 みを注視し なが ら補助ノ、'ル ブ 1 · 7 2 7 の開 口 を調整し 、 室 1 T 0 1 内が 1 X 1 0一⁴ torr に な る ま で補助バ ルブ 1 了 2 7 を開けた。 室 1 7 0 1 内圧が安定 してか ら メ イ ン バゾレブ 1 7 2 3 を徐々 閉 じ ビ ラ ニ ーゲージ 1 7 3 0 の指示が 1 X 1 0一² torr に る る ま で開 口を絞った。
[0961] シ ャ ッ タ ー 1 7 0 8 を ϋ と して 、 フ ロ ー メ ー タ 1 7 2 5、 1 7 2 4 が安定する のを 51認 し てから 、 高周波電源
[0962] 1 7 3 1 を O N状態に し 、 多結晶高純蜜シ リ コ ン タ ーゲ ッ 卜 1 7 0 4 及び固定 ¾ 1 7 0 S 間に 1 3.56 MHz 、
[0963] OMPI 1 0 0 Wの交流電力が入力された。 この条件で安定した 放電を続ける様にマ ッ チ ン グを取 り なが ら層を形成した こ の様に して 3 時間放電を続けて光導電 IS~を形成し た後 加熱ヒ ー タ ー 1 Ί 0 7 を off 状態に し 、 高周波電源
[0964] 1 7 3 1 も 。 f f 状態 と し 、 基板温度 1 0 に な るのを 待ってカゝら流出バルブ 1 7 1 8 、 1 7 1 3 及び流入バル ブ 1 7 1 5 、 1 7 1 S 、 を閉 じ、 メ イ ン バル ブ 1 7 2 3 を全開にして 、 室 1 7 0 1 内を 1 0—⁵ t_{o rr} 以下 と した 後、 メ イ ン バル ブ 1 7 2 3 を閉 じ室 1 7 0 1 内を リ ー ク バルブ 1 7 2 S に よ って大気圧 と して基板を取出 した。
[0965] この場合、 形成された層の全厚は約 9 であった。 こ う して得 られた像形成部材を、 帯電露光実験装置に設置し Θ 5.5 V で 0.2 sec間コ ロ ナ帯電を行ない 、 直 ちに光像 を照射した。 光像は タ ン グ ス テ ン ラ ン プ光源を用い、
[0966] 0.8 lux 'secの光量を透過型のテ ス ト チ ャ ー ト を通して照 射させた。
[0967] その後直ちに 、 _©荷電性'の現像剤 （ トナー と キヤ リ ャ 一を ½·む ） を像形成部材表面に カ ス ケ ー ドする こ と に よ つて、 像形成部材表面上に良好 ト ナ ー画像を得た。 像 形成部材上の ト ナ ー画像を 、 © 6.0 KV の コ ロ ナ帯電で ¾写紙上に転写した所、 解像力 優れ 、 階調再現性の よ い鮮明る高擾度の画像が得 られた。
[0968] 実 ¾例 6 3
[0969] 実施例 5 3 と同様の操作、 条泮にて形成された像 ¾成 部材を 6 ケ作成し 、 各 々 について第 1 7 図に示す装置に O PI 一
[0970] 光導電層を下に して固定部材 1 7 0 6 に堅固に固定し 、 基板 1 7 0 2 と した。
[0971] 各光導電層上に上部層を第 2 5 表に示す如 く 条件 A〜
[0972] G で各々 作成し 、 各々 の上部層 'を有する像形成部材を 7 ケ （ 試料 F 1 6 〜 F 2 2 ) 形成 した。
[0973] 尙 、 スパッタ リ ング法にて上部層 A を形成する 際には タ ーゲッ ト 1 7 0 4 を多結晶 シ リ コ ン 夕 一ゲッ 卜上に部 分的にグラ フ アイ 卜 タ ーゲッ トが積層された も の 、 上部 層 E を形成する際には 、 Ar ガ ス ボン ベ 1 7 0 9 を Ar で 5 0 に稀釈された N ₂ ガスボンベに各 々変えた。
[0974] 又、 グ ロ 一放電法に て上部層 B を形成する際には 、
[0975] Ar ガス ボ ン ベ 1 7 0 9 を H ₂ で 1 0 vol に稀 され
[0976] た ガ ス ボ ン ベ に 、 B₂ H₆ ( 50 0 ) /Έ.2 ガ ス ボ ン べ
[0977] 1 1 1 を H ₂ で 1 0 vol に稀釈された C₂ H₄
[0978] ( C₂ H₄ ( 1 0 ) /H₂ と記す ） ガ ス ボ ン ベ に 、 上部層 C を 形成する際には B₂ H₆ ( 5 0 0 ) ≡2 ガ ス ボ ン ベ 1 7 1 1 を H ₂ で 1 0 vol に稀釈された （ C H3 ) 4 ガ ス ボ ンベ
[0979] に 、 上部層 D を形成する際には 、 上部層 B の形成の際と 同様に D₂ Hs ( 5 0 0 ) Ή.2 ガ ス ボ ン ベ 1 7 1 1 を
[0980] C₂ H₄ ( 1 0 ) /Ή.2 ガ ス ボ ン ベ に 、 Ar ガ ス ボ ン ベ
[0981] 1 7 0 9 を 、 H ₂ を 1 0 vol ？ S 含む ガスボンベに 、 上部層 F 、 G を形成する 際には ガスボンベ 1 7 1 0 を 、 H ₂ で 1 0 vol ^ 稀 された ·¾Η₄ ガ ス ボ ン ベ に 、
[0982] Ar ガ ス ボ ン ベ 1 7 0 9 を 、 N 2 ガ ス ボ ン ベ 、 及び H 2
[0983] で 1 0 _v。l に稀釈された N H₃ガスボンベに夫々 変えた。
[0984] Ο ΡΪ
[0985] / 舊 cT~ 一 一
[0986] 実施例 5 3 と 同様の中間層、 光導電層を形成 した像形 成部材を用意し第 2 5 表に示す上部層 A〜 F を各光導電 層上設けた像形成部材を 7 ケ （ 試料 F 1 6-- F 2 2 ) を 作成し た。 これ等の各 々 について実施例- 5 3 と 同様の操 作、 条件に て可視像形成を行 つて耘写紙に転写したと ころ 、 極めて鮮明な トナー像が得 られた。
[0987] 実施例 6 4
[0988] 実施例 6 0 と 同様の操作、 条件にて形成された像形成 部林を 6 ケ作成し各 々 について第 1 7 図に示す装量に光 導電層を下に し固定部材 1 7 O S に堅固に固定し て基板
[0989] 1 7 0 2 と した。
[0990] 各像形成部材の光導電層上に実施例 6 3 と 同様に して 第 2 5 表に示す上部層 （ A 〜 ： F ) を各 々 形成して像形成 部材 6 ケ （ 試料 F 2 3 〜 F 2 8 } を得た。 これ等につ いて各 々実'施例 5 2 と 同様の操作、 条件にて可視像形成 を行なって転写紙に転写した と ころ 、 極めて餑明な 卜ナ 一像が得 られた。
[0991] 実施例 6 5
[0992] 実施例 6 2 と同様の操作、 条仵にて形成された像形成 部材を 6 ケ用意し各 々 について第 1 7 図に示す装量に光 導電層を下に して固定部材 1 7 0 6 に堅固に固定して基 板 1 7 0 2 と した。
[0993] 各像形成部材の光導電層上に実旆例 6 2 と 同様に して 第 2 5 表に示す上部層 （ A〜 F } を各々 形成して像形成 部材 6 ケ （ 試料 7¾ F 2 9 〜 F 3 4 ) を得た。 これ らにつ 第 2 5
[0994]
[0995] OMPI 一 一
[0996] いて各 々実施例 5 2 と 同様の操作条件にて可視像形成を 行なって耘写紙に転写した と こ ろ何れ も 極めて餘明 卜 ナー像が得 られた 0

权利要求:
Claims

請求の範囲
1 支持体 と 、 シ リ コ ン原子を母体 と し 、 水素原子又- はハ ロ ゲン原子の何れか一方を含むァモ ル—フ ァ ス材料で 構成されている光導電層 と 、 これ等の間 ·に設け られ 、 前 記支持体側から前記光導電層中へのキャ リ アの流入を阻 止し 、 且つ電磁波照射に よ っ て前記光導電層中に生 じ支 持体側に 向って移動する キヤ リ ァの光導電層側から支持 体側への通過を許るす機能を有し 、 シ リ コ ン原子と 、 窒 素原子と を構成要素 と する ア モ ル フ ァ ス材料で構成され ている 中間層 と を有する こ と を特截とする光導電部材。
2 請求の範囲 1 において 、 窒素原子の含有量がシ リ コ ン原子に対して 4 0 〜 6 0 原子 であ る光導電部材。
3 請求の範囲 1 において 、 中間層を構成する ァモ ル フ ァ ス材料が構成要素 と して更に水素原子を含有する 光 導電部材。
4 請求の範囲 3 において 、 水素原子の含有量がシ リ コ ン原子に対して 2 〜 3 5 原子 であ る光導電部材。
5 請求の範囲 1 において 、 中間層がシ リ コ ン原子に 対し て窒素原子を 2 5 〜 5 5 原子 含有し 、 且つ更に構 成要素 と して水素原子を 2 〜 3 5 原子 含有する光導電 部材。
6 請求の範囲 1 に いて 、 中間層を構成する ァ モ ル フ ァ ス材料が構成要素 と して更にハ ロ ゲ ン原子を含有す る光導電部材。
7 請求の範囲 6 において 、 ノ、 ロ ゲ ン原子を シ リ コ ン
ΟΜΡί 、 原子に対して 1 〜 2 0 原子 含有する光導電部材。
8 請求の範囲 1 に いて 、 中間層を構成する ァモル ファ ス材料が構成要素 と して 、 更に水素原-子と ハ ロ ゲン 原子と を含有する光導電部材。
9 請求の範囲 8 において 、 ハ ロ ゲ ン原子の含有量が 1 〜 2 0 原子 、 水素原子の含有量が 1 9 原子 ¾下で ある光導電部材。
1 0 請求の範囲 1 において、 中間層の層厚が 3 0 〜
1 0 0 O Aであ る光導電部材。
1 1 請求の範囲 1 に いて 、 中間層が可視領域の光 に対して非光導電性であ る光導電部材。
1 2 請求の範囲 1 において 、 中間層が電気絶緣性で あ る光導電部材。
1 3 請求の範囲 1 において、 光導電層が 5 X 1 0 ⁹ · οπ以上の抵抗を有する光導電 ¾材。
1 請求の範囲 1 において、 光導電層の層厚が 1 〜 1 0 0 Α であ る光導電部材。
1 5 請求の範囲 1 に いて 、 光導電層中の水素の含 有量が、 1 〜 4 0 原子 である光導電部材。
1 6 請求の範囲 1 に いて 、 光導電層中のハ ロ ゲン 原子の含有量が 1 〜 4 0 原子 であ る光導電部材。
1 7 請求の範 S 1 に いて 、 兌導電層中に含ま れる 水素原子 とハ ロ ゲ ン原子の和が 1 〜 4 0 原子 であ る光 導電部材。
1 8 請求の範囲 1 おいて 、 光導電層が n 型不純物 , - を含有する光導電部材。
1 9 請求の範囲 1 8 において 、 n 型不純物が周期律 表 V A族に属する元素であ る光導電部材。―
2 0 請求の範囲 1 9 において 、 周期 ·律表 V A族に属 する元素が N 、 P 、 As 、 Sb 、 Bi から選ばれる 1 種で あ る光導電部材。
2 1 請求の範囲 1 8 において 、 n 型不純 ¾7が に対 し 1 0一⁸ 〜 1 0一³ 原子割合で含有されている光導電部材。
2 2 請求の範囲 1 において 、 光導電層が P 型不純物 を含有する光導電部材。
2 3 請求の範囲 2 2 において、 p 型不純 が周期律 表 I A族に属する元素であ る 光導電部材。
2 4 請求の範囲 2 3 に いて 、 周期律表 置 A族に属 する元素 ' B 、 M , Ga 、 In 、 ΎΙ から還ばれる 1 種で あ る光導電部材。
2 5 請求の範囲 2 2 において 、 ρ ¾不純物が 1 0— ⁶
〜 1 0— ³ 原子割合で含有されている光導電 。
2 6 請求の範囲 1 において 、 光導電層の上部表面上 に上部層を更に有する光導電部材。
2 7 請求の範囲 2 6 において 、 上 ¾層がシ リ コ ン原 子を母体 と し て含むテモ ル フ ァ ス材料で搏成さ れている 光導電部材。
2 8 請求の範囲 2 7 において 、 ア モ ル フ ァ ス材料が 構成要素 と し て更に 、 炭素原子、 ¾素 ^子、 窒素原子か ら選ばれる少 く と も 1 種を含有する光導電 13 ^"。 2 9 請求の範囲 2 7 、 ま たは 2 8 において 、 ァモル フ ァ ス村料が構成要素と して更に 、 水素原子又はハ ロゲ ン原子のいずれか—方が少 く と も含有され—ている光導電 部材。
5 3 0 請求の範囲において 、 窒素原子の含有量がシ リ
Λ
コ ン原子に対して 4 0 〜 6 0 原子 であ る光導電部材。
3 1 請求の範囲 2 7 において 、 上部層がシ リ コ ン原 子に対して窒素原子を 2 5 〜 5 5 原子 、 水'素原子を 2
〜 3 5 原子 夫々 含有する光導電き 2材。 0 3 2 請求の範囲 2 7 に いて 、 上部層がシ リ コ ンに 対して窒素原子を 3 0 〜 6 0 原子 、 ハ ロゲン原子を 1
〜 2 0 原子 、 水素原子を 1 9 原子 含有する光導電部 - 材。
3 3 請求の範囲 2 6 において、 上部層の層厚が 3 0 5 〜 ： L 0 0 O A であ る光導電部材。
3 請求の範囲 2 6 において 、 上部層が無機絶縁材 料で構成されている光導電部材。 .
3 5 請求の範囲 2 6 において、 上部層が有機絶緣材 料で構成されている光導電部材。 0 3 6 請求の範囲 2 6 において 、 上 Ϊ 層が可視光領域 の光に対して非光導電性であ る光導電 ®材。
3 7 請求の範囲 2 6 において 、 上¾ ¾が電気絶緣性 であ る光導電部材。
3 8 請求の範囲- 1 ま たは 2 6 いて 、 層厚が 0 . 5 5 〜 7 0 の表面被覆を更に有する充導電 ¾紂。 3 9 請求の範囲 1 において 、 中間層に含有される窒 素原子の量がシ リ コ ン原子に対して 3 0 〜 6 0 原子 で あ り 、 且つ中間層がハ ロ ゲ ン原子を 1 〜 2- 0 原子 、 水 素原子を 1 9 原子 以下含有する光導電部材。
4 0 請求の範囲 1 において 、 ノヽロ ゲン原子が、 F 、
C£ 、 B r か ら選ばれる原子であ る光導電部材。
4 1 支持体 と 、 シ リ コ ン原子を母体 と し 、 構成要素 と して水素原子又は 、 ハ ロ ゲ ン原子のいずれか一方を含 むア モ ル フ ァ ス材料で構成されている光導電層 と 、 これ 等の間に設け られる 中間層 と を備えた光導電部材におい て 、 前記中間層が 、 シ リ コ ン原子と窒素原子と を構成要 素 とする ア モ ル フ ァ ス材料で構成さ れている こ と を特徵 と する光導電部材。 ·
4 2 請求の範囲 4 1 において、 窒素原子の含有量が
シ リ コ ン原子に対して 4 0 〜 6 0 原子 であ る 光導電部 材 0
4 3 請求の範囲 4 1 において 、 中間層を構成する ァ
モ ル フ ァ ス材料が構成要素 と し て更に水素原子を含有す る 光導電部材。
4 4 請求の範囲 4 3 において 、 水素原子の含有量が
シ リ コ ン原子に対 して 2 〜 3 5 原子 ％ であ る光導電部材。
4 5 請求の範囲 4 1 において 、 中間層がシ リ コ ン原
子に対して窒素原子を 2 5 〜 5 5 原子 含有し 、 且つ更 に構成要素 と して水素原子を 2 〜 3 5 原子 含有する光 導電部材。
OMPI _ wr o .、 4 6 請求の範囲 4 1 において 中間層を構成するァ モ ル フ ァ ス材料が構成要素 と して 更にハ ロ ゲン原子を 含有する光導電部材。
4 7 請求の範囲 4— 6 において ハ ロ ゲン原子がシ リ コ ン原子に対して 1 〜 2 0 原子 含有されている光導電 部材。
4 8 請求の範囲 4 1 において 、 中間層を構成する ァ モル フ ァ ス材料が構成要素と して更に 、 水素原子と ハロ ゲン原子と を含有する光導電部材。
4 9 請求の範囲 4 8 において 、 ハ ロ ゲ ン原子の含有 量が 1 〜 2 0 原子 、 水素原子の含有量が 1 9 原子 以 下であ る光導電部材。
5 0 請求の範囲 4 1 において 、 中間層の層厚が 3 0
〜 ι 0 0 0 Aであ る光導電部材。
5 1 請求の範囲 4 1 において 、 中間層が可視光領域 の光に対して非光導電性であ る光導電部材。
5 2 請求の範囲 4 1 において、 中間層が電気絶緣性 である光導電部材。
5 3 請求の範囲 4 1 において 、 光導電層が 5 X 1 0⁹ ίΐ ατι以上の抵抗を有する光導電部^。
5 請求の範囲 4 1 において、 光導電響中の層厚が
1 〜 1 0 0 である光導電部材。
5 5 請求の範囲 4 1 に いて 、 光導電層中の水素原 子の含有量が 1 〜 4 0 原子 であ る光導電部材。
5 6 請求の範園 4 1 において 、 光導電 ¾中のハ ロ ゲ
C PI ン原子の含有量が 1 〜 4 0 原子 であ る 光導電部材。
5 7 請求の範囲 4 1 において光導電 ¾中に含有され る水素原子と ハ ロ ゲン原子の量の和力 ^s 1 〜 4 0 原子 で ある光導電部材。
5 8 請求の範囲 4 1 に おいて光導電層が n 型不純物 を含有する光導電部材。
5 9 請求の範囲 4 1 において n 型不純物が周期律 表 V A族の元素であ る光導電部材
6 0 請求の範囲 5 9 において 、 周期律表 V A族に属 する元素が N 、 P 、 A s S b 、 B i か ら還ばれる 1 種で あ る光導電部材。
6 1 請求の範囲 5 8 に いて 、 n 不純 ¾がシ リ コ
—8 —3
ン に 対し 0 0 原子割合で含有されている光導
6 2 請求の範囲 4 1 において 、 光導電層が p 型不純 物を含有する光導電部材。
6 3 請求の範囲 6 2 において 、 不純物が周期律 表 I A族に属する元素であ る光導電部 ^。
6 4 請求の範囲 6 3 において 、 周期律表 E A族の元 素が B 、 M , G a 、 I n 、 TZ よ り 還ばれる 1 種であ る光 導電部材。
6 5 請求の範囲 6 2 に いて 、 p S不純 ¾カ シ リ コ
—6
ン に 对 し 0 0 原子割合含有されている 光導電 部材。
6 6 請求の範囲 4 1 に いて 、 光導電層の上部表面
O PI
舊 .， 上に、 上部層を更に有する光導電部材。
6 7 請求の範囲 6 6 において 、 上部層がシ リ コ ン原 子を母体と して含むア モ ル フ ァ ス材料で構-成されている 光導電部材。
6 8 請求の範囲 6 7 において 、 ア モ ル フ ァ ス材料が 構成要素 と して 、 更に炭素原子、 酸素原子、 窒素原子か ら選ばれる少 ぐ と も 1 種の原子であ る光導電部材。
6 9 請求の範囲 6 7 又は 6 8 においてア モ ル フ ァス 材料が構成要素 と し て更に水素原子又はハ ロ ゲン原子の いずれか一方を少 く と も 含有している光導電部材。
7 0 請求の範囲 6 8 において窒素原子の含有量がシ リ コ ン原子に対して 4 0 〜 6 0 原子 であ る光導電部材
7 1 請求の範囲 6 7 において 、 上部層がシ リ コ ン原 子に対して窒素原子を 2 5 〜 5 5 原子 と 素原子を 2 〜 3 5 原子 含有する光導電部材。
7 2 請求の範囲 6 7 において 、 上部層がシ リ コ ン原 子に対し て 、 窒素原子を 3 0 〜 6 0 原.子 、 ハ ロ ゲン原 子を 1 〜 2 0 原子 、 水素原子を 1 9 原子 以下含有す る光導電部材。
6
7 3 請求の範囲 ； において 、 上部層の層厚が 、
3 0 〜 1 0 0 O Aであ る光導電部材。
7 請求の範囲 6 6 において 、 上部層が無機筢掾^ 料で構成されている光導電部枋。
7 5 請求の範囲 6 6 において 、 上部層が有機絶緣材 料で構成されている光導電部材。
O PI
、 V.TPO 7 6 請求の範囲 6 6 に於て上部層が可視光領域の光 に対して非光導電性であ る光導電部材。
7 7 請求の範 6 において 、 上部層-が電気絶緣性 であ る光導電部材。 ,
7 8 請求の範囲 4 1 又は 6 6 に いて 、 層厚が 0.5
〜 7 0 ^ の表面被覆層を更に有する 光導電部材。
7 9 請求の範囲 4 1 において 、 中間層に含有される 窒素原子の量がシ リ コ ン原子に対して 3 0 〜 6 0 原子 であって 、 且つ中間層がハ ロ ゲ ン原子を 1 〜 2 0 原子 ^ 、 水素原子を 1 9 原子 以下含有する光導電部材。

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公开号 | 公开日 | 专利标题

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公开号 | 公开日

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GB2087643B|1985-06-12|

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CA1181628A|1985-01-29|

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GB2087643A|1982-05-26|

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AU7564881A|1982-04-01|

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AU554181B2|1986-08-14|

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DE3152399C2|1988-06-09|

引用文献:

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公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

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法律状态:
1982-04-15| AK| Designated states|Designated state(s): AT DE |

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1982-09-23| RET| De translation (de og part 6b)|Ref document number: 3152399 Country of ref document: DE Date of ref document: 19820923 |

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1982-09-23| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 3152399 Country of ref document: DE |

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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